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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符K型号页 > 首字符K的型号第191页 > KTC8050S
半导体
技术参数
高电流应用。
特征
补充KTC8550S 。
L
KTC8050S
外延平面NPN晶体管
E
B
L
2
3
最大额定值（ TA = 25
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
发射极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
E
P
C
*
T
j
T
英镑
等级
35
30
5
800
-800
350
150
-55 150
0.6
)
单位
V
1
P
P
N
C
V
V
mA
mA
mW
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
N
P
MILLIMETERS
_
2.93 + 0.20
1.30+0.20/-0.15
1.30最大
0.45+0.15/-0.05
2.40+0.30/-0.20
1.90
0.95
0.13+0.10/-0.05
0.00 ~ 0.10
0.55
0.20 MIN
1.00+0.20/-0.10
7
A
G
H
M
1.发射器
2.基
3.收集
K
* P
C
：包安装于99.5 ％的氧化铝（ 10 8
SOT-23
记号
h
FE
秩
LOT号
型号名称
BK
电气特性（ TA = 25 ）
特征
集电极截止电流
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
注：H
FE
（ 1 ）分类
C : 100 200,
D : 150
符号
I
CBO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
h
FE
（1）（注）
h
FE
(2)
V
CE （ SAT ）
V
BE
f
T
C
ob
300
测试条件
V
CB
= 15V ，我
E
=0
I
C
= 0.5毫安，我
E
=0
I
C
= 1mA时，我
B
=0
V
CE
= 1V ，我
C
=50mA
V
CE
= 1V ，我
C
=350mA
I
C
= 500毫安，我
B
=20mA
V
CE
= 1V ，我
C
=500mA
V
CE
= 5V ，我
C
=10mA
V
CB
= 10V ， F = 1MHz时，我
E
=0
分钟。
-
35
30
100
60
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
120
13
马克斯。
50
-
-
300
-
0.5
1.2
-
-
V
V
兆赫
pF
单位
nA
V
V
2002. 9. 3
版本号： 0
J
D
1/1
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供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    KTC8050S
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