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KST2222A NPN外延硅晶体管
2006年5月
KST2222A
NPN外延硅晶体管
通用晶体管
tm
3
记号
2
1
1P
SOT-23
1.底座2.辐射源3.收藏家
绝对最大额定值
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
英镑
T
a
= 25 ° C除非另有说明
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
存储温度范围
价值
75
40
6
600
350
-55 ~ 150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
电气特性
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
h
FE
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
直流电流增益*
测试条件
I
C
= 10μA ,我
E
= 0
I
C
= 10毫安,我
B
= 0
I
E
= 10μA ,我
C
= 0
V
CB
= 60V ,我
E
= 0
V
CE
= 10V ,我
C
= 0.1毫安
V
CE
= 10V ,我
C
= 1毫安
V
CE
= 10V ,我
C
= 10毫安
V
CE
= 10V ,我
C
= 150毫安
V
CE
= 10V ,我
C
= 500毫安
I
C
= 150毫安,我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安,我
B
= 50毫安
I
C
= 150毫安,我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安,我
B
= 50毫安
I
C
= 20mA时, V
CE
= 20V , F = 100MHz的
V
CB
= 10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
I
C
= 100μA ,V
CE
= 10V
R
S
= 1KΩ , F = 1MHz的
V
CC
= 30V ,我
C
= 150毫安
V
BE
= 0.5V ,我
B1
= 15毫安
V
CC
= 30V ,我
C
= 150毫安,
I
B1
= I
B2
= 15毫安
分钟。
75
40
6
马克斯。
单位
V
V
V
A
0.01
35
50
75
100
40
300
0.3
1.0
V
V
V
V
兆赫
8
4
35
285
pF
dB
ns
ns
V
CE
(SAT)
V
BE
(SAT)
f
T
C
ob
NF
t
ON
t
关闭
集电极 - 发射极饱和电压*
基射极饱和电压*
电流增益带宽积
输出电容
噪声系数
启动时间
关闭时间
0.6
300
1.2
2.0
*脉冲测试:脉冲宽度= 300μS ,占空比= 2 %
2006仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
KST2222A版本B
KST2222A NPN外延硅晶体管
典型性能特性
图1.直流电流增益
V CE = 5V
图2.集电极 - 发射极饱和电压
0.4
250
B=10
的Vce ( sat)的,饱和电流, [V]的
125C
hFE参数,电流增益
200
0.3
75C
25C
150
0.2
125C
100
0.1
75C
25C
50
1
10
100
1
10
100
C 0 LLE C到R C ④此T, [M A]
集电极电流, [马]
图3.基射极饱和电压
1.0
图4.集电极 - 基漏电流
100
B=10
0.9
收藏家泄漏电流 - 基地( NA)
V
C B
= 60V
VBE (星期六) ,饱和电流, [ V]
0.8
10
0.7
0.6
25C
75C
0.5
1
0.4
125C
0.3
0.1
1
10
100
25
50
75
100
125
150
集电极电流,[M A]
tem温度, [' C]
图5.输出电容
图6.功耗与
环境温度
0.4
I
E
= 0
F = 100万赫兹
P
D
- 功耗( W)
10
0.3
C
ob
[ pF的] ,电容
0.2
1
0.1
0.1
1
10
100
0.0
0
25
50
75
O
100
125
150
V
C B
[V] ,C LLE CTO R- B中的SE V LTA克é
温度, [C]
2
KST2222A版本B
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KST2222A NPN外延硅晶体管
机械尺寸
SOT-23
0.20 MIN
2.40
±0.10
0.40
±0.03
1.30
±0.10
0.45~0.60
0.03~0.10
0.38 REF
0.40
±0.03
0.96~1.14
2.90
±0.10
0.12
–0.023
+0.05
0.95
±0.03
0.95
±0.03
1.90
±0.03
0.508REF
0.97REF
单位:毫米
3
KST2222A版本B
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KST2222A NPN外延硅晶体管
商标
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将所有这些商标的详尽清单。
ACEX
FASTr
ActiveArray
FPS
深不见底
FRFET
构建它现在
GlobalOptoisolator
CoolFET
GTO
CROSSVOLT
HiSeC
DOME
I
2
C
EcoSPARK
2
CMOS
我罗
E
ImpliedDisconnect
Ensigna
的IntelliMAX
FACT
FACT静音系列
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
等平面
LittleFET
MICROCOUPLER
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerEdge
PowerSaver技术
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SerDes
ScalarPump
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
中医
TinyLogic
TINYOPTO
TruTranslation
UHC
UltraFET
的UniFET
VCX
电线
放弃
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中,为了提高可靠性,功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何责任
所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;它也不
在其专利权利的任何执照,也没有他人的权利。这些规范不EX-
PAND飞兆半导体的全球条款及细则的条款尤其是保修,保修
涵盖这些产品。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持设备或中的关键部件
系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用:
1.生命支持设备或系统的设备或系统,其中,
(一)打算通过外科手术移植到体内,或(b )支持
或维持生命,或(c )其不履行时,正确使用
按照提供的标签的使用说明,
可以合理预期造成显著伤害
用户。
2.关键部件是在生命支持设备的任何部件
或系统,其不履行可以合理预期
造成的生命支持设备或系统的故障,或以
影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范的产品
发展。产品规格可能会以任何方式变更,恕不
出通知。
该数据表包含的初步数据,并且补充
数据将在晚些时候公布。飞兆半导体
保留在任何时间进行更改,恕不另行通知
为了改善设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体半自动
的导体保留在任何的时间,以进行修改的权利
恕不另行通知,以提高设计的。
此数据表包含具有产品规格
已经停产了仙童半导体公司。数据表
打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
修订版I19
4
KST2222A版本B
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
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FAIR
1820
8867
SOT23PBFREE
公司现货!欢迎咨询。假一赔百支持发货。
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onsemi(安森美)
2021
7
SOT-23
全新原装正品现货
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14
SOT-23
原装进口现货
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ONSEMI/安森美
25+
36000
SOT-23
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ON
22+
10500
SOT-23
原装正品,特价销售
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联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
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1405+
1000
全新原装正品/质量有保证
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联系人:小邹
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22+
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原装正品★真实库存★价格优势★欢迎洽谈
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KST2222AMTF
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24+
21000
SOT23-3
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
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电话:021-51097965
联系人:杨全兴
地址:松江区石湖荡镇松蒸公路2183号22幢-19
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FAIRCHILD/仙童
17/18+
SOT23
进口原装代理现货
普通
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电话:028-87781882
联系人:陈小姐
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21+
6000
N/A
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