半导体
技术参数
达林顿晶体管。
电磁驱动器。电机驱动器。
A
KTD2686
外延平面NPN晶体管
特点
高直流电流增益
: h
FE
= 2000 (最小值)(V
CE
= 2V ,我
C
=1A)
C
H
G
J
B
E
最大额定值( TA = 25
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极电源
耗散
结温
存储温度范围
t=10S
DC
DC
脉冲
)
等级
50
60
8
1
3
0.5
2.5
1
150
-55 150
10
单位
V
V
V
A
A
W
D
K
F
F
D
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
*
T
j
T
英镑
1
2
3
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
MILLIMETERS
4.70 MAX
_
2.50 + 0.20
1.70最大
0.45+0.15/-0.10
4.25最大
_
1.50 + 0.10
0.40 TYP
1.75最大
0.75分钟
0.5+0.10/-0.05
1.基地
2.收集器(散热片)
3.辐射源
SOT-89
*邮编:包安装在FR4电路板(铜面积: 645 ,环氧玻璃, T = 1.6 )
等效电路
集热器
记号
LOT号
型号名称
A2
BASE
5k
300
辐射源
电气特性( TA = 25 )
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
启动时间
开关
时间
贮存时间
下降时间
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
V
( BR ) CEO
h
FE
V
CE ( SAT )
1
V
CE ( SAT )
2
V
BE ( SAT )
t
on
20s
测试条件
V
CB
= 45V ,我
E
=0
V
CE
= 45V ,我
B
=0
V
EB
= 8V ,我
C
=0
I
C
= 10毫安,我
B
=0
V
CE
= 2V ,我
C
=1A
I
C
= 0.5A ,我
B
=1mA
I
C
= 1A ,我
B
=1mA
I
C
= 1A ,我
B
=1mA
V
CC
=30V
30
分钟。
-
-
0.8
50
2000
-
-
-
-
产量
典型值。
-
-
-
60
-
-
-
-
0.4
4.0
0.6
马克斯。
10
10
4
70
-
1.2
1.5
2.0
-
-
-
单位
A
A
mA
V
V
V
t
英镑
t
f
5V
输入
0V
占空比< 1 %
=
-
-
S
2004. 11. 22
版本号: 1
1/2