半导体
技术参数
一般工业用途。
切换应用程序。
B
KTN2222/A
外延平面NPN晶体管
C
特点
: I
CEX
= 10nA的(最大) ; V
CE
=60V, V
EB (O FF )
=3V.
低饱和电压
: V
CE ( SAT )
= 0.3V (最大) ;我
C
= 150毫安,我
B
=15mA.
互补的KTN2907 / 2907A 。
KTN2222 / 2222A电类似于2N2222 / 2222A 。
H
A
低漏电流
N
K
D
G
E
F
F
L
M
1
2
3
C
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
MILLIMETERS
4.70 MAX
4.80 MAX
3.70 MAX
0.45
1.00
1.27
0.85
0.45
_
14.00 + 0.50
0.55最大
2.30
0.45最大
1.00
J
最大额定值( TA = 25
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
(Ta=25
)
结温
存储温度范围
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
等级
KTN2222
60
30
5
600
625
150
-55 150
KTN2222A
75
40
6
单位
V
V
V
mA
mW
1.发射器
2.基
3.收集
TO-92
2003. 6. 16
版本号: 2
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