KST2222A
KST2222A
通用晶体管
3
2
1
SOT-23
1.底座2.辐射源3.收藏家
NPN外延硅晶体管
绝对最大额定值
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
储存温度
参数
价值
75
40
6
600
350
150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
电气特性
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
h
FE
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
*直流电流增益
测试条件
I
C
= 10μA ，我
E
=0
I
C
= 10毫安，我
B
=0
I
E
= 10μA ，我
C
=0
V
CB
= 60V ，我
E
=0
V
CE
= 10V ，我
C
=0.1mA
V
CE
= 10V ，我
C
=1mA
V
CE
= 10V ，我
C
=10mA
V
CE
= 10V ，我
C
=150mA
V
CE
= 10V ，我
C
=500mA
I
C
= 150毫安，我
B
=15mA
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA
I
C
= 150毫安，我
B
=15mA
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA
I
C
= 20mA时， V
CE
= 20V ， F = 100MHz的
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
I
C
= 100μA ，V
CE
=10V
R
S
= 1kΩ的， F = 1MHz的
V
CC
= 30V ，我
C
=150mA
V
BE
= 0.5V ，我
B1
=15mA
0.6
300
8
4
35
35
50
75
100
40
分钟。
75
40
6
0.01
马克斯。
单位
V
V
V
A
300
0.3
1.0
1.2
2.0
V
V
V
V
兆赫
pF
dB
ns
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
f
T
C
ob
NF
t
ON
*集电极 - 发射极饱和电压
*基射极饱和电压
电流增益带宽积
输出电容
噪声系数
启动时间
t
关闭
关闭时间
V
CC
= 30V ，我
C
=150mA
I
B1
=I
B2
=15mA
285
ns
*脉冲测试： PW≤300μs ，职务Cycle≤2 ％
记号
1P
2002仙童半导体公司
修订版A2 ， 2002年11月
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用，不
旨在成为所有此类商标的详尽清单。
ACEX
FACT
ActiveArray
FACT静音系列
深不见底
快
FASTr
CoolFET
CROSSVOLT
FRFET
GlobalOptoisolator
DOME
EcoSPARK
GTO
2
CMOS
E
HiSeC
Ensigna
I
2
C
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
放弃
ImpliedDisconnect
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
公司。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
如果使用得当按照使用说明
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持任何组件
设备或系统，其未能履行可
合理预期造成的生命支持故障
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2002仙童半导体公司
牧师I1
KST2222A NPN外延硅晶体管
2006年5月
KST2222A
NPN外延硅晶体管
通用晶体管
tm
3
记号
2
1
1P
SOT-23
1.底座2.辐射源3.收藏家
绝对最大额定值
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
英镑
T
a
= 25 ° C除非另有说明
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
存储温度范围
价值
75
40
6
600
350
-55 ~ 150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
电气特性
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
h
FE
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
直流电流增益*
测试条件
I
C
= 10μA ，我
E
= 0
I
C
= 10毫安，我
B
= 0
I
E
= 10μA ，我
C
= 0
V
CB
= 60V ，我
E
= 0
V
CE
= 10V ，我
C
= 0.1毫安
V
CE
= 10V ，我
C
= 1毫安
V
CE
= 10V ，我
C
= 10毫安
V
CE
= 10V ，我
C
= 150毫安
V
CE
= 10V ，我
C
= 500毫安
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
I
C
= 20mA时， V
CE
= 20V ， F = 100MHz的
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
I
C
= 100μA ，V
CE
= 10V
R
S
= 1KΩ ， F = 1MHz的
V
CC
= 30V ，我
C
= 150毫安
V
BE
= 0.5V ，我
B1
= 15毫安
V
CC
= 30V ，我
C
= 150毫安，
I
B1
= I
B2
= 15毫安
分钟。
75
40
6
马克斯。
单位
V
V
V
A
0.01
35
50
75
100
40
300
0.3
1.0
V
V
V
V
兆赫
8
4
35
285
pF
dB
ns
ns
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
f
T
C
ob
NF
t
ON
t
关闭
集电极 - 发射极饱和电压*
基射极饱和电压*
电流增益带宽积
输出电容
噪声系数
启动时间
关闭时间
0.6
300
1.2
2.0
*脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比= 2 ％
2006仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
KST2222A版本B
KST2222A NPN外延硅晶体管
典型性能特性
图1.直流电流增益
V CE = 5V
图2.集电极 - 发射极饱和电压
0.4
250
B=10
的Vce （ sat）的，饱和电流， [V]的
125C
hFE参数，电流增益
200
0.3
75C
25C
150
0.2
125C
100
0.1
75C
25C
50
1
10
100
1
10
100
C 0 LLE C到R C ④此T， [M A]
集电极电流， [马]
图3.基射极饱和电压
1.0
图4.集电极 - 基漏电流
100
B=10
0.9
收藏家泄漏电流 - 基地（ NA）
V
C B
= 60V
VBE （星期六） ，饱和电流， [ V]
0.8
10
0.7
0.6
25C
75C
0.5
1
0.4
125C
0.3
0.1
1
10
100
25
50
75
100
125
150
集电极电流，[M A]
tem温度， [' C]
图5.输出电容
图6.功耗与
环境温度
0.4
I
E
= 0
F = 100万赫兹
P
D
- 功耗（ W）
10
0.3
C
ob
[ pF的] ，电容
0.2
1
0.1
0.1
1
10
100
0.0
0
25
50
75
O
100
125
150
V
C B
[V] ，C LLE CTO R- B中的SE V LTA克é
温度， [C]
2
KST2222A版本B
www.fairchildsemi.com
KST2222A NPN外延硅晶体管
商标
下面的注册和未注册商标仙童半导体公司拥有或授权使用，不适合于
将所有这些商标的详尽清单。
快
ACEX
FASTr
ActiveArray
FPS
深不见底
FRFET
构建它现在
GlobalOptoisolator
CoolFET
GTO
CROSSVOLT
HiSeC
DOME
I
2
C
EcoSPARK
2
CMOS
我罗
E
ImpliedDisconnect
Ensigna
的IntelliMAX
FACT
FACT静音系列
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
等平面
LittleFET
MICROCOUPLER
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerEdge
PowerSaver技术
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SerDes
ScalarPump
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
中医
TinyLogic
TINYOPTO
TruTranslation
UHC
UltraFET
的UniFET
VCX
电线
放弃
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何责任
所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;它也不
在其专利权利的任何执照，也没有他人的权利。这些规范不EX-
PAND飞兆半导体的全球条款及细则的条款尤其是保修，保修
涵盖这些产品。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持设备或中的关键部件
系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统，其中，
（一）打算通过外科手术移植到体内，或（b ）支持
或维持生命，或（c ）其不履行时，正确使用
按照提供的标签的使用说明，
可以合理预期造成显著伤害
用户。
2.关键部件是在生命支持设备的任何部件
或系统，其不履行可以合理预期
造成的生命支持设备或系统的故障，或以
影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范的产品
发展。产品规格可能会以任何方式变更，恕不
出通知。
该数据表包含的初步数据，并且补充
数据将在晚些时候公布。飞兆半导体
保留在任何时间进行更改，恕不另行通知
为了改善设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体半自动
的导体保留在任何的时间，以进行修改的权利
恕不另行通知，以提高设计的。
此数据表包含具有产品规格
已经停产了仙童半导体公司。数据表
打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
修订版I19
4
KST2222A版本B
www.fairchildsemi.com
QQ：2880707522 复制
