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半导体
技术参数
一般工业用途。
切换应用程序。
B
KTC945
外延平面NPN晶体管
C
特点
: h
FE
(I
C
=0.1mA)/h
FE
(I
C
=2mA)=0.95(Typ.)
低噪音： NF = 1分贝（典型值） 。在f = 1kHz时
补充KTA733 。
K
D
E
G
N
A
优秀
FE
线性度。
最大额定值（ TA = 25
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
等级
60
50
5
150
625
150
-55
150
单位
V
L
F
H
F
1
2
3
V
V
mA
mW
M
C
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
MILLIMETERS
4.70 MAX
4.80 MAX
3.70 MAX
0.45
1.00
1.27
0.85
0.45
_
14.00 + 0.50
0.55最大
2.30
0.45最大
1.00
J
1.发射器
2.收集
3. BASE
TO-92
电气特性（ TA = 25 ）
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
噪声系数
注：H
FE
分类
R:90 180,
Q:135
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
（注）
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
C
ob
NF
270,
测试条件
I
C
= 100 A，I
E
=0
I
C
= 1mA时，我
B
=0
I
E
= 100 A，I
C
=0
V
CB
= 60V ，我
E
=0
V
EB
= 5V ，我
C
=0
V
CE
= 6V ，我
C
=2mA
I
C
= 100mA时我
B
=10mA
I
C
= 100mA时我
B
=10mA
V
CE
= 10V ，我
C
=10mA
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
V
CE
= 6V ，我
C
= 0.1毫安RG = 10K ， F = 1kHz时
P:200 400,
K:300 600
分钟。
60
50
5
-
-
90
-
-
80
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
0.1
-
300
2.0
1.0
马克斯。
-
-
-
0.1
0.1
600
0.25
1.0
-
3.5
10
V
V
兆赫
pF
dB
单位
V
V
V
A
A
2001. 9. 14
版本号： 2
1/2
KTC945
I
C
- V
CE
240
h
FE
- I
C
常见
辐射源
TA = 25℃
1k
常见
集电极电流I
C
（MA ）
2.0
直流电流增益
FE
200
160
6.0
5.0
3.0
500
300
TA = 100℃
TA = 25℃
TA = -25℃
辐射源
V
CE
=6V
1.0
120
80
40
0
0
1
2
3
4
0.5
I
B
=0.2mA
0
5
6
7
100
50
30
V
CE
=1V
10
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
V
CE （ SAT ）
- I
C
集电极 - 发射极饱和
电压V
CE （ SAT ）
(V)
常见
辐射源
I
C
/I
B
=10
f
T
- I
E
过渡频率f
T
（兆赫）
3k
1k
500
300
100
50
30
10
-0.1
共发射极
V
CE
=10V
TA = 25℃
3
1
0.5
0.3
0.1
0.05
0.03
0.01
0.1
TA = 100℃
25 C
-25 C
0.3
1
3
10
30
100
300
-0.3
-1
-3
-10
-30
-100
-300
集电极电流I
C
（MA ）
发射极电流I
E
（MA ）
I
B
- V
BE
1k
300
100
Ta=2
PC - TA
集电极耗散功率
P
C
（ mW）的
700
600
500
400
300
200
100
0
0
25
50
75
100
125
150
175
3k
基极电流I
B
(A)
常见
辐射源
V
CE
=6V
30
10
3
1
0.3
0
0.2
0.4
Ta=1
00 C
0.6
TA = -
5 C
25 C
0.8
1.0
1.2
基极 - 发射极电压V
BE
(V)
周围温度Ta （℃）
2001. 9. 14
版本号： 2
2/2
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