【半导体技术参数微电机驱动，锤驱动应用。电源开关应用。功率放大器应用。特点高直流电流增益: hFE= 】,IC型号KTB2234,KTB2234 PDF资料,KTB2234经销商,ic,电子元器件-51电子网

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半导体

技术参数

微电机驱动，锤驱动应用。

电源开关应用。

功率放大器应用。

特点

高直流电流增益

: h

FE

= 200 （分钟）（V

CE

= -2V ，我

C

=-1A)

P

深度： 0.2

C

KTB2234

外延平面PNP晶体管

B

D

A

低饱和电压

: V

CE （ SAT ）

= -1.5V （最大）（我

C

= -1A ，我

B

=-1mA)

补充KTD2854 。

S

Q

K

暗淡

A

B

C

D

E

F

G

H

J

K

L

M

N

O

P

Q

R

S

MILLIMETERS

7.20 MAX

5.20最大

0.60 MAX

2.50 MAX

1.15最大

1.27

1.70最大

0.55最大

_

14.00 + 0.50

0.35 MIN

_

0.75 + 0.10

4

G

J

F

H

M

E

F

H

M

L

R

H

最大额定值（ TA = 25

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

集电极耗散功率

结温

存储温度范围

DC

PEAK

)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CP

I

B

P

C

T

j

T

英镑

等级

-100

-100

-8

-2

-3

-0.5

1

150

-55

150

单位

V

V

V

O

N

1

2

3

N

H

1.发射器

2.收集

3. BASE

25

1.25

Φ1.50

0.10最大

_

12.50 + 0.50

1.00

TO-92L

A

A

W

等效电路

集热器

BASE

4k

800

D

辐射源

电气特性（ TA = 25 ）

特征

集电极截止电流

发射极截止电流

集电极 - 发射极击穿电压

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

跃迁频率

集电极输出电容

启动时间

开关

时间

贮存时间

下降时间

符号

I

CBO

I

EBO

V

（ BR ） CEO

h

FE

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

f

T

C

ob

t

on

t

英镑

t

f

0

I

B1

20s

占空比< 1 ％

=

-I

B1

=I

B2

=1mA

V

CC

=-30V

测试条件

V

CB

= -80V ，我

E

=0

V

EB

= -8V ，我

C

=0

I

C

= -10mA ，我

B

=0

V

CE

= -2V ，我

C

=-1A(Pulse)

I

C

= -1A ，我

B

=-1mA(Pulse)

I

C

= -1A ，我

B

=-1mA(Pulse)

V

CE

= -2V ，我

C

=-0.5A

V

CB

= -10V ，我

E

= 0中，f = 1MHz的

I

B2

输入

I

B1

I

B2

产量

分钟。

-

-

-100

2000

-

-

-

-

-

-

-

典型值。

-

-

-

-

-

-

50

27

0.4

2.0

0.4

马克斯。

-10

-4

-

-

-1.5

-2.0

-

-

-

-

-

单位

A

mA

V

V

V

兆赫

pF

30

S

2001. 10. 23

版本号： 0

1/3

KTB2234

I

C

- V

CE

-4

集电极电流I

C

(A)

共发射极

TA = 25℃

-1000

A

h

FE

- I

C

10K

直流电流增益

FE

A

-800

-500

A

-400

A

-300

A

-3

3K

Ta

00

=1

C

-2

1K

500

300

C

5

=2

Ta

C

-55

TA

-1

-250A

I

B

=-200A

共发射极

0

0

-1

-2

-3

-4

-5

集电极 - 发射极电压V

CE

(V)

100

-0.03

V

CE

=-2V

-0.1

-0.3

-

1

-3

-10

集电极电流I

C

(A)

V

CE （ SAT ）

- I

C

集电极 - 发射极饱和

电压V

CE （ SAT ）

(V)

-5

-3

基射极饱和

电压V

BE （ SAT ）

(V)

共发射极

I

C

/I

B

=1000

V

BE （ SAT ）

- I

C

-5

-3

共发射极

I

C

/I

B

=1000

TA = -55℃

TA = 25℃

0

Ta=10

C

-1

TA = 25℃

TA = -55℃

C

Ta=100

-1

-0.5

-0.3

-0.2

-0.5

-0.3

-0.3

-0.5

-1

-3

-0.2

-0.3

-0.5

-1

-3

集电极电流I

C

(A)

集电极电流I

C

(A)

I

C

- V

BE

集电极电流I

C

(A)

共发射极

V

CE

=-2V

PC - TA

集电极耗散功率

P

C

（ mW）的

-2.0

-2.4

-3.0

1200

1000

800

600

400

200

0

0

40

80

120

160

200

周围温度Ta （℃）

-3.0

-2.5

-2.0

100

5 C

-1.5

-1.0

-0.5

0

C

0

-0.4

-0.8

-1.2

-1.6

基极 - 发射极电压V

BE

(V)

2001. 10. 23

版本号： 0

Ta=-55

Ta=2

TA

C

2/3

KTB2234

安全工作区

-5

-3

集电极电流I

C

(A)

I

C

MAX （脉冲）

s

10 0

1m

10m

-1

-0.5

-0.3

s

s

V

首席执行官

（最大）

单非重复性

PULSE TC = 25℃

曲线必须降低

线性地增加

温度

-0.1

-0.05

-0.03

-0.5

-1

-3

-10

-30

-100

-200

集电极 - 发射极电压V CE （ V）

2001. 10. 23

版本号： 0

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