【半导体技术参数一般工业用途。切换应用程序。特点阿超minimold封装的房子2个晶体管。在H高配对财】,IC型号KTA711E,KTA711E PDF资料,KTA711E经销商,ic,电子元器件-51电子网

半导体

技术参数

一般工业用途。

切换应用程序。

特点

阿超minimold封装的房子2个晶体管。

在H高配对财产

该follwing特点是常见的Q

, Q

KTA711E

外延平面PNP晶体管

这两个晶体管之间具有良好的温度响应。

暗淡

MILLIMETERS

1.6 + 0.05

1.0 + 0.05

1.6 + 0.05

1.2 + 0.05

0.50

0.2 + 0.05

0.5 + 0.05

0.12 + 0.05

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

集电极耗散功率

结温

存储温度范围

*总分

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

等级

-50

-5

-150

-30

200

150

-55

150

单位

1. Q

2. Q

3. Q

4. Q

5. Q

6. Q

辐射源

BASE

集热器

BASE

集热器

最大额定值（ TA = 25

)

TES6

等效电路（顶视图）

电气特性（ TA = 25

特征

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

跃迁频率

集电极输出电容

噪声系数

CBO

EBO

)

测试条件

= -50V ，我

= -5V ，我

= -6V ，我

=-2

=-100

, I

=-10

分钟。

120

， RG = 10

典型值。

-0.1

1.0

型号名称

符号

马克斯。

-0.1

400

-0.30

单元。

（注）

CE （ SAT ）

= -10V ，我

=-1

= -10V ，我

=0, f=1

= -6V ，我

=-0.1 , f=1

注：H

分类Y（ 4）：120 240 ，GR （6）： 200 400

记号

秩

2001. 8. 3

版本号： 0

1/3

KTA711E

- V

-240

集电极电流I

（MA ）

=-2.0mA

共发射极

TA = 25℃

=-1.5mA

=-1.0mA

- I

共发射极

直流电流增益

-200

-160

-120

-80

-40

500

300

TA = 100℃

TA = 25℃

=-6V

=-0.5mA

=-0.2mA

=0mA

100

TA = -25℃

=-1V

-1

-2

-3

-4

-5

-6

-7

-0.1

-0.3

-1

-3

-10

-30

-100

-300

集电极 - 发射极电压V

(V)

集电极电流I

（MA ）

CE （ SAT ）

- I

集电极 - 发射极饱和

电压V

CE （ SAT ）

(V)

-1

-0.5

-0.3

基射极饱和

电压V

BE （ SAT ）

(V)

共发射极

=10

BE （ SAT ）

- I

-10

-5

-3

共发射极

=10

TA = 25℃

-0.1

-0.05

-0.03

-1

-0.5

-0.3

TA = 25℃

TA = -25℃

-0.01

-0.1

-0.3

-1

-3

-10

-30

-100

-300

-0.1

-0.3

-1

-3

-10

-30

-100

-300

集电极电流I

（MA ）

集电极电流I

（MA ）

- I

过渡频率f

（兆赫）

500

300

100

-0.1

共发射极

=-10V

TA = 25℃

- V

-1k

基极电流I

(A)

-300

-100

00 C

5 C

Ta=2

共发射极

=-6V

-10

-3

-1

-0.3

-0.2

-0.3

-1

-3

-10

-30

-100

-300

-0.4

-0.6

Ta=-2

Ta=1

5 C

-30

-0.8

-1.0

-1.2

集电极电流I

（MA ）

基极 - 发射极电压V

(V)

2001. 8. 3

版本号： 0

2/3

KTA711E

集电极耗散功率P

（ mW）的

PC - TA

250

200

150

100

125

150

周围温度Ta （℃）

2001. 8. 3

版本号： 0

3/3

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