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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符K型号页 > 首字符K的型号第250页 > KTK5132S
半导体
技术参数
超高速开关应用
模拟开关应用
特点
2.5
栅极驱动。
ULOW
阈值电压： V
th
=0.5½1.5V.
高
速度。
小
封装。
·增强模式。
KTK5132S
N沟道MOS场
场效应晶体管
L
E
B
L
暗淡
A
D
B
C
D
E
G
H
J
K
P
P
L
M
N
P
MILLIMETERS
_
2.93 + 0.20
1.30+0.20/-0.15
1.30最大
0.45+0.15/-0.05
2.40+0.30/-0.20
1.90
0.95
0.13+0.10/-0.05
0.00 ~ 0.10
0.55
0.20 MIN
1.00+0.20/-0.10
7
2
3
A
G
H
1
漏源电压
栅源电压
直流漏电流
漏极功耗
通道温度
存储温度范围
V
DS
V
GSS
I
D
P
D
T
ch
T
英镑
30
±20
100
200
150
-55½150
V
V
mA
mW
℃
℃
1.源
2.门
3.排水
K
特征
符号
等级
单位
M
SOT-23
等效电路
D
记号
LOT号
G
型号名称
KB
S
该晶体管静电敏感器件。
请谨慎操作。
电气特性（Ta = 25℃）
特征
栅极漏电流
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极阈值电压
正向转移导纳
漏源导通电阻
输入电容
反向传输电容
输出电容
开关时间
开启时间
打开-O FF时间
符号
I
GSS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
V
th
|Y
fs
|
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
on
t
关闭
测试条件
V
GS
=±16V, V
DS
=0V
I
D
=100μ V
GS
=0V
A,
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
DS
= 3V ，我
D
=0.1mA
V
DS
= 3V ，我
D
=10mA
I
D
= 10毫安，V
GS
=2.5V
V
DS
=3V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
V
DS
=3V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
V
DS
=3V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
V
DD
= 5V ，我
D
= 10毫安，V
GS
=0½5V
分钟。
-
30
-
0.5
25
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
4
8.5
3.3
9.3
50
180
马克斯。
±1
-
1
1.5
-
7
-
-
-
-
-
单位
μ
A
V
μ
A
V
mS
pF
pF
pF
nS
nS
2002. 6. 21
版本号： 1
J
最大额定值（ TA = 25 ℃ ）
C
N
1/3
KTK5132S
I
D
- V
DS
I
D
- V
DS
100
漏电流I
D
（MA ）
80
60
40
20
0
0
2
4
6
8
10
12
漏源电压V
DS
(V)
2.5V
2.2V
常见的来源
TA = 25℃
（低电压区域）
1.0
漏电流I
D
（MA ）
0.8
0.6
1.1V
2.5V
1.2V
1.15V
常见
来源
TA = 25℃
2.0V
1.8V
1.6V
1.4V
V
GS
=1.2V
0.4
0.2
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
1.05V
1.0V
V
GS
=0.9V
0.5
0.6
漏源电压V
DS
(V)
I
DR
- V
DS
反向漏电流I
DR
（MA ）
100
V
GS
=0
TA = 25℃
D
G
S
I
DR
I
D
- V
GS
100
漏电流I
D
（MA ）
30
10
C
30
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0
-0.4
-0.8
常见的来源
常见的来源
V
DS
=3V
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0
TA
100
TA = 25℃
TA = -25℃
-1.2
-1.6
1
2
3
4
5
漏源VOTAGE V
DS
(V)
门源VOTAGE V
GS
(V)
Y
fs
正向转移导纳
Y
（女士）
300
常见的来源
V
DS
=3V
TA = 25℃
- I
D
100
50
电容C （PF ）
30
C
OSS
C
国际空间站
- V
DS
常见的来源
V
GS
=0
f=1MHz
TA = 25℃
100
50
30
fs
10
5
3
C
RSS
10
5
1
3
5
10
30
50
100
漏电流I
D
（MA ）
1
0.1
0.3 0.5
1
3
5
10
20
漏源电压V
DS
(V)
2002. 6. 21
版本号： 1
2/3
KTK5132S
V
DS （ ON）
- I
D
2
漏源电压
V
DS （ ON）
(V)
1
0.5
0.3
0.1
0.05
0.03
0.01
0.005
1
3
5
10
30
50
100
10
1
3
5
常见的来源
V
GS
=2.5V
TA = 25℃
吨 - 我
D
1K
开关时间t（ NS ）
500
300
t
on
t
r
100
50
30
50
5V
V
IN
0
10s
I
D
V
OUT
R
L
t
关闭
t
f
V
DD
=5V
D.U. < 1 ％
=
V
IN
:t
r
, t
f
＆ LT ;为5ns
(Z
OUT
=50)
常见的来源
TA = 25℃
V
DD
10
30
50
100
漏电流I
D
（MA ）
漏电流I
D
（MA ）
P
D
- TA
漏极功耗P
D
（ mW）的
350
300
250
200
150
100
50
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
周围温度Ta （℃）
开关时间测试电路
I
D
5V
V
IN
0
10s
V
IN
R
L
50
V
OUT
V
DD
=5V
D.U. < 1 ％
=
V
IN
:t
r
, t
f
＆ LT ;为5ns
(Z
OUT
=50)
常见的来源
TA = 25℃
V
IN
5V
10%
90%
0
V
DD
V
OUT
V
DS
（上）
10%
90%
t
r
t
on
t
关闭
t
f
V
DD
2002. 6. 21
版本号： 1
3/3
查看更多KTK5132SPDF信息
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K4S281632C
KM62U256DLE-L
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