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首字符K的型号第158页
> KTX201
半导体
技术参数
一般工业用途。
特点
·含
两个设备在USV 。
（超超级迷你型，5引线）
A1
KTX201U
外延平面PNP / NPN晶体管
B
B1
1
5
·简化
电路设计。
*减少
部件和制造工艺的数量
A
2
3
4
D
暗淡
A
A1
B
B1
C
D
G
H
MILLIMETERS
_
2.00 + 0.20
_
+ 0.1
1.3
_
2.1 + 0.1
_
1.25 + 0.1
0.65
0.2+0.10/-0.05
0-0.1
_
0.9 + 0.1
0.15+0.1/-0.05
C
C
H
记号
等效电路（顶视图）
5
4
T
G
T
型号名称
5
4
h
FE
秩
1. Q
1
BASE
2. Q
1
, Q
2
辐射源
3. Q
2
BASE
4. Q
2
集热器
5. Q
1
集热器
Q1
Q2
C
1
2
3
1
2
3
USV
Q
1
最大额定值（ TA = 25 ℃ ）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
等级
-50
-50
-5
-150
-30
单位
V
V
V
Q
2
最大额定值（ TA = 25 ℃ ）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
等级
60
50
5
150
30
单位
V
V
V
Q
1
Q
2
最大额定值（ TA = 25 ℃ ）
特征
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
P
C
*
T
j
T
英镑
等级
200
150
-55½150
单位
½
℃
℃
2002. 6. 14
版本号： 2
1/5
KTX201U
Q
1
电气特性（Ta = 25℃）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
噪声系数
注）H
FE
分类： Y（ 4 ） 120 240 ，
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
（注）
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
NF
GR(6)200~400
测试条件
V
CB
= -50V ，我
E
=0
V
EB
= -5V ，我
C
=0
V
CE
= -6V ，我
C
=-2
I
C
=-100, I
B
=-10
V
CE
= -10V ，我
C
=-1
V
CB
= -10V ，我
E
=0, f=1
V
CE
= -6V ，我
C
= -0.1 ， F = 1 ， RG = 10
分钟。
-
-
120
-
80
-
-
典型值。
-
-
-
-0.1
-
4.0
1.0
马克斯。
-0.1
-0.1
400
-0.3
-
7.0
10
V
单元。
Q
2
电气特性（Ta = 25℃）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
噪声系数
注）H
FE
分类： Y（ 4 ） 120 240 ，
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
（注）
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
NF
GR(6)200~400
测试条件
V
CB
= 60V ，我
E
=0
V
EB
= 5V ，我
C
=0
V
CE
= 6V ，我
C
=2
I
C
=100, I
B
=10
V
CE
= 10V ，我
C
=1
V
CB
= 10V ，我
E
=0, f=1
V
CE
= 6V ，我
C
= 0.1 ， F = 1 ， RG = 10
分钟。
-
-
120
-
80
-
-
典型值。
-
-
-
0.1
-
2.0
1.0
马克斯。
0.1
0.1
400
0.25
-
3.5
10
V
单元。
2002. 6. 14
版本号： 2
2/5
KTX201U
Q
1
（ PNP晶体管）
I
C
- V
CE
集电极电流I
C
（MA ）
-240
I
B
=-2.0mA
共发射极
TA = 25℃
I
B
=-1.5mA
I
B
=-1.0mA
h
FE
- I
C
3k
直流电流增益
FE
共发射极
-200
-160
-120
-80
-40
0
0
-1
-2
1k
500
300
TA = 100℃
TA = 25℃
V
CE
=-6V
I
B
=-0.5mA
I
B
=-0.2mA
I
B
=0mA
100
50
30
-0.1
TA = -25℃
V
CE
=-1V
-3
-4
-5
-6
-7
-0.3
-1
-3
-10
-30
C
-100
（MA ）
-300
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
V
CE （ SAT ）
- I
C
集电极 - 发射极饱和
电压V
CE （ SAT ）
(V)
-1
-0.5
-0.3
共发射极
I
C
/I
B
=10
V
BE （ SAT ）
- I
C
-10
基射极饱和
电压VBE （SAT ） （V ）
-5
-3
共发射极
I
C
/I
B
=10
TA = 25℃
-0.1
-0.05
-0.03
0
=1
Ta
0
C
-1
-0.5
-0.3
TA = 25℃
TA = -25℃
-0.01
-0.1
-0.3
-1
-3
-10
-30
-100
-300
-0.1
-0.1
-0.3
-1
-3
-10
-30
-100
-300
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
f
T
- I
C
过渡频率f
T
（兆赫）
3k
1k
500
300
100
50
30
10
-0.1
共发射极
V
CE
=-10V
TA = 25℃
I
B
- V
BE
-1k
基极电流I
B
(A)
-300
-100
-30
-10
-3
-1
-0.3
Ta=2
5 C
Ta=-2
5 C
Ta=1
00 C
共发射极
V
CE
=-6V
-0.3
-1
-3
-10
-30
-100
-300
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
-1.2
集电极电流I
C
（MA ）
基极 - 发射极电压V
BE
(V)
2002. 6. 14
版本号： 2
3/5
KTX201U
Q
2
（ NPN晶体管）
I
C
- V
CE
240
集电极电流I
C
（MA ）
6.0
5.0
3.0
共发射极
2.0
h
FE
- I
C
1k
直流电流增益
FE
500
300
TA = 100℃
TA = 25℃
TA = -25℃
V
CE
=6V
共发射极
200
160
120
80
40
0
0
1
2
TA = 25℃
1.0
0.5
I
B
=-0.2mA
0
100
50
30
V
CE
=1V
3
4
5
6
7
10
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
V
CE （ SAT ）
- I
C
集电极 - 发射极饱和
电压V
CE （ SAT ）
(V)
1
0.5
0.3
共发射极
I
C
/I
B
=10
V
BE （ SAT ）
- I
C
10
基射极饱和
电压V
BE （ SAT ）
(V)
5
3
共发射极
I
C
/I
B
=10
TA = 25℃
0.1
0.05
0.03
0
10
a=
T
C
1
0.5
0.3
TA = 25℃
TA = -25℃
0.01
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
0.1
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
f
T
- I
C
过渡频率f
T
（兆赫）
3k
1k
500
300
100
50
30
10
共发射极
V
CE
=10V
TA = 25℃
I
B
- V
BE
3k
基极电流I
B
(A)
1k
300
100
0 C
Ta=1
0
常见
辐射源
V
CE
=6V
30
10
3
1
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
0.3
0
0.2
0.4
Ta=2
5 C
TA = -
25 C
0.6
0.8
1.0
1.2
集电极电流I
C
（MA ）
基极 - 发射极电压V
BE
(V)
2002. 6. 14
版本号： 2
4/5
KTX201U
集电极耗散功率P
C
（ mW）的
P
C
- TA
250
200
150
100
50
0
0
25
50
75
100
125
150
周围温度Ta （℃）
2002. 6. 14
版本号： 2
5/5
半导体
技术参数
一般工业用途。
特点
包括TESV两个设备。
（ 5引脚薄型至尊超级迷你型）
减少零件和制造工艺的数量。
A1
A
C
KTX201E
外延平面NPN / PNP晶体管
B
B1
简化电路设计。
1
5
暗淡
A
A1
B
2
3
4
B1
C
D
H
J
P
MILLIMETERS
_
1.6 + 0.05
_
1.0 + 0.05
_
1.6 + 0.05
_
1.2+ 0.05
0.50
_
0.2 + 0.05
_ 0.05
0.5 +
_
0.12 + 0.05
5
C
P
P
等效电路（顶视图）
5
4
记号
5
4
H
型号名称
Q1
Q2
C
1
2
3
h
FE
秩
1. Q
1
BASE
2. Q
1
, Q
2
辐射源
3. Q
2
BASE
4. Q
2
集热器
5. Q
1
集热器
1
2
3
TESV
Q
1
最大额定值（ TA = 25
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
等级
-50
-50
-5
-150
-30
单位
V
V
V
Q
2
最大额定值（ TA = 25
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
等级
60
50
5
150
30
单位
V
V
V
Q
1
Q
2
最大额定值（ TA = 25
特征
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
*总评分。
)
符号
P
C
*
T
j
T
英镑
等级
200
150
-55
150
单位
2002. 1. 24
版本号： 1
J
D
1/5
KTX201E
Q
1
电气特性（ TA = 25 ）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
噪声系数
注）H
FE
分类： Y（ 4 ） 120 240 ，
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
（注）
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
NF
GR(6)200~400
测试条件
V
CB
= -50V ，我
E
=0
V
EB
= -5V ，我
C
=0
V
CE
= -6V ，我
C
=-2
I
C
=-100 , I
B
=-10
V
CE
= -10V ，我
C
=-1
V
CB
= -10V ，我
E
=0, f=1
V
CE
= -6V ，我
C
=-0.1 , f=1
， RG = 10
分钟。
-
-
120
-
80
-
-
典型值。
-
-
-
-0.1
-
4.0
1.0
马克斯。
-0.1
-0.1
400
-0.3
-
7.0
10
V
单元。
Q
2
电气特性（ TA = 25 ）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
噪声系数
注）H
FE
分类： Y（ 4 ） 120 240 ，
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
（注）
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
NF
GR(6)200~400
测试条件
V
CB
= 60V ，我
E
=0
V
EB
= 5V ，我
C
=0
V
CE
= 6V ，我
C
=2
I
C
=100 , I
B
=10
V
CE
= 10V ，我
C
=1
V
CB
= 10V ，我
E
=0, f=1
V
CE
= 6V ，我
C
=0.1
, f=1
， RG = 10
分钟。
-
-
120
-
80
-
-
典型值。
-
-
-
0.1
-
2.0
1.0
马克斯。
0.1
0.1
400
0.25
-
3.5
10
V
单元。
2002. 1. 24
版本号： 1
2/5
KTX201E
Q
1
（ PNP晶体管）
I
C
- V
CE
集电极电流I
C
（MA ）
-240
I
B
=-2.0mA
共发射极
TA = 25℃
I
B
=-1.5mA
I
B
=-1.0mA
h
FE
- I
C
3k
直流电流增益
FE
共发射极
-200
-160
-120
-80
-40
0
0
-1
-2
1k
500
300
TA = 100℃
TA = 25℃
V
CE
=-6V
I
B
=-0.5mA
I
B
=-0.2mA
I
B
=0mA
100
50
30
-0.1
TA = -25℃
V
CE
=-1V
-3
-4
-5
-6
-7
-0.3
-1
-3
-10
-30
-100
-300
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
V
CE （ SAT ）
- I
C
集电极 - 发射极饱和
电压V
CE （ SAT ）
(V)
-1
-0.5
-0.3
基射极饱和
电压VBE （SAT ） （V ）
共发射极
I
C
/I
B
=10
V
BE （ SAT ）
- I
C
-10
-5
-3
共发射极
I
C
/I
B
=10
TA = 25℃
-0.1
-0.05
-0.03
0
=1
Ta
0
C
-1
-0.5
-0.3
TA = 25℃
TA = -25℃
-0.01
-0.1
-0.3
-1
-3
-10
-30
-100
-300
-0.1
-0.1
-0.3
-1
-3
-10
-30
-100
-300
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
f
T
- I
C
过渡频率f
T
（兆赫）
3k
1k
500
300
100
50
30
10
-0.1
共发射极
V
CE
=-10V
TA = 25℃
I
B
- V
BE
-1k
基极电流I
B
(A)
-300
-100
-30
-10
-3
-1
-0.3
Ta=2
5 C
Ta=-2
5 C
00 C
共发射极
V
CE
=-6V
-0.3
-1
-3
-10
-30
-100
-300
0
-0.2
-0.4
Ta=1
-0.6
-0.8
-1.0
-1.2
集电极电流I
C
（MA ）
基极 - 发射极电压V
BE
(V)
2002. 1. 24
版本号： 1
3/5
KTX201E
Q
2
（ NPN晶体管）
I
C
- V
CE
240
集电极电流I
C
（MA ）
6.0毫安5.0毫安
共发射极
3.0毫安2.0毫安
h
FE
- I
C
1k
直流电流增益
FE
500
300
TA = 100℃
TA = 25℃
TA = -25℃
V
CE
=6V
共发射极
200
160
120
80
40
0
0
1
2
TA = 25℃
1.0mA
0.5mA
I
B
=0.2mA
0
100
50
30
V
CE
=1V
3
4
5
6
7
10
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
V
CE （ SAT ）
- I
C
集电极 - 发射极饱和
电压V
CE （ SAT ）
(V)
1
0.5
0.3
基射极饱和
电压V
BE （ SAT ）
(V)
共发射极
I
C
/I
B
=10
V
BE （ SAT ）
- I
C
10
5
3
共发射极
I
C
/I
B
=10
TA = 25℃
0.1
0.05
0.03
00
=1
Ta
C
1
0.5
0.3
TA = 25℃
TA = -25℃
0.01
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
0.1
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
f
T
- I
C
过渡频率f
T
（兆赫）
3k
1k
500
300
100
50
30
10
共发射极
V
CE
=10V
TA = 25℃
I
B
- V
BE
3k
基极电流I
B
(A)
1k
300
100
30
10
3
1
Ta=1
00 C
Ta=2
5 C
TA = -
25 C
常见
辐射源
V
CE
=6V
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
0.3
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
集电极电流I
C
（MA ）
基极 - 发射极电压V
BE
(V)
2002. 1. 24
版本号： 1
4/5
KTX201E
集电极耗散功率P
C
（ mW）的
PC - TA
250
200
150
100
50
0
0
25
50
75
100
125
150
周围温度Ta （℃）
2002. 1. 24
版本号： 1
5/5
半导体
技术参数
一般工业用途。
特点
包括TESV两个设备。
（ 5引脚薄型至尊超级迷你型）
减少零件和制造工艺的数量。
A1
A
C
KTX201E
外延平面NPN / PNP晶体管
B
B1
简化电路设计。
1
5
暗淡
A
A1
B
2
3
4
B1
C
D
H
J
P
MILLIMETERS
_
1.6 + 0.05
_
1.0 + 0.05
_
1.6 + 0.05
_
1.2+ 0.05
0.50
_
0.2 + 0.05
_ 0.05
0.5 +
_
0.12 + 0.05
5
C
P
P
等效电路（顶视图）
5
4
记号
5
4
H
型号名称
Q1
Q2
C
1
2
3
h
FE
秩
1. Q
1
BASE
2. Q
1
, Q
2
辐射源
3. Q
2
BASE
4. Q
2
集热器
5. Q
1
集热器
1
2
3
TESV
Q
1
最大额定值（ TA = 25
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
等级
-50
-50
-5
-150
-30
单位
V
V
V
Q
2
最大额定值（ TA = 25
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
等级
60
50
5
150
30
单位
V
V
V
Q
1
Q
2
最大额定值（ TA = 25
特征
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
*总评分。
)
符号
P
C
*
T
j
T
英镑
等级
200
150
-55
150
单位
2002. 1. 24
版本号： 1
J
D
1/5
KTX201E
Q
1
电气特性（ TA = 25 ）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
噪声系数
注）H
FE
分类： Y（ 4 ） 120 240 ，
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
（注）
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
NF
GR(6)200~400
测试条件
V
CB
= -50V ，我
E
=0
V
EB
= -5V ，我
C
=0
V
CE
= -6V ，我
C
=-2
I
C
=-100 , I
B
=-10
V
CE
= -10V ，我
C
=-1
V
CB
= -10V ，我
E
=0, f=1
V
CE
= -6V ，我
C
=-0.1 , f=1
， RG = 10
分钟。
-
-
120
-
80
-
-
典型值。
-
-
-
-0.1
-
4.0
1.0
马克斯。
-0.1
-0.1
400
-0.3
-
7.0
10
V
单元。
Q
2
电气特性（ TA = 25 ）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
噪声系数
注）H
FE
分类： Y（ 4 ） 120 240 ，
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
（注）
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
NF
GR(6)200~400
测试条件
V
CB
= 60V ，我
E
=0
V
EB
= 5V ，我
C
=0
V
CE
= 6V ，我
C
=2
I
C
=100 , I
B
=10
V
CE
= 10V ，我
C
=1
V
CB
= 10V ，我
E
=0, f=1
V
CE
= 6V ，我
C
=0.1
, f=1
， RG = 10
分钟。
-
-
120
-
80
-
-
典型值。
-
-
-
0.1
-
2.0
1.0
马克斯。
0.1
0.1
400
0.25
-
3.5
10
V
单元。
2002. 1. 24
版本号： 1
2/5
KTX201E
Q
1
（ PNP晶体管）
I
C
- V
CE
集电极电流I
C
（MA ）
-240
I
B
=-2.0mA
共发射极
TA = 25℃
I
B
=-1.5mA
I
B
=-1.0mA
h
FE
- I
C
3k
直流电流增益
FE
共发射极
-200
-160
-120
-80
-40
0
0
-1
-2
1k
500
300
TA = 100℃
TA = 25℃
V
CE
=-6V
I
B
=-0.5mA
I
B
=-0.2mA
I
B
=0mA
100
50
30
-0.1
TA = -25℃
V
CE
=-1V
-3
-4
-5
-6
-7
-0.3
-1
-3
-10
-30
-100
-300
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
V
CE （ SAT ）
- I
C
集电极 - 发射极饱和
电压V
CE （ SAT ）
(V)
-1
-0.5
-0.3
基射极饱和
电压VBE （SAT ） （V ）
共发射极
I
C
/I
B
=10
V
BE （ SAT ）
- I
C
-10
-5
-3
共发射极
I
C
/I
B
=10
TA = 25℃
-0.1
-0.05
-0.03
0
=1
Ta
0
C
-1
-0.5
-0.3
TA = 25℃
TA = -25℃
-0.01
-0.1
-0.3
-1
-3
-10
-30
-100
-300
-0.1
-0.1
-0.3
-1
-3
-10
-30
-100
-300
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
f
T
- I
C
过渡频率f
T
（兆赫）
3k
1k
500
300
100
50
30
10
-0.1
共发射极
V
CE
=-10V
TA = 25℃
I
B
- V
BE
-1k
基极电流I
B
(A)
-300
-100
-30
-10
-3
-1
-0.3
Ta=2
5 C
Ta=-2
5 C
00 C
共发射极
V
CE
=-6V
-0.3
-1
-3
-10
-30
-100
-300
0
-0.2
-0.4
Ta=1
-0.6
-0.8
-1.0
-1.2
集电极电流I
C
（MA ）
基极 - 发射极电压V
BE
(V)
2002. 1. 24
版本号： 1
3/5
KTX201E
Q
2
（ NPN晶体管）
I
C
- V
CE
240
集电极电流I
C
（MA ）
6.0毫安5.0毫安
共发射极
3.0毫安2.0毫安
h
FE
- I
C
1k
直流电流增益
FE
500
300
TA = 100℃
TA = 25℃
TA = -25℃
V
CE
=6V
共发射极
200
160
120
80
40
0
0
1
2
TA = 25℃
1.0mA
0.5mA
I
B
=0.2mA
0
100
50
30
V
CE
=1V
3
4
5
6
7
10
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
V
CE （ SAT ）
- I
C
集电极 - 发射极饱和
电压V
CE （ SAT ）
(V)
1
0.5
0.3
基射极饱和
电压V
BE （ SAT ）
(V)
共发射极
I
C
/I
B
=10
V
BE （ SAT ）
- I
C
10
5
3
共发射极
I
C
/I
B
=10
TA = 25℃
0.1
0.05
0.03
00
=1
Ta
C
1
0.5
0.3
TA = 25℃
TA = -25℃
0.01
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
0.1
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
f
T
- I
C
过渡频率f
T
（兆赫）
3k
1k
500
300
100
50
30
10
共发射极
V
CE
=10V
TA = 25℃
I
B
- V
BE
3k
基极电流I
B
(A)
1k
300
100
30
10
3
1
Ta=1
00 C
Ta=2
5 C
TA = -
25 C
常见
辐射源
V
CE
=6V
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
0.3
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
集电极电流I
C
（MA ）
基极 - 发射极电压V
BE
(V)
2002. 1. 24
版本号： 1
4/5
KTX201E
集电极耗散功率P
C
（ mW）的
PC - TA
250
200
150
100
50
0
0
25
50
75
100
125
150
周围温度Ta （℃）
2002. 1. 24
版本号： 1
5/5
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KTX201
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K4S643232E-TE50
KM62V256D
KTC9012S
KA5Q0765RT
KPN500B1/8
KPLT1280A
KM23C4100DT
K2500S
K4320N1EN1S
K6F8016R6B-F
KA3842AC
KBPC5002GS
K4H510838B-TC/LB3
KBPC1000F
K34120Y1EB1S
KSM-2005LM2E
KHD101E156M80A0B00
KM62256C
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-
-
-
-
终端采购配单精选
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QQ：2881677436
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QQ：2881620402
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电话：18922805453
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KTX201
-
-
-
-
终端采购配单精选
更多配单专家
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QQ：
QQ：5645336
复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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