【半导体技术参数特征低集电极 - 发射极饱和电压VCE （ SAT ）.高集电极电流能力：我C我CP.】,IC型号KTA1572,KTA1572 PDF资料,KTA1572经销商,ic,电子元器件-51电子网

51电子网联系电话：13692101218

位置：首页 > IC型号导航 > 首字符K型号页 > 首字符K的型号第154页 > KTA1572

半导体

技术参数

特征

低集电极 - 发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

.

高集电极电流能力：我

C

我

CP

.

更高的效率，导致更小的发热。

B

KTA1572

外延平面PNP晶体管

D

暗淡

A

B

C

D

E

F

G

H

J

K

L

M

H

N

O

P

Q

R

S

MILLIMETERS

7.20 MAX

5.20最大

0.60 MAX

2.50 MAX

1.15最大

1.27

1.70最大

0.55最大

_

14.00 + 0.50

0.35 MIN

_

0.75 + 0.10

4

最大额定值（ TA = 25

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

集电极耗散功率

结温

存储温度范围

DC

脉冲

)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CP

I

B

P

C

T

j

T

英镑

等级

-120

-100

-5

-1

-3

-300

1

150

-55 150

单位

V

V

V

A

O

F

H

M

C

Q

P

深度： 0.2

A

S

K

J

F

H

E

M

3

N

L

D

R

G

mA

W

1

N

2

H

25

1.25

Φ1.50

0.10最大

_

12.50 + 0.50

1.00

1.发射器

2.收集

3. BASE

TO-92L

电气特性（ TA = 25 ）

特征

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压**

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

发射极截止电流

集电极 - 发射极截止电流

符号

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） EBO

I

CBO

I

EBO

I

CES

V

CE （ SAT ）

(1)

集电极 - 发射极饱和电压**

V

CE （ SAT ）

(2)

V

CE （ SAT ）

(3)

基射极饱和电压**

基射极Voltag

V

BE （ SAT ）

V

BE

h

FE

(1)

直流电流增益**

h

FE

(2)

h

FE

(3)

h

FE

(4)

跃迁频率

集电极输出电容

**脉冲宽度= 300秒，占空比2 ％。

f

T

C

ob

测试条件

I

C

=-100 A

I

C

=-1mA

I

E

=-100 A

V

CB

= -80V ，我

E

=0A

V

EB

= -4V ，我

C

=0A

V

CES

=-80V, V

BE

=0V

I

C

= -250mA ，我

B

=-25mA

I

C

= -500mA ，我

B

=-50mA

I

C

= -1A ，我

B

=-100mA

I

C

= -1A ，我

B

=-100mA

V

CE

= -5V ，我

C

=-1A

V

CE

= -5V ，我

C

=-1mA

V

CE

= -5V ，我

C

=-250mA

V

CE

= -5V ，我

C

=-500mA

V

CE

= -5V ，我

C

=-1A

V

CE

= -10V ，我

C

= -50mA ， F = 100MHz的

V

CB

= -10V ， F = 1MHz的

分钟。

-120

-100

-5

-

-

-

-

-

-

-

-

150

150

150

125

100

-

典型值。

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

17

马克斯。

-

-

-

-100

-100

-100

-0.12

-0.18

-0.32

-1.1

-1.0

-

-

450

-

-

-

兆赫

pF

V

V

V

单位

V

V

V

nA

nA

nA

2010. 6. 4

版本号： 0

1/3

KTA1572

V

CE （ SAT ）

- I

C

集电极 - 发射极饱和

电压V

CE （ SAT ）

(V)

-1

集电极 - 发射极饱和

电压V

CE （ SAT ）

(V)

I

C

/I

B

=10

V

CE （ SAT ）

- I

C

-1

TA = 25℃

-10

-1

TA = 100℃

-10

-1

I

C

/I

B

=50

I

C

/I

B

=20

TA = 25℃

TA = -55℃

-10

-2

-10

-1

-1

-10

-10

2

-10

3

-10

4

-10

-2

-10

-1

-1

-10

-10

2

-10

3

-10

4

集电极电流I

C

（MA ）

集电极电流I

C

（MA ）

V

BE （ SAT ）

- I

C

-10

基射极饱和

电压V

BE （ SAT ）

(V)

I

C

/I

B

=10

h

FE

- I

C

600

直流电流增益

FE

V

CE

=-10V

TA = 100℃

400

TA = 25℃

-1

TA = -55℃

TA = 25℃

TA = 100℃

200

TA = -55℃

-10

-1

-10

-1

-1

-10

-10

2

-10

3

-10

4

0

-10

-1

-1

-10

-10

2

-10

3

-10

4

集电极电流I

C

（MA ）

集电极电流I

C

（MA ）

V

BE （ SAT ）

- I

C

-10

基射极饱和

电压V

BE （ SAT ）

(V)

I

C

/I

B

=20

TA = 25℃

I

C

- V

CE

-2

集电极电流I

C

(A)

-1.6

-1.2

-0.8

-0.4

0

I

B

=18mA

I

B

=22.5mA

TA = 25℃

I

B

=40.5mA

I

B

=45mA

I

B

=36mA

I

B

=31.5mA

I

B

=27mA

I

B

=9mA

I

B

=13.5mA

I

B

=4.5mA

-1

-10

-1

-10

-1

-1

-10

-10

2

-10

3

-10

4

0

-1

-2

-3

-4

-5

集电极电流I

C

（MA ）

集电极 - 发射极电压V

CE

(V)

2010. 6. 4

版本号： 0

2/3

KTA1572

安全工作区

集电极电流I

C

（MA ）

-10000

I

C

MAX （脉冲） *

-1000

I

C

MAX （连续）

100毫秒* 10毫秒*

1mS*

-100

直流操作（TA = 25℃ ）

-10

*单NONREPETTTTVE脉冲的Ta = 25℃

曲线必须降低

线性温度上升

-1

-0.1

-1

-10

-100

-1000

集电极 - 发射极电压V

CE

(V)

2010. 6. 4

版本号： 0

3/3

查看更多KTA1572PDF信息

供货商

型号

厂家

批号

数量

封装

单价/备注

操作

柒号芯城电子商务（深圳）有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2881677436 复制

点击这里给我发消息

QQ：2881620402 复制

电话：18922805453

联系人：连

地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

KTA1572

-

-

-

-

终端采购配单精选

深圳市壹芯创科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2880707522 复制

点击这里给我发消息

QQ：2369405325 复制

电话：0755-82780082

联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

KTA1572

-

-

-

-

终端采购配单精选

更多配单专家

北京人上科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：5645336 复制

电话：13910052844（微信同步）

联系人：刘先生

地址：海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室

KTA1572

√ 欧美㊣品

▲10/11+

9091

贴◆插

【dz37.com】实时报价有图&PDF

查询更多KTA1572供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司

我要啦免费统计

复制成功！