半导体
技术参数
低频/
高频放大器的应用
特点
ULOW
增益控制放大器
高Transter准入
KTK951S
N沟道结型场效应
场效应晶体管
L
E
B
L
暗淡
A
2
3
D
B
C
D
E
G
H
J
K
A
G
MILLIMETERS
_
2.93 + 0.20
1.30+0.20/-0.15
1.30最大
0.45+0.15/-0.05
2.40+0.30/-0.20
1.90
0.95
0.13+0.10/-0.05
0.00 ~ 0.10
0.55
0.20 MIN
1.00+0.20/-0.10
7
H
1
P
P
L
M
N
P
C
N
特征
栅 - 漏电压
栅源电压
栅电流
漏电流
漏极功耗
结温
存储温度范围
符号
V
GDO
V
GSO
I
G
I
D
P
D
T
j
T
英镑
等级
-22
-22
10
50
150
150
-55~150
单位
V
V
mA
mA
mW
1.源
2.漏
3.门
K
最大额定值( TA = 25
)
M
SOT-23
记号
I
DSS
秩
型号名称
LOT号
J
电气特性( TA = 25
特征
栅源击穿电压
栅极 - 源极截止电压
栅极漏电流Currnet
漏电流
正向转移导纳
输入电容
符号
V
( BR ) GSS
V
GS ( OFF )
I
GSS
I
DSS
(注)
y
fs
)
测试条件
V
DS
= 0V时,我
G
=-10
V
DS
= 5V ,我
D
=10
V
DS
=0V, V
GS
=-15V
V
DS
=5V, V
GS
=0V
V
DS
=5V, V
GS
= 0V , F = 1KHz的
V
DS
=5V, V
GS
= 0V , F = 1MHz的
民
-22
0
-
12
20
-
典型值
-
-
-
-
30
9
最大
-
-2.5
10
40
-
-
单位
V
V
A
mA
mS
pF
C
国际空间站
注:我
DSS
分类C: 12 22 , D: 18 30 , E: 27 40
2009. 5. 15
版本号: 0
J
1/3