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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符K型号页 > 首字符K的型号第135页 > KTA1552T
半导体
技术参数
DC -DC转换器继电器驱动器，灯驱动器，
电机驱动器，选通应用。
KTA1552T
外延平面PNP晶体管
E
特点
采用FBET的， MBIT过程。
高电流容量。
低集电极 - 发射极饱和电压。
A
F
G
K
B
暗淡
A
B
2
3
C
D
MILLIMETERS
_
2.9 + 0.2
1.6+0.2/-0.1
_
0.70 + 0.05
_
0.4 + 0.1
2.8+0.2/-0.3
_
1.9 + 0.2
0.95
_
0.16 + 0.05
0.00-0.10
0.25+0.25/-0.15
0.60
0.55
D
超小型封装有助于终端产品的小型化。
高允许功耗。
补充KTC3552T 。
C
L
G
高速开关。
1
E
F
G
H
I
J
K
L
J
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
DC
脉冲
符号
V
CBO
V
CES
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
*
T
j
T
英镑
0.8
等级
-50
-50
-50
-6
-3
-6
-600
0.9
150
-55
)
150
单位
V
V
V
A
mA
W
1.发射器
2.基
3.收集
记号
LOT号
型号名称
*封装安装在陶瓷基板（600
电气特性（ TA = 25 ）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
开启时间
Swiitching
时间
符号
I
CBO
I
EBO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CES
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
V
CE(sat)1
V
CE(sat)2
V
BE （ SAT ）
h
FE
f
T
C
ob
t
on
输入
测试条件
V
CB
= -40V ，我
E
=0
V
EB
= -4V ，我
C
=0
I
C
= -10 A，I
E
=0
I
C
= -100 A，V
BE
=0
I
C
= -1mA ，我
B
=0
I
E
= -10 A，I
C
=0
I
C
= -1A ，我
B
=-50mA
I
C
= -2A ，我
B
=-100mA
I
C
= -2A ，我
B
=-100mA
V
CE
= -2V ，我
C
=-100mA
V
CE
= -10V ，我
C
=-500mA
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
PW=20s
DC
＆ LT ;
1%
=
I
B1
I
B2
R
B
50
V
R
100F
470F
V
CC
=-25V
R
L
产量
分钟。
-
-
-50
-50
-50
-6
-
-
-
200
-
-
-
贮存时间
t
英镑
下降时间
t
f
V
BE
=5V
-10I
B1
=10I
B2
=I
C
=-1A
2001. 6. 28
版本号： 0
I
J
最大额定值（ TA = 25
)
H
TSM
SL
典型值。
-
-
-
-
-
-
-100
-185
-0.88
-
360
24
30
马克斯。
-0.1
-0.1
-
-
-
-
-200
-500
-1.2
560
-
-
-
兆赫
pF
单位
A
A
V
V
V
V
mV
mV
V
-
230
-
nS
-
15
-
1/3
KTA1552T
I
C
- V
CE
-2.0
集电极电流I
C
(A)
-1.6
-1.2
-0.8
-2.0mA
h
FE
- I
C
1K
直流电流增益
FE
A
-20m
A
-10m
A
-8.0m
A
-6.0m
mA
30mA
-40
-
500
300
TA = 75℃
TA = 25℃
TA = -25℃
-4.0mA
100
50
30
V
CE
=-2V
-0.4
0
I
B
=0mA
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
10
-0.01
-0.03
-0.1
-0.3
-1
-3
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
V
CE （ SAT ）
- I
C
集电极 - 发射极饱和
电压V
CE （ SAT ）
（毫伏）
集电极 - 发射极饱和
电压V
CE （ SAT ）
（毫伏）
-1K
-500
-300
I
C
/I
B
=20
V
CE （ SAT ）
- I
C
-1K
-500
-300
C
I
C
/I
B
=50
-100
-50
-30
75
TA
C
-100
-50
-30
T
C
25
TA
T
-25
a=
C
5
C
75
=-2
Ta
TA
5 C
a=2
-10
-0.01
-0.03
-0.1
-0.3
-1
-3
-10
-0.01
-0.03
-0.1
-0.3
-1
-3
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
V
BE （ SAT ）
- I
C
-10K
基射极饱和
电压V
BE （ SAT ）
（毫伏）
-5K
-3K
集电极电流I
C
(A)
I
C
/I
B
=50
I
C
- V
BE
-3.0
V
CE
=-2V
-2.5
-2.0
C
-1K
-500
-300
TA = 25℃
TA = 75℃
-1.0
-0.5
0
-100
-0.01
-0.03
-0.1
-0.3
-1
-3
-10
0
-0.1 -0.2 -0.3 -0.4 -0.5 -0.6 -0.7 -0.8 -0.9 -1.0
基极 - 发射极电压V
BE
(V)
集电极电流I
C
(A)
2001. 6. 28
版本号： 0
Ta=25
TA = -25℃
-1.5
C
Ta=-25
C
Ta=75
2/3
KTA1552T
f
T
- I
C
集电极输出电容
C
ob
（PF ）
过渡频率f
T
（兆赫）
1K
500
300
V
CE
=-10V
C
ob
- V
CB
100
50
30
100
50
30
10
5
3
f=1MHz
10
-0.01
1
-0.03
-0.1
-0.3
-1
-3
-1
-3
-10
-30
-100
集电极电流I
C
(A)
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
安全工作区
-10
集电极电流I
C
(A)
-5
-3
-1
-0.5
-0.3
-0.1
-0.05
-0.03
I
C
MAX 。 （脉冲）
PC - TA
集电极耗散功率
P
C
(W)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
安装在一
陶瓷板
(600mm
2
0.8mm)
1m
10
I
C
最大
（ Contin-
UOUS ）
DC
OP
ER
S*
S*
0
50
S*
0
10
0m
S*
10
mS
*
AT
IO
N
-0.01
-0.1
*单不重复
PULSE TA = 25℃
曲线必须降低
线性增长
温度
安装在陶瓷基板
(600mm
2
0.8mm)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
-0.3
-1
-3
-10
-30
-100
周围温度Ta （℃）
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
2001. 6. 28
版本号： 0
3/3
该数据表已经从下载：
www.datasheetcatalog.com
数据表的电子元件。
半导体
技术参数
DC -DC转换器继电器驱动器，灯驱动器，
电机驱动器，选通应用。
KTA1552T
外延平面PNP晶体管
E
特点
采用FBET的， MBIT过程。
高电流容量。
低集电极 - 发射极饱和电压。
A
G
K
B
暗淡
A
B
2
3
C
D
MILLIMETERS
_
2.9 + 0.2
1.6+0.2/-0.1
_
0.70 + 0.05
_
0.4 + 0.1
2.8+0.2/-0.3
_
1.9 + 0.2
0.95
_
0.16 + 0.05
0.00-0.10
0.25+0.25/-0.15
0.60
0.55
D
超小型封装有助于终端产品的小型化。
高允许功耗。
补充KTC3552T 。
C
L
G
高速开关。
1
E
F
G
H
I
J
K
L
J
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
DC
脉冲
符号
V
CBO
V
CES
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
*
T
j
T
英镑
0.8
等级
-50
-50
-50
-6
-3
-6
-600
0.9
150
-55 150
)
单位
V
V
V
A
mA
W
1.发射器
2.基
3.收集
记号
LOT号
型号名称
*封装安装在陶瓷基板（600
电气特性（ TA = 25 ）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
开启时间
开关
时间
符号
I
CBO
I
EBO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CES
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
V
CE(sat)1
V
CE(sat)2
V
BE （ SAT ）
h
FE
f
T
C
ob
t
on
输入
测试条件
V
CB
= -40V ，我
E
=0
V
EB
= -4V ，我
C
=0
I
C
= -10 A，I
E
=0
I
C
= -100 A，V
BE
=0
I
C
= -1mA ，我
B
=0
I
E
= -10 A，I
C
=0
I
C
= -1A ，我
B
=-50mA
I
C
= -2A ，我
B
=-100mA
I
C
= -2A ，我
B
=-100mA
V
CE
= -2V ，我
C
=-100mA
V
CE
= -10V ，我
C
=-500mA
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
PW=20s
DC
＆ LT ;
1%
=
I
B1
I
B2
R
B
50
V
R
100F
470F
V
CC
=-25V
R
L
分钟。
-
-
-50
-50
-50
-6
-
-
-
200
-
-
-
产量
贮存时间
t
英镑
下降时间
t
f
V
BE
=5V
-10I
B1
=10I
B2
=I
C
=-1A
2006. 8. 8
版本号： 1
I
最大额定值（ TA = 25
)
F
H
J
TSM
SL
典型值。
-
-
-
-
-
-
-100
-185
-0.88
-
360
24
30
马克斯。
-0.1
-0.1
-
-
-
-
-200
-500
-1.2
560
-
-
-
兆赫
pF
单位
A
A
V
V
V
V
mV
mV
V
-
230
-
nS
-
15
-
1/3
KTA1552T
I
C
- V
CE
-2.0
集电极电流I
C
(A)
-1.6
-1.2
-0.8
-2.0mA
h
FE
- I
C
A
-20m
A
-10m
A
-8.0m
A
-6.0m
直流电流增益
FE
mA
30mA
-40
-
1K
500
300
TA = 75℃
TA = 25℃
TA = -25℃
-4.0mA
100
50
30
V
CE
=-2V
-0.4
0
I
B
=0mA
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
10
-0.01
-0.03
-0.1
-0.3
-1
-3
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
V
CE （ SAT ）
- I
C
集电极 - 发射极饱和
电压V
CE （ SAT ）
（毫伏）
-1K
-500
-300
集电极 - 发射极饱和
电压V
CE （ SAT ）
（毫伏）
I
C
/I
B
=20
V
CE （ SAT ）
- I
C
-1K
-500
-300
C
I
C
/I
B
=50
-100
-50
-30
75
TA
C
-100
-50
-30
25
TA
C
-25
a=
T
C
5
C
75
=-2
Ta
TA
C
25
TA
-10
-0.01
-0.03
-0.1
-0.3
-1
-3
-10
-0.01
-0.03
-0.1
-0.3
-1
-3
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
V
BE （ SAT ）
- I
C
-10K
基射极饱和
电压V
BE （ SAT ）
（毫伏）
-5K
-3K
集电极电流I
C
(A)
I
C
/I
B
=50
I
C
- V
BE
-3.0
V
CE
=-2V
-2.5
-2.0
-1.5
-1.0
-0.5
0
Ta=75
C
Ta=25
C
Ta=-25
C
-1K
-500
-300
TA = -25℃
TA = 25℃
TA = 75℃
-100
-0.01
-0.03
-0.1
-0.3
-1
-3
-10
0
-0.1 -0.2 -0.3 -0.4 -0.5 -0.6 -0.7 -0.8 -0.9 -1.0
基极 - 发射极电压V
BE
(V)
集电极电流I
C
(A)
2006. 8. 8
版本号： 1
2/3
KTA1552T
f
T
- I
C
集电极输出电容
C
ob
（PF ）
过渡频率f
T
（兆赫）
1K
500
300
V
CE
=-10V
C
ob
- V
CB
100
50
30
100
50
30
10
5
3
f=1MHz
10
-0.01
1
-0.03
-0.1
-0.3
-1
-3
-1
-3
-10
-30
-100
集电极电流I
C
(A)
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
安全工作区
-10
集电极电流I
C
(A)
-5
-3
-1
-0.5
-0.3
-0.1
-0.05
-0.03
I
C
MAX 。 （脉冲）
PC - TA
集电极耗散功率
P
C
(W)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
安装在一
陶瓷板
(600mm
2
0.8mm)
1m
0
10
I
C
最大
（ Contin-
UOUS ）
DC
OP
ER
S*
S*
50
S*
0
10
AT
0m
S*
N
*
mS
10
IO
-0.01
-0.1
*单不重复
PULSE TA = 25℃
曲线必须降低
线性增长
温度
安装在陶瓷基板
(600mm
2
0.8mm)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
-0.3
-1
-3
-10
-30
-100
周围温度Ta （℃）
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
2006. 8. 8
版本号： 1
3/3
半导体
标识特定网络阳离子
1.标记方法
激光打标
KTA1552T
TSM包装
2.标记
1
SL
1
2
号
项
马克设备
*批号
记号
SL
01
0
描述
KTA1552T
2002年第1周
[ 0 ：第1个字符， 1 ：第2个字符]
4
(D)
D
(4)
5
(E)
E
(5)
6
(F)
F
(6)
Periode （年）
52
5B
E2
EB
2002-2006-2010...
2003-2007-2011...
2004-2008-2012...
2005-2009-2013...
旋转4年
注）*批号标注方法
性格
安排
YEAR
1个字符
第2个字符
1
(A)
A
(1)
2
(B)
B
(2)
3
(C)
C
(3)
7
(G)
G
(7)
8
(H)
H
(8)
9
(I)
I
(9)
备注
0
(J)
J
(0)
标记（周）
01
0A
J1
JA
02
0B
J2
JB
51
5A
E1
EA
第1年（ 2002年）
第二年（2003年）
第三年（ 2004年）
第4年（2005年）
2004. 10. 26
版本号： 0
1/1
半导体
技术参数
DC -DC转换器继电器驱动器，灯驱动器，
电机驱动器，选通应用。
KTA1552T
外延平面PNP晶体管
E
特点
采用FBET的， MBIT过程。
高电流容量。
低集电极 - 发射极饱和电压。
A
F
G
K
B
暗淡
A
B
2
3
C
D
MILLIMETERS
_
2.9 + 0.2
1.6+0.2/-0.1
_
0.70 + 0.05
_
0.4 + 0.1
2.8+0.2/-0.3
_
1.9 + 0.2
0.95
_
0.16 + 0.05
0.00-0.10
0.25+0.25/-0.15
0.60
0.55
D
超小型封装有助于终端产品的小型化。
高允许功耗。
补充KTC3552T 。
C
L
G
高速开关。
1
E
F
G
H
I
J
K
L
J
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
DC
脉冲
符号
V
CBO
V
CES
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
*
T
j
T
英镑
0.8
等级
-50
-50
-50
-6
-3
-6
-600
0.9
150
-55
)
150
单位
V
V
V
A
mA
W
1.发射器
2.基
3.收集
记号
LOT号
型号名称
*封装安装在陶瓷基板（600
电气特性（ TA = 25 ）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
开启时间
Swiitching
时间
符号
I
CBO
I
EBO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CES
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
V
CE(sat)1
V
CE(sat)2
V
BE （ SAT ）
h
FE
f
T
C
ob
t
on
输入
测试条件
V
CB
= -40V ，我
E
=0
V
EB
= -4V ，我
C
=0
I
C
= -10 A，I
E
=0
I
C
= -100 A，V
BE
=0
I
C
= -1mA ，我
B
=0
I
E
= -10 A，I
C
=0
I
C
= -1A ，我
B
=-50mA
I
C
= -2A ，我
B
=-100mA
I
C
= -2A ，我
B
=-100mA
V
CE
= -2V ，我
C
=-100mA
V
CE
= -10V ，我
C
=-500mA
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
PW=20s
DC
＆ LT ;
1%
=
I
B1
I
B2
R
B
50
V
R
100F
470F
V
CC
=-25V
R
L
产量
分钟。
-
-
-50
-50
-50
-6
-
-
-
200
-
-
-
贮存时间
t
英镑
下降时间
t
f
V
BE
=5V
-10I
B1
=10I
B2
=I
C
=-1A
2001. 6. 28
版本号： 0
I
J
最大额定值（ TA = 25
)
H
TSM
SL
典型值。
-
-
-
-
-
-
-100
-185
-0.88
-
360
24
30
马克斯。
-0.1
-0.1
-
-
-
-
-200
-500
-1.2
560
-
-
-
兆赫
pF
单位
A
A
V
V
V
V
mV
mV
V
-
230
-
nS
-
15
-
1/3
KTA1552T
I
C
- V
CE
-2.0
集电极电流I
C
(A)
-1.6
-1.2
-0.8
-2.0mA
h
FE
- I
C
1K
直流电流增益
FE
A
-20m
A
-10m
A
-8.0m
A
-6.0m
mA
30mA
-40
-
500
300
TA = 75℃
TA = 25℃
TA = -25℃
-4.0mA
100
50
30
V
CE
=-2V
-0.4
0
I
B
=0mA
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
10
-0.01
-0.03
-0.1
-0.3
-1
-3
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
V
CE （ SAT ）
- I
C
集电极 - 发射极饱和
电压V
CE （ SAT ）
（毫伏）
集电极 - 发射极饱和
电压V
CE （ SAT ）
（毫伏）
-1K
-500
-300
I
C
/I
B
=20
V
CE （ SAT ）
- I
C
-1K
-500
-300
C
I
C
/I
B
=50
-100
-50
-30
75
TA
C
-100
-50
-30
T
C
25
TA
T
-25
a=
C
5
C
75
=-2
Ta
TA
5 C
a=2
-10
-0.01
-0.03
-0.1
-0.3
-1
-3
-10
-0.01
-0.03
-0.1
-0.3
-1
-3
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
V
BE （ SAT ）
- I
C
-10K
基射极饱和
电压V
BE （ SAT ）
（毫伏）
-5K
-3K
集电极电流I
C
(A)
I
C
/I
B
=50
I
C
- V
BE
-3.0
V
CE
=-2V
-2.5
-2.0
C
-1K
-500
-300
TA = 25℃
TA = 75℃
-1.0
-0.5
0
-100
-0.01
-0.03
-0.1
-0.3
-1
-3
-10
0
-0.1 -0.2 -0.3 -0.4 -0.5 -0.6 -0.7 -0.8 -0.9 -1.0
基极 - 发射极电压V
BE
(V)
集电极电流I
C
(A)
2001. 6. 28
版本号： 0
Ta=25
TA = -25℃
-1.5
C
Ta=-25
C
Ta=75
2/3
KTA1552T
f
T
- I
C
集电极输出电容
C
ob
（PF ）
过渡频率f
T
（兆赫）
1K
500
300
V
CE
=-10V
C
ob
- V
CB
100
50
30
100
50
30
10
5
3
f=1MHz
10
-0.01
1
-0.03
-0.1
-0.3
-1
-3
-1
-3
-10
-30
-100
集电极电流I
C
(A)
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
安全工作区
-10
集电极电流I
C
(A)
-5
-3
-1
-0.5
-0.3
-0.1
-0.05
-0.03
I
C
MAX 。 （脉冲）
PC - TA
集电极耗散功率
P
C
(W)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
安装在一
陶瓷板
(600mm
2
0.8mm)
1m
10
I
C
最大
（ Contin-
UOUS ）
DC
OP
ER
S*
S*
0
50
S*
0
10
0m
S*
10
mS
*
AT
IO
N
-0.01
-0.1
*单不重复
PULSE TA = 25℃
曲线必须降低
线性增长
温度
安装在陶瓷基板
(600mm
2
0.8mm)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
-0.3
-1
-3
-10
-30
-100
周围温度Ta （℃）
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
2001. 6. 28
版本号： 0
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