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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符K型号页 > 首字符K的型号第15页 > KTA1551T
半导体
技术参数
继电器驱动器，灯驱动器，
电机驱动应用。
KTA1551T
外延平面PNP晶体管
E
特点
通过MBIT过程。
大电流电容。
低集电极 - 发射极饱和电压。
A
F
G
K
B
暗淡
A
B
2
3
C
D
MILLIMETERS
_
2.9 + 0.2
1.6+0.2/-0.1
_
0.70 + 0.05
_
0.4 + 0.1
2.8+0.2/-0.3
_
1.9 + 0.2
0.95
_
0.16 + 0.05
0.00-0.10
0.25+0.25/-0.15
0.60
0.55
D
超小型封装有助于终端产品的小型化。
高允许功耗。
补充KTC3551T 。
C
L
G
高速开关。
1
E
F
G
H
I
J
K
L
J
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
DC
脉冲
符号
V
CBO
V
CES
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
*
T
j
T
英镑
0.8
等级
-50
-50
-50
-5
-1.0
-3
-200
0.9
150
-55
)
150
单位
V
V
V
A
mA
W
1.发射器
2.基
3.收集
记号
LOT号
型号名称
*封装安装在陶瓷基板（600
电气特性（ TA = 25 ）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
开启时间
Swiitching
时间
符号
I
CBO
I
EBO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CES
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
V
CE(sat)1
V
CE(sat)2
V
BE （ SAT ）
h
FE
f
T
C
ob
t
on
输入
测试条件
V
CB
= -40V ，我
E
=0
V
EB
= -4V ，我
C
=0
I
C
= -10 A，I
E
=0
I
C
= -100 A，V
BE
=0
I
C
= -1mA ，我
B
=0
I
E
= -10 A，I
C
=0
I
C
= -500mA ，我
B
=-10mA
I
C
= -300mA ，我
B
=-6mA
I
C
= -500mA ，我
B
=-10mA
V
CE
= -2V ，我
C
=-100mA
V
CE
= -10V ，我
C
=-300mA
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
PW=20s
DC
＆ LT ;
1%
=
I
B1
I
B2
R
B
50
V
R
100F
470F
V
CC
=-25V
R
L
产量
分钟。
-
-
-50
-50
-50
-5
-
-
-
200
-
-
-
贮存时间
t
英镑
下降时间
t
f
V
BE
=5V
-20I
B1
=20I
B2
=I
C
=-500mA
2001. 6. 28
版本号： 0
I
J
最大额定值（ TA = 25
)
H
TSM
SK
典型值。
-
-
-
-
-
-
-280
-145
-0.81
-
420
9
35
马克斯。
-0.1
-0.1
-
-
-
-
-430
-220
-1.2
560
-
-
-
兆赫
pF
单位
A
A
V
V
V
V
mV
mV
V
-
170
-
nS
-
30
-
1/3
KTA1551T
I
C
- V
CE
A
h
FE
- I
C
A
-20m
-10m
-8mA
-6mA
-4mA
-1K
集电极电流I
C
(A)
-800
-600
-400
-200
0
0
直流电流增益
FE
-4
-5
0
A
0m
-30
m
mA
1K
500
300
TA = 75℃
TA = 25℃
TA = -25℃
100
50
30
V
CE
=-2V
-2mA
I
B
=0mA
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
10
-0.01
-0.03
-0.1
-0.3
-1.0
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
V
CE （ SAT ）
- I
C
集电极 - 发射极饱和
电压V
CE （ SAT ）
(V)
I
C
/I
B
=20
V
CE （ SAT ）
- I
C
集电极 - 发射极饱和
电压V
CE （ SAT ）
(V)
-1
-0.5
-0.3
C
25
a=-
T
-1
-0.5
-0.3
I
C
/I
B
=50
-0.1
-0.05
-0.03
75
TA
25 C
TA
C
-0.1
-0.05
-0.03
-25
TA
C
75
TA
25
TA
C
C
-0.01
-0.01
-0.03
-0.1
-0.3
-1
-0.01
-0.01
-0.03
-0.1
-0.3
-1
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
V
BE （ SAT ）
- I
C
-10
基射极饱和
电压V
BE （ SAT ）
(V)
-5
-3
集电极电流I
C
(A)
I
C
/I
B
=50
I
C
- V
BE
-1.0
-0.9
-0.8
-0.7
-0.6
Ta=7
5 C
Ta=2
5 C
V
CE
=-2V
-1
-0.5
-0.3
TA = -25℃
TA = 25℃
TA = 75℃
-0.5
-0.4
-0.3
-0.2
-0.1
0
0
-0.2
-0.4
-0.1
-0.01
-0.03
-0.1
-0.3
-1
-0.6
-0.8
Ta=-2
5 C
-1.0
-1.2
集电极电流I
C
(A)
基极 - 发射极电压V
BE
(V)
2001. 6. 28
版本号： 0
2/3
KTA1551T
f
T
- I
C
过渡频率f
T
（兆赫）
5K
3K
集电极输出电容
C
ob
（PF ）
V
CE
=-10V
C
ob
- V
CB
100
50
30
f=1MHz
1K
500
300
10
5
3
100
50
-0.01
-0.03
-0.1
-0.3
-1
1
-0.1
-0.3
-1
-3
-10
-30
-100
集电极电流I
C
(A)
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
安全工作区
-5
-3
集电极电流I
C
(A)
-1
-0.5
-0.3
PC - TA
I
C
MAX 。 （脉冲）
集电极耗散功率
P
C
(W)
1.2
安装在一
10
S*
0
*
50
S
0
1m
I
C
最大
（连续）
C
D
O
PE
S*
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
陶瓷板
(600mm
2
0.8mm)
10
m
S*
10
S*
0m
N
O
TI
RA
-0.1
-0.05
-0.03
-0.01
-0.1
*单不重复
PULSE TA = 25℃
曲线必须降低
线性增长
温度
安装在陶瓷基板
(600mm
2
0.8mm)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
-0.3
-1
-3
-10
-30
-100
周围温度Ta （℃）
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
2001. 6. 28
版本号： 0
3/3
半导体
技术参数
继电器驱动器，灯驱动器，
电机驱动应用。
KTA1551T
外延平面PNP晶体管
E
特点
通过MBIT过程。
大电流电容。
低集电极 - 发射极饱和电压。
A
F
G
K
B
暗淡
A
B
2
3
C
D
MILLIMETERS
_
2.9 + 0.2
1.6+0.2/-0.1
_
0.70 + 0.05
_
0.4 + 0.1
2.8+0.2/-0.3
_
1.9 + 0.2
0.95
_
0.16 + 0.05
0.00-0.10
0.25+0.25/-0.15
0.60
0.55
D
超小型封装有助于终端产品的小型化。
高允许功耗。
补充KTC3551T 。
C
L
G
高速开关。
1
E
F
G
H
I
J
K
L
J
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
DC
脉冲
符号
V
CBO
V
CES
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
*
T
j
T
英镑
0.8
等级
-50
-50
-50
-5
-1.0
-3
-200
0.9
150
-55
)
150
单位
V
V
V
A
mA
W
1.发射器
2.基
3.收集
记号
LOT号
型号名称
*封装安装在陶瓷基板（600
电气特性（ TA = 25 ）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
开启时间
Swiitching
时间
符号
I
CBO
I
EBO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CES
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
V
CE(sat)1
V
CE(sat)2
V
BE （ SAT ）
h
FE
f
T
C
ob
t
on
输入
测试条件
V
CB
= -40V ，我
E
=0
V
EB
= -4V ，我
C
=0
I
C
= -10 A，I
E
=0
I
C
= -100 A，V
BE
=0
I
C
= -1mA ，我
B
=0
I
E
= -10 A，I
C
=0
I
C
= -500mA ，我
B
=-10mA
I
C
= -300mA ，我
B
=-6mA
I
C
= -500mA ，我
B
=-10mA
V
CE
= -2V ，我
C
=-100mA
V
CE
= -10V ，我
C
=-300mA
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
PW=20s
DC
＆ LT ;
1%
=
I
B1
I
B2
R
B
50
V
R
100F
470F
V
CC
=-25V
R
L
产量
分钟。
-
-
-50
-50
-50
-5
-
-
-
200
-
-
-
贮存时间
t
英镑
下降时间
t
f
V
BE
=5V
-20I
B1
=20I
B2
=I
C
=-500mA
2001. 6. 28
版本号： 0
I
J
最大额定值（ TA = 25
)
H
TSM
SK
典型值。
-
-
-
-
-
-
-280
-145
-0.81
-
420
9
35
马克斯。
-0.1
-0.1
-
-
-
-
-430
-220
-1.2
560
-
-
-
兆赫
pF
单位
A
A
V
V
V
V
mV
mV
V
-
170
-
nS
-
30
-
1/3
KTA1551T
I
C
- V
CE
A
h
FE
- I
C
A
-20m
-10m
-8mA
-6mA
-4mA
-1K
集电极电流I
C
(A)
-800
-600
-400
-200
0
0
直流电流增益
FE
-4
-5
0
A
0m
-30
m
mA
1K
500
300
TA = 75℃
TA = 25℃
TA = -25℃
100
50
30
V
CE
=-2V
-2mA
I
B
=0mA
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
10
-0.01
-0.03
-0.1
-0.3
-1.0
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
V
CE （ SAT ）
- I
C
集电极 - 发射极饱和
电压V
CE （ SAT ）
(V)
I
C
/I
B
=20
V
CE （ SAT ）
- I
C
集电极 - 发射极饱和
电压V
CE （ SAT ）
(V)
-1
-0.5
-0.3
C
25
a=-
T
-1
-0.5
-0.3
I
C
/I
B
=50
-0.1
-0.05
-0.03
75
TA
25 C
TA
C
-0.1
-0.05
-0.03
-25
TA
C
75
TA
25
TA
C
C
-0.01
-0.01
-0.03
-0.1
-0.3
-1
-0.01
-0.01
-0.03
-0.1
-0.3
-1
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
V
BE （ SAT ）
- I
C
-10
基射极饱和
电压V
BE （ SAT ）
(V)
-5
-3
集电极电流I
C
(A)
I
C
/I
B
=50
I
C
- V
BE
-1.0
-0.9
-0.8
-0.7
-0.6
Ta=7
5 C
Ta=2
5 C
V
CE
=-2V
-1
-0.5
-0.3
TA = -25℃
TA = 25℃
TA = 75℃
-0.5
-0.4
-0.3
-0.2
-0.1
0
0
-0.2
-0.4
-0.1
-0.01
-0.03
-0.1
-0.3
-1
-0.6
-0.8
Ta=-2
5 C
-1.0
-1.2
集电极电流I
C
(A)
基极 - 发射极电压V
BE
(V)
2001. 6. 28
版本号： 0
2/3
KTA1551T
f
T
- I
C
过渡频率f
T
（兆赫）
5K
3K
集电极输出电容
C
ob
（PF ）
V
CE
=-10V
C
ob
- V
CB
100
50
30
f=1MHz
1K
500
300
10
5
3
100
50
-0.01
-0.03
-0.1
-0.3
-1
1
-0.1
-0.3
-1
-3
-10
-30
-100
集电极电流I
C
(A)
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
安全工作区
-5
-3
集电极电流I
C
(A)
-1
-0.5
-0.3
PC - TA
I
C
MAX 。 （脉冲）
集电极耗散功率
P
C
(W)
1.2
安装在一
10
S*
0
*
50
S
0
1m
I
C
最大
（连续）
C
D
O
PE
S*
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
陶瓷板
(600mm
2
0.8mm)
10
m
S*
10
S*
0m
N
O
TI
RA
-0.1
-0.05
-0.03
-0.01
-0.1
*单不重复
PULSE TA = 25℃
曲线必须降低
线性增长
温度
安装在陶瓷基板
(600mm
2
0.8mm)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
-0.3
-1
-3
-10
-30
-100
周围温度Ta （℃）
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
2001. 6. 28
版本号： 0
3/3
半导体
标识特定网络阳离子
KTA1551T
TSM包装
1.标记方法
激光打标
2.标记
1
SK
1
2
号
项
马克设备
*批号
记号
SK
01
0
描述
KTA1551T
2006年第1周
[ 0 ：第1个字符， 1 ：第2个字符]
注）*批号标注方法
LOT号
描述
01 ： 2006年第1周，
02 ： 2006年第2周
01, 02 ....51, 52
51 ： 2006年第51周，
52 ： 2006年第52周。
0A ： 2007年第1周，
0B ： 2007年第2周
0A ， 0B .... 5A ， 5B **
5A ： 2007年第51周，
5B ： 2007年第52周。
J1 ： 2008年第1周，
J2 ： 2008年第2周
J1，J2 .... E1，E2 **
E1 ： 2008年第51周，
E2 ： 2008年第52周。
JA ： 2009年第1周，
JB ： 2009年第2周
JA ， JB .... EA ， EB **
EA ： 2009年第51周，
EB ： 2009年第52周。
**：含义（A = 1，B = 2 ，C = 3，D = 4 ，E = 5 ，F = 6 ，G = 7 ，H = 8 ，I = 9 ，J = 0）的
旋转4年：
01...52 : ...2006, 2010, 2014...
0A ... 5B ： ...... 2007年， 20011年，2015年...
J1 E2 ... ... 2008年， 2012年， 2016年...
JA ... EB ： ...... 2009年， 2013年， 2017年...
备注
2007. 9. 19
版本号： 0
1/1
查看更多KTA1551TPDF信息
推荐型号
K4S64323LF-DP75
KIA6259P
KBU1004G
K3760Z1EB1S
KBPC5016PW
KBU1004-G
K6X4008T1F
KA78M05TU
KBU401G
KST4124
KSS05L
KRC285S
K37160D1EB1S
KHP250E336M552AT00
KSJ0V211
KFG5616Q1A-PEB5
K7R323684M-FC25
K24C160-WCTG-A
KC7783
K6T4008C1C-DB55
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    KTA1551T
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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