半导体
技术参数
电容式麦克风应用。
特点
Expecially适合用于音频，电话。
电容话筒。
良好的瞬态特性。
F
KTK596
N沟道结型场效应
场效应晶体管
B
优良的电压特性。
H
A
O
M
G
C
最大额定值（ TA = 25
特征
栅 - 漏电压
栅电流
漏电流
漏极功耗
结温
存储温度范围
)
符号
V
GDO
I
G
I
D
P
D
T
j
T
英镑
等级
-20
10
1
400
150
-55 150
单位
V
mA
mA
mW
J
E
E
1
L
2
3
N
DIM毫米
A
3.20最大
B
4.30 MAX
C
0.55最大
_
D
2.40 + 0.15
E
1.27
F
2.30
_
G
14.00 + 0.50
H
0.60 MAX
J
1.05
K
1.45
L
25
M
0.80
N
0.55最大
O
0.75
1.源
2.门
3.排水
K
电气特性（ TA = 25 ）
特征
栅极 - 漏极击穿电压
栅极 - 源极截止电压
漏电流
FOWARD转移导纳
输入电容
反向传输电容
注：我
DSS
分类
符号
V
（ BR ） GDO
V
GS （ OFF ）
I
DSS
（注）
| y
fs
|
C
国际空间站
C
RSS
测试条件
I
G
=-100 A
V
DS
= 5V ，我
D
=1 A
V
DS
=5V, V
GS
=0
V
DS
=5V, V
GS
= 0中，f = 1KHz的
V
DS
=5V, V
GS
= 0中，f = 1MHz的
V
DS
=5V, V
GS
= 0中，f = 1MHz的
分钟。
-20
-
100
0.4
-
-
典型值。
-
-0.6
-
1.2
3.5
0.65
马克斯。
-
-1.5
480
-
-
-
单位
V
V
A
mS
pF
pF
答： 100 170 ， B： 150 240 ，C ： 210
350 ， C1 ： 210 310 ， C2 ： 290 350 ， D： 320 480
2002. 8. 7
版本号： 3
D
TO-92M
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