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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符K型号页 > 首字符K的型号第235页 > KTX111T
半导体
技术参数
一般工业用途。
特点
包括TS6两个设备。
（薄超级迷你型6引脚）
简化电路设计。
G
A
F
K
1
KTX111T
外延平面NPN / PNP晶体管
E
B
K
6
减少零件和制造工艺的数量。
2
5
暗淡
A
B
C
D
E
D
F
G
H
I
J
3
4
MILLIMETERS
_
2.9 + 0.2
1.6+0.2/-0.1
_
0.70 + 0.05
_
0.4 + 0.1
2.8+0.2/-0.3
_
1.9 + 0.2
0.95
_
0.16 + 0.05
0.00-0.10
0.25+0.25/-0.15
0.60
0.55
J
记号
Q1
Q2
h
FE
秩
型号名称
6
5
4
LOT号
B
1
2
3
1.
2.
3.
4.
5.
6.
Q
1
Q
1
Q
2
Q
2
Q
2
Q
1
辐射源
BASE
集热器
辐射源
BASE
集热器
1
2
3
Q1最大额定值（Ta = 25
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
发射极电流
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
E
等级
35
30
5
500
-500
单位
V
V
V
Q2最大额定值（Ta = 25
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
发射极电流
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
E
等级
-35
-30
-5
-500
500
单位
V
V
V
Q1 ， Q2最大额定值（Ta = 25
特征
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
*封装安装在陶瓷基板（600
)
符号
P
C
*
T
j
T
英镑
0.8
)
等级
0.9
150
-55
150
单位
W
2002. 1. 24
版本号： 1
I
6
5
4
L
等效电路（顶视图）
G
K
L
J
H
C
TS6
1/4
KTX111T
Q
1
电气特性（ TA = 25 ）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
（1）（注）
h
FE
（2）（注）
V
CE （ SAT ）
V
BE
f
T
C
ob
测试条件
V
CB
= 35V ，我
E
=0
V
EB
= 5V ，我
C
=0
V
CE
= 1V ，我
C
=100
V
CE
= 6V ，我
C
=400
I
C
=100 , I
B
=10
V
CE
= 1V ，我
C
=100
V
CE
= 6V ，我
C
=20
V
CB
= 6V ，我
E
=0, f=1
分钟。
-
-
70
25
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
0.1
0.8
300
7.0
马克斯。
0.1
0.1
240
-
0.25
1.0
-
-
V
V
单元。
注）H
FE
（ 1 ）分类○： 70 140 ， Y： 120 240 。
h
FE
（ 2 ）分类○： 25 （分钟） ， Y： 40 （分钟）。
Q
2
电气特性（ TA = 25 ）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
（1）（注）
h
FE
（2）（注）
V
CE （ SAT ）
V
BE
f
T
C
ob
测试条件
V
CB
= -35V ，我
E
=0
V
EB
= -5V ，我
C
=0
V
CE
= -1V ，我
C
=-100
V
CE
= -6V ，我
C
=-400
I
C
=-100 , I
B
=-10
V
CE
= -1V ，我
C
=-100
V
CE
= -6V ，我
C
=-20
V
CB
= -6V ，我
E
=0, f=1
分钟。
-
-
70
25
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-0.1
-0.8
200
13
马克斯。
-0.1
-0.1
240
-
-0.25
-1.0
-
-
V
V
单元。
注）H
FE
（ 1 ）分类○： 70 140 ， Y： 120 240 。
h
FE
（ 2 ）分类○： 25 （分钟） ， Y： 40 （分钟）。
2002. 1. 24
版本号： 1
2/4
KTX111T
Q
1
（ NPN TRANSISOR ）
I
C
- V
CE
500
集电极电流I
C
（MA ）
400
300
200
100
0
共发射极
TA = 25℃
6.0
4.0
3.0
2.0
h
FE
- I
C
500
直流电流增益
FE
300
TA = 100℃
V
CE
=6V
100
50
30
TA = -25℃
TA = 25℃
V
CE
=1V
常见
辐射源
1.0
0.5
I
B
=0.1mA
0
0
1
2
3
4
5
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
10
0.5 1
3
10
30
100
300
1k
集电极电流I
C
（MA ）
I
B
- V
BE
集电极 - 发射极饱和
电压V
CE （ SAT ）
(V)
2k
1k
基极电流I
B
(A)
500
300
C
C
TA
100
25
C
V
CE （ SAT ）
- I
C
1
0.5
0.3
常见
辐射源
I
C
/I
B
=10
共发射极
V
CE
=6V
TA
50
30
10
5
0
0.2
0.4
TA
100
-25
0.1
0.05
0.03
TA = 100℃
TA = 25℃
TA = -25℃
0.6
0.8
1.0
0.01
0.5
1
3
10
30
100
300
1K
基极 - 发射极电压V
BE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
Q
2
（ PNP TRANSISOR ）
I
C
- V
CE
-600
集电极电流I
C
（MA ）
-500
-400
-300
-200
-100
0
0
-1
-2
-3
0
-8 -7
-6
-5
常见
辐射源
TA = 25℃
-4
-3
-2
I
B
=-1mA
h
FE
- I
C
1k
500
直流电流增益
FE
300
TA = 100℃
TA = 25℃
V
CE
=-6V
共发射极
100
50
30
TA = -25℃
V
CE
=-1V
-4
-5
10
-0.3
-1
-3
-10
-30
-100
-300
-1k
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
2002. 1. 24
版本号： 1
3/4
KTX111T
V
CE （ SAT ）
- I
C
集电极 - 发射极饱和
电压V
CE （ SAT ）
(V)
-3
-1
-0.5
-0.3
-0.1
-0.05
-0.03
-0.01
-0.5 -1
-3
-10
-30
-100
-300
-1k
TA = 100℃
TA = 25℃
TA = -25℃
共发射极
I
C
/I
B
=10
I
B
- V
BE
-3k
-1k
基极电流I
B
(A)
-300
-100
-30
-10
-3
-1
-0.3
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
-1.2
常见
辐射源
V
CE
=-6V
Ta=1
00 C
Ta=2
5 C
TA = -
25 C
集电极电流I
C
（MA ）
基极 - 发射极电压V
BE
(V)
PC - TA
集电极耗散功率
P
C
(W)
1.2
安装在一
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
陶瓷板
(600mm
2
0.8mm)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
周围温度Ta （℃）
2002. 1. 24
版本号： 1
4/4
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