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半导体
技术参数
低噪声放大器应用。
特点
高电压： V
首席执行官
=120V.
优秀
FE
线性
: h
FE
(0.1mA)/h
FE
(2mA)=0.95(Typ.).
A
L
KTC3911S
外延平面NPN晶体管
E
B
L
低噪音： NF = 1分贝（典型值） ， 10分贝（最大） 。
补充KTA1517S 。
G
高
FE
: h
FE
=200 700.
2
3
1
P
P
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
N
P
MILLIMETERS
_
2.93 + 0.20
1.30+0.20/-0.15
1.30最大
0.45+0.15/-0.05
2.40+0.30/-0.20
1.90
0.95
0.13+0.10/-0.05
0.00 ~ 0.10
0.55
0.20 MIN
1.00+0.20/-0.10
7
C
N
H
最大额定值（ TA = 25
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
120
120
5
100
20
150
150
-55
150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
K
M
1.发射器
2.基
3.收集
SOT-23
记号
h
FE
秩
型号名称
LOT号
AD
电气特性（ TA = 25 ）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
噪声系数
注：H
FE
分类
GR （G ） ： 200 400
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
（注）
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
NF
测试条件
V
CB
= 120V ，我
E
=0
V
EB
= 5V ，我
C
=0
V
CE
= 6V ，我
C
=2mA
I
C
= 10毫安，我
B
=1mA
V
CE
= 6V ，我
C
=1mA
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
V
CE
= 6V ，我
C
=0.1mA
F = 1kHz时， RG = 10K
分钟。
-
-
200
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
100
4.0
1.0
马克斯。
0.1
0.1
700
0.3
-
-
10
V
兆赫
pF
dB
单位
A
A
BL （ L） ： 350 700
2001. 2. 24
版本号： 3
J
D
1/3
KTC3911S
I
C
- V
CE
4
集电极电流I
C
（MA ）
直流电流增益
FE
共发射极
TA = 25℃
10
9
8
7
6
5
4
3
2
I
B
=1A
0
h
FE
- I
C
1k
500
300
TA = 100℃
TA = 25℃
TA = -25℃
3
2
100
50
30
共发射极
V
CE
=6V
1
0
10
10
0.3
1
3
10
30
100
400
集电极电流I
C
（MA ）
0
2
4
6
8
集电极发射极电压V
CE
(V)
V
CE （ SAT ）
- I
C
集电极发射极饱和
电压V
CE （ SAT ）
(V)
1
0.5
0.3
集电极电流I
C
（MA ）
共发射极
I
C
/I
B
=10
I
C
- V
BE
200
160
120
Ta=1
00 C
共发射极
V
CE
=6V
0.1
0.05
0.03
80
40
0
0
0.2
0.4
25
-25
0.01
0.3
1
3
10
30
100
400
0.6
Ta=25
C
TA = -25℃
TA = 100℃
0.8
1.0
1.2
集电极电流I
C
（MA ）
基极 - 发射极电压V
BE
(V)
C
ob
- V
CB
集电极输出电容
C
ob
（PF ）
50
30
f=1MHz
I
E
=0
TA = 25℃
-h参数 - V
CE
500
300
h
fe
100
-h参数
30
10
5
3
共发射极
I
E
=-1mA
f=270Hz
TA = 25℃
h
ie
（ xkΩ ）
h
re
(x10
-5
)
h
oe
(x
)
10
3
1
0
10
20
30
40
50
60
70
80
1
1
3
10
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
30
100
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
2001. 2. 24
版本号： 3
2/3
KTC3911S
-h参数 - 我
E
1k
500
300
-h参数
100
50
30
10
5
3
1
-10
信号源电阻R
g
()
常见
辐射源
V
CE
=6V
f=270Hz
NF - R的
g
, I
C
100k
共发射极
V
CE
=6V
12
f=10Hz
10
8
NF
=1
d
NF
=1d
B
2
3
h
fe
10k
h
h
re
ie
(
x
B
4
6
(
x
1
k
)
)
2
3
0
-5
1k
h
oe
(x )
100
10
12
8
6
4
-50 -100
-300
发射极电流I
E
(A)
NF - R的
g
, I
C
信号源电阻R
g
()
100k
共发射极
V
CE
=6V
f=1kHz
集电极耗散功率P
C
（ mW）的
10k
1k
100
10
12
NF
=1
d
2
B
3
4
6
8
10
10
100
1k
10k
集电极电流I
C
(A)
2001. 2. 24
版本号： 3
-1000 -3000
-10000
10
10
100
1k
10k
集电极电流I
C
(A)
12 0
1 8
6
4
P
C
- TA
400
NF
3
=1
dB
2
300
200
100
0
0
25
50
75
100
125
150
周围温度Ta （℃）
3/3
半导体
标识特定网络阳离子
1.标记方法
激光打标
KTC3911S
SOT- 23封装
2.标记
1
ADG
1
2
号
项
马克设备
级的hFE
*批号
记号
AD
G
01
0
描述
KTC3911S
G，L
2002年第1周
[ 0 ：第1个字符， 1 ：第2个字符]
5
(E)
E
(5)
6
(F)
F
(6)
Periode （年）
7
(G)
G
(7)
注）*批号标注方法
性格
安排
YEAR
1个字符
第2个字符
1
(A)
A
(1)
2
(B)
B
(2)
3
(C)
C
(3)
4
(D)
D
(4)
8
(H)
H
(8)
9
(I)
I
(9)
备注
0
(J)
J
(0)
标记（周）
01
0A
J1
JA
02
0B
J2
JB
51
5A
E1
EA
52
5B
E2
EB
第1年（ 2002年）
第二年（2003年）
第三年（ 2004年）
第4年（2005年）
2002-2006-2010...
2003-2007-2011...
2004-2008-2012...
2005-2009-2013...
旋转4年
2003. 4. 1
版本号： 1
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