KST2222A NPN外延硅晶体管
2006年5月
KST2222A
NPN外延硅晶体管
通用晶体管
tm
3
记号
2
1
1P
SOT-23
1.底座2.辐射源3.收藏家
绝对最大额定值
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
英镑
T
a
= 25 ° C除非另有说明
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
存储温度范围
价值
75
40
6
600
350
-55 ~ 150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
电气特性
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
h
FE
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
直流电流增益*
测试条件
I
C
= 10μA ,我
E
= 0
I
C
= 10毫安,我
B
= 0
I
E
= 10μA ,我
C
= 0
V
CB
= 60V ,我
E
= 0
V
CE
= 10V ,我
C
= 0.1毫安
V
CE
= 10V ,我
C
= 1毫安
V
CE
= 10V ,我
C
= 10毫安
V
CE
= 10V ,我
C
= 150毫安
V
CE
= 10V ,我
C
= 500毫安
I
C
= 150毫安,我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安,我
B
= 50毫安
I
C
= 150毫安,我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安,我
B
= 50毫安
I
C
= 20mA时, V
CE
= 20V , F = 100MHz的
V
CB
= 10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
I
C
= 100μA ,V
CE
= 10V
R
S
= 1KΩ , F = 1MHz的
V
CC
= 30V ,我
C
= 150毫安
V
BE
= 0.5V ,我
B1
= 15毫安
V
CC
= 30V ,我
C
= 150毫安,
I
B1
= I
B2
= 15毫安
分钟。
75
40
6
马克斯。
单位
V
V
V
A
0.01
35
50
75
100
40
300
0.3
1.0
V
V
V
V
兆赫
8
4
35
285
pF
dB
ns
ns
V
CE
(SAT)
V
BE
(SAT)
f
T
C
ob
NF
t
ON
t
关闭
集电极 - 发射极饱和电压*
基射极饱和电压*
电流增益带宽积
输出电容
噪声系数
启动时间
关闭时间
0.6
300
1.2
2.0
*脉冲测试:脉冲宽度= 300μS ,占空比= 2 %
2006仙童半导体公司
1
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KST2222A版本B
KST2222A NPN外延硅晶体管
典型性能特性
图1.直流电流增益
V CE = 5V
图2.集电极 - 发射极饱和电压
0.4
250
B=10
的Vce ( sat)的,饱和电流, [V]的
125C
hFE参数,电流增益
200
0.3
75C
25C
150
0.2
125C
100
0.1
75C
25C
50
1
10
100
1
10
100
C 0 LLE C到R C ④此T, [M A]
集电极电流, [马]
图3.基射极饱和电压
1.0
图4.集电极 - 基漏电流
100
B=10
0.9
收藏家泄漏电流 - 基地( NA)
V
C B
= 60V
VBE (星期六) ,饱和电流, [ V]
0.8
10
0.7
0.6
25C
75C
0.5
1
0.4
125C
0.3
0.1
1
10
100
25
50
75
100
125
150
集电极电流,[M A]
tem温度, [' C]
图5.输出电容
图6.功耗与
环境温度
0.4
I
E
= 0
F = 100万赫兹
P
D
- 功耗( W)
10
0.3
C
ob
[ pF的] ,电容
0.2
1
0.1
0.1
1
10
100
0.0
0
25
50
75
O
100
125
150
V
C B
[V] ,C LLE CTO R- B中的SE V LTA克é
温度, [C]
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快
ACEX
FASTr
ActiveArray
FPS
深不见底
FRFET
构建它现在
GlobalOptoisolator
CoolFET
GTO
CROSSVOLT
HiSeC
DOME
I
2
C
EcoSPARK
2
CMOS
我罗
E
ImpliedDisconnect
Ensigna
的IntelliMAX
FACT
FACT静音系列
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
等平面
LittleFET
MICROCOUPLER
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerEdge
PowerSaver技术
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SerDes
ScalarPump
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
中医
TinyLogic
TINYOPTO
TruTranslation
UHC
UltraFET
的UniFET
VCX
电线
放弃
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或维持生命,或(c )其不履行时,正确使用
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产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
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