半导体
技术参数
一般工业用途。
切换应用程序。
特点
优秀
h
FE
线性
: h
FE
(0.1mA)/h
FE
(2mA)=0.95(Typ.).
ULOW
噪音： NF = 1分贝（典型值） ， 10分贝（最大） 。
A
G
KTA2014F
外延平面PNP晶体管
E
B
K
瘦
细间距小包装。
3
1
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
-50
-50
-5
-150
-30
50
150
-55½150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
℃
℃
1.发射器
2.基
3.收集
C
最大额定值（ TA = 25 ℃ ）
TFSM
记号
S
电气特性（Ta = 25℃）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
噪声系数
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
（注）
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
NF
测试条件
V
CB
= -50V ，我
E
=0
V
EB
= -5V ，我
C
=0
V
CE
= -6V ，我
C
=-2mA
I
C
= -100mA ，我
B
=-10mA
V
CE
= -10V ，我
C
=-1mA
V
CB
= -10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
V
CE
= -6V ，我
C
=-0.1mA
F = 1KHz时， RG = 10KΩ
分钟。
-
-
70
-
80
-
-
典型值。
-
-
-
-0.1
-
4
1.0
J
D
·补充
到KTC4075F 。
2
暗淡
A
B
C
D
E
G
J
K
MILLIMETERS
_
0.6 + 0.05
_
0.8 + 0.05
0.38+0.02/-0.04
_
0.2 + 0.05
_ 0.05
1.0 +
_
0.35+ 0.05
_ 0.05
0.1 +
_
0.15 + 0.05
型号名称
h
FE
秩
马克斯。
-0.1
-0.1
400
-0.3
-
7
10
单位
μ
A
μ
A
V
兆赫
pF
dB
注：H
FE
Classification O(2):70½140, Y(4):120½240, GR(6):200½400
2005. 4. 21
版本号： 0
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