半导体
技术参数
一般工业用途。
切换应用程序。
KTA2014V
外延平面PNP晶体管
E
特点
优秀
FE
线性
: h
FE
(0.1mA)/h
FE
(2mA)=0.95(Typ.).
补充KTC4075V 。
非常小的封装。
A
G
B
1
H
3
K
P
P
最大额定值（ TA = 25
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
-50
-50
-5
-150
-30
100
150
-55
150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
C
1.发射器
2.基
3.收集
VSM
记号
型号名称
h
FE
秩
S
电气特性（ TA = 25 ）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
噪声系数
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
（注）
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
NF
测试条件
V
CB
= -50V ，我
E
=0
V
EB
= -5V ，我
C
=0
V
CE
= -6V ，我
C
=-2mA
I
C
= -100mA ，我
B
=-10mA
V
CE
= -10V ，我
C
=-1mA
V
CB
= -10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
V
CE
= -6V ，我
C
=-0.1mA
F = 1kHz时， RG = 10K
400
分钟。
-
-
70
-
80
-
-
典型值。
-
-
-
-0.1
-
4
1.0
J
D
低噪音： NF = 1分贝（典型值） ， 10分贝（最大） 。
2
DIM毫米
_
A
1.2 +0.05
_
B
0.8 +0.05
_
C
0.5 + 0.05
_
D
0.3 + 0.05
_
E
1.2 + 0.05
_
G
0.8 + 0.05
H
0.40
_
J
0.12 + 0.05
_
K
0.2 + 0.05
P
5
马克斯。
-0.1
-0.1
400
-0.3
-
7
10
单位
A
A
V
兆赫
pF
dB
注：H
FE
分类O（ 2 ） ： 70 140 ， Y（ 4 ） ： 120 240 ， GR （ 6 ） ： 200
2001. 7. 20
版本号： 0
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