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半导体
技术参数
特点
低集电极饱和电压。
: V
CE （ SAT ）
= 0.16V （典型值） ，在（我
C
= -4A ，我
B
=-0.05A)
大的集电极电流
: I
C
= -10A （ DC ）I
C
= -15A （ 10毫秒，单脉冲）
补充KTC5001D / L 。
Q
A
C
KTA1834D/L
外延平面PNP晶体管
I
J
H
P
F
F
2
3
L
最大额定值（ TA = 25
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基Voltag
集电极电流
基极电流
集电极电源
耗散
结温
存储温度范围
Ta=25
Tc=25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
-30
-20
-6
-10
-15
-2
1.0
10
150
Q
单位
V
V
V
A
A
W
1
暗淡
A
B
C
D
E
F
H
I
J
K
L
M
O
P
Q
MILLIMETERS
_
6.60 + 0.2
_
6.10 + 0.2
_
5.0 + 0.2
_
1.10 + 0.2
_
2.70 + 0.2
_
2.30 + 0.1
1.00最大
_
2.30 + 0.2
_
0.5 + 0.1
_
2.00 + 0.20
_
0.50 + 0.10
_
0.91+ 0.10
_
0.90 + 0.1
_
1.00 + 0.10
0.95最大
B
K
E
M
D
1.基地
2.收集
3.辐射源
DPAK
A
C
I
J
D
O
-55 150
H
G
P
F
F
L
1
2
3
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
P
Q
MILLIMETERS
_
6.60
+
0.2
_
6.10
+
0.2
_
5.0
+
0.2
_
1.10
+
0.2
_
9.50
+
0.6
_
2.30
+
0.1
_
0.76
+
0.1
1.0 MAX
_
2.30
+
0.2
_
0.5
+
0.1
_
2.0
+
0.2
_
0.50
+
0.1
_
1.0
+
0.1
0.90最大
K
1.基地
2.收集
3.辐射源
E
B
电气特性（ TA = 25 ）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
注：H
FE
（ 1 ）分类
GR ： 180 390 。
符号
I
CBO
I
EBO
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
h
FE
（1）（注）
h
FE
(2)
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
C
ob
V
CB
=-20V
V
EB
=-5V
I
C
=-50 A
I
C
=-1mA
I
E
=-50 A
V
CE
= -2V ，我
C
=-0.5A
V
CE
= -2V ，我
C
=-4.0A
I
C
= -4.0A ，我
B
=-0.05A
I
C
= -4A ，我
B
=-0.05A
V
CE
= -5V ，我
E
= 1.5A ， F = 50MHz的
V
CB
= -10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
测试条件
分钟。
-
-
-30
-20
-6
180
82
-
-
-
-
IPAK
典型值。
-
-
马克斯。
-10
-10
单位
A
A
V
V
V
-
-
-0.16
-0.9
150
220
390
-
-0.25
-1.2
-
-
V
V
兆赫
pF
2003. 3. 27
版本号： 5
1/3
KTA1834D/L
I
C
- V
BE
-10
集电极电流I
C
(A)
V
CE
=-2V
h
FE
- I
C
1k
直流电流增益
FE
500
300
V
CE
=-5V
TA = 25℃
-1
TA
150
C
5 C
Ta=-5
5 C
-0.1
Ta=2
-0.01
100
50
V
CE
=-2V
V
CE
=-1V
-0.001
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
-1.2
-1.4
30
-0.01
-0.1
-1
-10
-20
集电极发射极电压V
BE
(V)
集电极电流I
C
(A)
h
FE
- I
C
2K
1K
500
300
TA = 150℃
TA = 25℃
TA = -55℃
V
CE （ SAT ）
- I
C
-1K
集电极饱和
电压V
CE （ SAT ）
（毫伏）
V
CE
=-2V
TA = 25℃
直流电流增益
FE
-300
-100
-30
-10
-3
-0.01
I
C
/I
B
=80
40
20
100
50
30
-0.01
-0.1
-1
-10
-20
-0.03
-0.1
-0.3
-1
-3
-10 -20
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
V
CE （ SAT ）
- I
C
-1K
集电极饱和
电压V
CE （ SAT ）
(V)
-300
-100
-30
-10
-3
-0.01
TA = -55℃
TA = 25℃
TA = 150℃
I
C
/I
B
=80
V
BE （ SAT ）
- I
C
-1K
盐基饱和度
电压V
BE （ SAT ）
（毫伏）
-300
-100
-30
-10
-3
-0.01
TA = -55℃
TA = 25℃
TA = 150℃
I
C
/I
B
=80
-0.1
-1
-10 -20
-0.1
-1
-10
-20
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
2003. 3. 27
版本号： 5
2/3
KTA1834D/L
f
T
- I
E
500
300
TA = 25℃
V
CE
=-5V
f=50MHz
C
ob
- V
CE
集电极输出电容
C
ob
（PF ）
3K
TA = 25℃
f=1MHz
I
E
=0A
过渡频率f
T
（兆赫）
1k
1K
500
300
100
50
30
100
50
-0.1
-0.3
-1
-3
-10
-30
-100
10
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
发射极电流I
E
(A)
集电极 - 基极电压V
CE
(V)
C
ib
- V
EB
发射器的输入电容C
ib
（PF ）
10K
5K
3K
30
集电极电流I
C
(A)
TA = 25℃
f=1MHz
I
C
=0A
安全工作区
I
C
MAX （脉冲） *
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.01
*单不重复
PULSE TC = 25℃
曲线必须降低
线性增长
DC
*
mS
10
S *
0m
10
OP
1K
500
300
ER
A
TI
O
N
Ta
=2
5
C
100
-0.05
-0.1
-0.3
-1
-3
-10
基极 - 发射极电压V
EB
(V)
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极耗散功率PC（ W）
PC - TA
12
10
8
6
4
2
0
2
1
1锝= 25℃
2的Ta = 25℃
0
25
50
75
100
125
150
周围温度Ta （℃）
2003. 3. 27
版本号： 5
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