【半导体技术参数超高速开关应用模拟开关应用特点2.5栅极驱动。低阈值电压： Vth=-0.5 -1.5】,IC型号KTJ6131E,KTJ6131E PDF资料,KTJ6131E经销商,ic,电子元器件-51电子网

半导体

技术参数

超高速开关应用

模拟开关应用

特点

2.5栅极驱动。

低阈值电压： V

=-0.5 -1.5V.

高速。

小包装。

增强模式。

KTJ6131E

P沟道MOS场

场效应晶体管

暗淡

MILLIMETERS

1.60 + 0.10

0.85 + 0.10

0.70 + 0.10

0.27+0.10/-0.05

1.60 + 0.10

1.00 + 0.10

0.50

0.13 + 0.05

最大额定值（ TA = 25

特征

漏源电压

栅源电压

直流漏电流

漏极功耗

通道温度

存储温度范围

)

符号

GSS

英镑

等级

-30

-50

100

150

-55 150

单位

1.源

2.门

3.排水

ESM

等效电路

记号

型号名称

该晶体管静电敏感器件。

请谨慎操作。

电气特性（ TA = 25 ）

特征

栅极漏电流

漏源击穿电压

排水截止电流

栅极阈值电压

正向转移导纳

漏源导通电阻

输入电容

反向传输电容

输出电容

开关时间

开启时间

打开-O FF时间

符号

GSS

（ BR ） DSS

DSS

DS （ ON）

国际空间站

RSS

OSS

关闭

测试条件

16V, V

=0V

分钟。

-30

-0.5

典型值。

10.4

2.8

8.4

0.15

0.13

马克斯。

-1

-1.5

单位

= -100 A，V

=0V

=-30V, V

=0V

= -3V ，我

=-0.1mA

= -3V ，我

=-10mA

= -10mA ，V

=-2.5V

=-3V, V

= 0V ， F = 1MHz的

=-3V, V

= 0V ， F = 1MHz的

=-3V, V

= 0V ， F = 1MHz的

= -3V ，我

= -10mA ，V

=0 -2.5V

2003. 6. 23

版本号： 0

1/3

KTJ6131E

- V

-50

漏电流I

（MA ）

-40

-30

-20

-10

-2

-4

-6

-2.5V

-2.4V

-2.2V

-2.0V

-1.8V

-1.6V

-1.4V

=-1.2V

常见的来源

TA = 25℃

- V

（低电压区域）

-1.0

漏电流I

（MA ）

-0.8

-0.6

-0.4

-0.2

-0.1

-0.2

-0.3

-2.5V

-1.3V

常见的来源

TA = 25℃

-1.2V

-1.15V

-1.1V

-1.05V

-1.0V

=-0.9V

-8

-10

-0.4

-0.5

漏源电压V

(V)

栅极 - 源极电压V

(V)

- V

反向漏电流I

（MA ）

-50

-30

-10

-3

-1

-0.3

-0.1

-0.03

-0.01

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

常见的来源

- V

-50

-30

漏电流I

（MA ）

-10

-3

-1

-0.3

-0.1

-0.03

-0.01

-1

-2

-3

-4

-5

TA = 100℃

TA = 25℃

TA = -25℃

常见的来源

=-3V

漏源VOTAGE V

(V)

门源VOTAGE V

(V)

正向转移导纳

（女士）

100

常见的来源

=-3V

TA = 25℃

- I

电容C （PF ）

- V

常见的来源

f=1MHz

TA = 25℃

国际空间站

OSS

RSS

-1

-3

-5

-10

-30 -50

-100

漏电流I

（MA ）

0.5

-0.1

-0.3 -0.5

-1

-3

-5

-10

-20

漏源电压V

(V)

2003. 6. 23

版本号： 0

2/3

KTJ6131E

DS （ ON）

- I

-3K

漏源电压

DS （ ON）

（毫伏）

-1K

-500

-300

-100

-50

-30

-10

常见的来源

=-2.5V

TA = 25℃

吨 - 我

开关时间t（ NS ）

500

300

OUT

关闭

100

-2.5V

10s

-1

-3

-5

-10

-30 -50

-100

-0.3

=-3V

D.U. < 1 ％

, t

＆ LT ;为5ns

OUT

=50)

常见的来源

TA = 25℃

-1

-3

-10

-30 -50

漏电流I

（MA ）

漏电流I

（MA ）

- TA

漏极功耗P

（ mW）的

350

300

250

200

150

100

120

140

160

周围温度Ta （℃）

开关时间测试电路

OUT

-2.5V

10s

=-3V

D.U. < 1 ％

, t

＆ LT ;为5ns

OUT

=50)

常见的来源

TA = 25℃

10%

-2.5V

90%

10%

关闭

（上）

OUT

2003. 6. 23

版本号： 0

3/3

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