SMD型
P沟道增强模式
垂直的D- MOS晶体管
KSP230
SOT-223
晶体管
单位：mm
+0.2
3.50
-0.2
特点
直接连接C-MOS ， TTL等
高速开关
+0.2
6.50
-0.2
0
.1max
+0.05
0.90
-0.05
+0.1
3.00
-0.1
+0.2
0.90
-0.2
+0.3
7.00
-0.3
无二次击穿
4
1
2
2.9
4.6
3
0.70
+0.1
-0.1
1门
2,4漏
3源
绝对最大额定值大= 25
参数
漏极 - 源极电压（直流）
栅极 - 源极电压（ DC）漏极开路
漏电流（ DC ）
峰值漏极电流
总功耗*
储存温度
工作结温
从结点到环境的热阻*
符号
V
DS
V
GSO
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
R
日J-一
等级
-300
20
-210
-0.75
1.5
-65到+150
150
83.3
K / W
单位
V
V
mA
A
W
*设备安装在环氧树脂印刷电路板， 40 ×40 ×1.5毫米;
安装垫漏极引线最低6厘米
2
.
+0.15
1.65
-0.15
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