【半导体技术参数高电流的应用相机频闪（电子闪光单元）AKTC3072D/L外延平面NPN晶体管IJ特点】,IC型号KTC3072D,KTC3072D PDF资料,KTC3072D经销商,ic,电子元器件-51电子网

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半导体

技术参数

高电流的应用

相机频闪（电子闪光单元）

A

KTC3072D/L

外延平面NPN晶体管

I

J

特点

低饱和电压： V

CE （ SAT ）

= 0.4V （最大）（ IC = 3A ）

在低电源电压高性能。

C

最大额定值（ TA = 25

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集热器

当前

DC

脉冲（注1）

)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CP

P

C

T

j

T

英镑

等级

40

20

7

5

8

1.0

150

-55 150

单位

V

V

V

A

W

H

F

1

2

F

3

P

L

暗淡

A

B

C

D

E

F

H

I

J

K

L

M

O

P

Q

MILLIMETERS

_

6.60 + 0.2

_

6.10 + 0.2

_

5.0 + 0.2

_

1.10 + 0.2

_

2.70 + 0.2

_

2.30 + 0.1

1.00最大

_

2.30 + 0.2

_

0.5 + 0.1

_

2.00 + 0.20

_

0.50 + 0.10

_

0.91+ 0.10

_

0.90 + 0.1

_

1.00 + 0.10

0.95最大

B

K

E

M

Q

D

1.基地

2.收集

3.辐射源

DPAK

集电极耗散功率

结温

存储温度范围

A

C

I

J

注1 ：脉冲宽度100毫秒，占空比30 ％

Q

K

D

O

H

G

P

F

F

L

1

2

3

暗淡

A

B

C

D

E

F

G

H

I

J

K

L

P

Q

MILLIMETERS

_

6.60

+

0.2

_

6.10

+

0.2

_

5.0

+

0.2

_

1.10

+

0.2

_

9.50

+

0.6

_

2.30

+

0.1

_

0.76

+

0.1

1.0 MAX

_

2.30

+

0.2

_

0.5

+

0.1

_

2.0

+

0.2

_

0.50

+

0.1

_

1.0

+

0.1

0.90最大

1.基地

2.收集

3.辐射源

E

B

电气特性（ TA = 25 ）

特征

集电极基极击穿电压

集电极发射极击穿电压（ 1 ）

发射极基极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

跃迁频率

集电极输出电容

注1 ：H

FE

（ 1 ）分类

○： 120 240 ， Y： 200

符号

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） EBO

I

CBO

I

EBO

h

FE

(1)(Note1)

h

FE

(2)

V

CE （ SAT ）

f

T

C

ob

测试条件

I

C

= 100 A，I

E

=0

I

C

= 1mA时，我

B

=0

I

E

= 10 A，I

C

=0

V

CB

= 20V ，我

E

=0

V

EB

= 7V ，我

C

=0

V

CE

= 2V ，我

C

=0.5A

V

CE

= 2V ，我

C

=2A

I

C

= 3A ，我

B

=60mA(Pulse)

V

CE

= 6V ，我

C

=50mA

V

CB

= 20V ， F = 1MHz时，我

E

=0

分钟。

40

20

7

-

-

120

100

-

20

-

IPAK

典型值。

-

-

-

-

-

-

-

-

100

-

马克斯。

-

-

-

100

100

700

-

0.4

-

50

单位

V

V

V

nA

nA

V

兆赫

pF

400 ， GR ： 350 700

2003. 3. 27

版本号： 3

1/3

KTC3072D/L

集电极耗散功率P

C

(W)

PC - TA

1.6

集电极电流I

C

(A)

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

0

20

40

60

80

100

120

140

160

Ta

=2

5

C

I

C

- V

CE

3.4

3.2

2.8

2.4

2.0

1.6

1.2

0.8

0.4

0

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

TA = 25℃

7mA

6mA

5mA

4mA

3mA

2mA

I

B

=1mA

2.4

2.8

周围温度Ta （℃）

集电极 - 发射极电压V

CE

(V)

I

C

- V

BE

8

集电极电流I

C

(A)

集电极电流I

C

(A)

7

6

5

4

3

2

1

0

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

V

CE

=10V

TA = 25℃

I

C

- V

CE （ SAT ）

8

7

6

5

4

3

2

1

0

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

I

C

/I

B

=30

TA = 25℃

基极 - 发射极电压V

BE

(V)

集电极 - 发射极饱和

电压V

CE （ SAT ）

(V)

h

FE

- I

C

700

600

500

400

300

200

100

0

0.01

0.03

0.1

0.3

1

3

10

V

CE

=2V

TA = 25℃

f

T

-

过渡频率f

T

（兆赫）

400

I

E

V

CE

=6V

TA = 25℃

800

直流电流增益

FE

300

200

100

0

0.01

0.03

0.1

0.3

1

3

10

集电极电流I

C

(A)

发射极电流I

E

(A)

2003. 3. 27

版本号： 3

2/3

KTC3072D/L

C

ob

- V

CB

输出电容C

ob

（PF ）

100

80

60

40

20

0

集电极电流I

C

(A)

I

E

=0

f=1MHz

TA = 25℃

安全工作区

100

30

10

3

1

0.3

0.1

0.03

0.01

0.1

I

C

MAX 。（脉冲） *

I

C

马克斯。

t=

1

1

t=

s*

0m

s*

*单不重复

PULSE TC = 25℃

曲线必须降低

线性增长

在温度。

1

3

5

10

30

50

100

0.3

1

3

10

30

100

集电极 - 基极电压V

CB

(V)

集电极 - 发射极电压V

CE

(V)

2003. 3. 27

版本号： 3

3/3

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