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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
KTC3229
描述
·带
TO- 220F封装
高
电压： V
首席执行官
=300V
应用
For
彩电色度输出应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 220F ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散
结温
储存温度
T
a
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
300
300
5
0.1
20
2
150
-55~150
单位
V
V
V
A
mA
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
CESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
C
OB
参数
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
条件
I
C
= 10毫安;我
B
=1mA
V
CB
= 240V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 0.5毫安; V
CE
=10V
I
C
= 20mA下; V
CE
=10V
I
C
= 20mA下; V
CE
=20V
f=1MHz;V
CB
=20V
20
30
75
民
KTC3229
典型值。
最大
1.0
1.0
1.0
单位
V
μA
μA
200
兆赫
4.0
pF
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
KTC3229
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
KTC3229
4
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
KTC3229
描述
·带
TO- 220F封装
高
电压： V
首席执行官
=300V
应用
For
彩电色度输出应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 220F ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
固电
IN
集电极 - 基极电压
导½
半
发射极开路
开基
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散
的HAn
C
ES
G
ON
MIC
E
条件
OR
DUT
价值
300
300
5
0.1
20
单位
V
V
V
A
mA
W
℃
℃
集电极开路
T
a
=25℃
2
150
-55~150
结温
储存温度
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
CESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
C
OB
参数
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
条件
I
C
= 10毫安;我
B
=1mA
V
CB
= 240V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 0.5毫安; V
CE
=10V
I
C
= 20mA下; V
CE
=10V
I
C
= 20mA下; V
CE
=20V
f=1MHz;V
CB
=20V
20
30
75
民
KTC3229
典型值。
最大
1.0
1.0
1.0
单位
V
μA
μA
200
兆赫
4.0
pF
固电
IN
ES
昂
CH
导½
半
ON
MIC
E
OR
DUT
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
KTC3229
固电
IN
ES
昂
CH
导½
半
ON
MIC
E
OR
DUT
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
KTC3229
固电
IN
ES
昂
CH
导½
半
ON
MIC
E
OR
DUT
4
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
KTC3229
描述
·采用TO- 220F封装
·高电压： V
首席执行官
=300V
应用
·对于彩电色度输出应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 220F ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散
结温
储存温度
T
a
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
300
300
5
0.1
20
2
150
-55~150
单位
V
V
V
A
mA
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
条件
I
C
= 10毫安;我
B
=1mA
V
CB
= 240V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 0.5毫安; V
CE
=10V
I
C
= 20mA下; V
CE
=10V
I
C
= 20mA下; V
CE
=20V
f=1MHz;V
CB
=20V
20
30
75
民
KTC3229
符号
V
CESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
C
OB
典型值。
最大
1.0
1.0
1.0
单位
V
A
A
200
兆赫
4.0
pF
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
KTC3229
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
KTC3229
4
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KM681002A-12
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