【半导体技术参数一般工业用途。特点包括US6两个设备。（超超级迷你型6引脚）简化电路设计。A11KTX】,IC型号KTX102U,KTX102U PDF资料,KTX102U经销商,ic,电子元器件-51电子网

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半导体

技术参数

一般工业用途。

特点

包括US6两个设备。

（超超级迷你型6引脚）

简化电路设计。

A1

1

KTX102U

外延平面PNP / NPN晶体管

B

B1

6

5

4

D

C

减少零件和制造工艺的数量。

2

3

暗淡

A

A1

B

B1

C

D

G

MILLIMETERS

_

2.00 + 0.20

_

1.3 + 0.1

_

2.1 + 0.1

_

1.25 + 0.1

0.65

0.2+0.10/-0.05

0-0.1

_

0.9 + 0.1

0.15+0.1/-0.05

A

C

H

等效电路（顶视图）

6

5

4

H

T

G

T

记号

型号名称

6

5

4

h

FE

秩

1.

2.

3.

4.

5.

6.

Q

1

Q

1

Q

2

Q

2

Q

2

Q

1

辐射源

BASE

BASE

集热器

辐射源

集热器

Q1

Q2

D

1

2

3

1

2

3

US6

Q

1

最大额定值（ TA = 25

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

B

等级

-50

-50

-5

-150

-30

单位

V

V

V

Q

2

最大额定值（ TA = 25

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

B

等级

60

50

5

150

30

单位

V

V

V

Q

1,

Q

2

最大额定值（ TA = 25

特征

集电极耗散功率

结温

存储温度范围

*总Raing 。

)

符号

P

C

*

T

j

T

英镑

等级

200

150

-55 150

单位

2002. 6. 24

版本号： 2

1/5

KTX102U

Q

1

电气特性（ TA = 25 ）

特征

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

跃迁频率

集电极输出电容

噪声系数

注）H

FE

分类： Y（ 4 ） 120 240 ，

符号

I

CBO

I

EBO

h

FE

（注）

V

CE （ SAT ）

f

T

C

ob

NF

GR(6)200~400

测试条件

V

CB

= -50V ，我

E

=0

V

EB

= -5V ，我

C

=0

V

CE

= -6V ，我

C

=-2

I

C

=-100

, I

B

=-10

分钟。

-

-

120

-

80

-

， RG = 10

-

典型值。

-

-

-

-0.1

-

4.0

1.0

马克斯。

-0.1

-0.1

400

-0.3

-

7.0

10

V

单元。

V

CE

= -10V ，我

C

=-1

V

CB

= -10V ，我

E

=0, f=1

V

CE

= -6V ，我

C

=-0.1

, f=1

Q

2

电气特性（ TA = 25

特征

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

跃迁频率

集电极输出电容

噪声系数

注）H

FE

分类： Y（ 4 ） 120 240 ，

符号

I

CBO

I

EBO

h

FE

（注）

V

CE （ SAT ）

f

T

C

ob

NF

GR(6)200~400

)

测试条件

V

CB

= 60V ，我

E

=0

V

EB

= 5V ，我

C

=0

V

CE

= 6V ，我

C

=2

I

C

=100 , I

B

=10

V

CE

= 10V ，我

C

=1

V

CB

= 10V ，我

E

=0, f=1

V

CE

= 6V ，我

C

=0.1 , f=1

， RG = 10

分钟。

-

-

120

-

80

-

-

典型值。

-

-

-

0.1

-

2.0

1.0

马克斯。

0.1

0.1

400

0.25

-

3.5

10

V

单元。

2002. 6. 24

版本号： 2

2/5

KTX102U

Q

1

（ PNP晶体管）

I

C

- V

CE

集电极电流I

C

（MA ）

-240

-200

-160

-120

-80

-40

0

I

B

=-0.5mA

I

B

=-0.2mA

I

B

=0mA

I

B

=-2.0mA

I

B

=-1.5mA

I

B

=-1.0mA

共发射极

TA = 25℃

h

FE

- I

C

3k

直流电流增益

FE

共发射极

1k

500

300

TA = 100℃

TA = 25℃

V

CE

=-6V

100

50

TA = -25℃

V

CE

=-1V

0

-1

-2

-3

-4

-5

-6

-7

30

-0.1

-0.3

-1

-3

-10

-30

-100

-300

集电极 - 发射极电压V

CE

(V)

集电极电流I

C

（MA ）

V

CE （ SAT ）

- I

C

集电极 - 发射极饱和

电压V

CE （ SAT ）

(V)

-1

-0.5

-0.3

基射极饱和

电压V

BE （ SAT ）

(V)

共发射极

I

C

/I

B

=10

V

BE （ SAT ）

- I

C

-10

-5

-3

共发射极

I

C

/I

B

=10

TA = 25℃

-0.1

-0.05

-0.03

00

=1

Ta

C

-1

-0.5

-0.3

TA = 25℃

TA = -25℃

-0.01

-0.1

-0.3

-1

-3

-10

-30

-100

-300

-0.1

-0.1

-0.3

-1

-3

-10

-30

-100

-300

集电极电流I

C

（MA ）

集电极电流I

C

（MA ）

f

T

- I

C

过渡频率f

T

（兆赫）

3k

1k

500

300

100

50

30

10

0.1

共发射极

V

CE

=-10V

TA = 25℃

I

B

- V

BE

-1k

基极电流I

B

(A)

-300

-100

Ta=2

5 C

Ta=-2

5 C

Ta=1

00 C

共发射极

V

CE

=-6V

-30

-10

-3

-1

-0.3

0

-0.2

0.3

1

3

10

30

100

300

-0.4

-0.6

-0.8

-1.0

-1.2

集电极电流I

C

（MA ）

基极 - 发射极电压V

BE

(V)

2002. 6. 24

版本号： 2

3/5

KTX102U

Q

2

（ NPN晶体管）

I

C

- V

CE

240

集电极电流I

C

（MA ）

6.0

5.0

3.0

共发射极

TA = 25℃

2.0

h

FE

- I

C

1k

直流电流增益^ h FE

500

300

TA = 100℃

TA = 25℃

TA = -25℃

V

CE

=6V

共发射极

200

160

120

80

40

0

1.0

0.5

I

B

=-0.2mA

0

100

50

30

V

CE

=1V

0

1

2

3

4

5

6

7

10

0.1

0.3

1

3

10

30

100

300

集电极 - 发射极电压V

CE

(V)

集电极电流I

C

（MA ）

V

CE （ SAT ）

- I

C

集电极 - 发射极饱和

电压V

CE （ SAT ）

(V)

1

0.5

0.3

基射极饱和

电压V

BE （ SAT ）

(V)

共发射极

I

C

/I

B

=10

V

BE （ SAT ）

- I

C

10

5

3

共发射极

I

C

/I

B

=10

TA = 25℃

0.1

0.05

0.03

T

1

a=

00

C

1

0.5

0.3

TA = 25℃

TA = -25℃

0.01

0.1

0.3

1

3

10

30

100

300

0.1

0.1

0.3

1

3

10

30

100

300

集电极电流I

C

（MA ）

集电极电流I

C

（MA ）

f

T

- I

C

过渡频率f

T

（兆赫）

3k

1k

500

300

100

50

30

10

共发射极

V

CE

=10V

TA = 25℃

I

B

- V

BE

3k

基极电流I

B

(A)

1k

300

100

30

10

3

1

Ta=1

00 C

Ta=2

5 C

TA = -

25 C

常见

辐射源

V

CE

=6V

0.1

0.3

1

3

10

30

100

300

0.3

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

集电极电流I C （毫安）

基射极电压VBE （ V）

2002. 6. 24

版本号： 2

4/5

KTX102U

集电极耗散功率P

C

（ mW）的

PC - TA

250

200

150

100

50

0

0

25

50

75

100

125

150

周围温度Ta （℃）

2002. 6. 24

版本号： 2

5/5

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联系人：刘经理

地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008

KTX102U

AUK

21+

60000

SOT-563

全新原装正品/质量有保证

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电话：13910052844（微信同步）

联系人：刘先生

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