KSH5027A
2
KSH5027A
◎ SEMIHOW REV.A0 ， 2007年10月
KSH5027A
2
KSH5027A
高电压和高可靠性
- 高速开关
- 宽SOA
3安培
NPN硅功率晶体管
50瓦
绝对最大额定值
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（DC）的
集电极电流（脉冲）
基极电流
集电极耗散（ TC = 25 ℃ ）
结温
储存温度
TC = 25 ℃ ，除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
T
J
T
英镑
等级
1100
800
7
3
10
1.5
50
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
W
℃
℃
TO-220
1.基地
2.收集
3.辐射源
12
3
电气特性
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极电压维持
集电极电流Cut0off
发射Cuto FF电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
输出电容
电流增益带宽积
启动时间
贮存时间
下降时间
TC = 25 ℃ ，除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CEX
（ SUS）的
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
C
ob
f
T
t
on
t
英镑
t
f
测试条件
I
C
= 1mA时，我
E
=0
I
C
= 5毫安，我
B
=0
I
E
= 1mA时，我
E
=0
I
C
= 1.5A ，我
B1
=-I
B2
=0.3A
L = 2MH ，钳位
V
CB
=800V,I
E
=0
V
EB
=5V,I
C
=0
V
CE
=5V,I
C
=0.2A
V
CE
=5V,I
C
=1A
I
C
=1.5A,I
B
=0.3A
I
C
=1.5A,I
B
=0.3A
V
CB
=10V,I
E
= 0中，f =为0.1MHz
民
1100
800
7
800
典型值。
最大
单位
V
V
V
V
10
10
10
8
40
2
1.5
60
15
0.5
3.0
0.3
V
V
V
CE
=10V,I
C
=0.2A
VCC = 400V ， IC = 5A
I
B1
= -2.5A ，我
B2
=2A
R
L
=200
注意：
h
FE1
分类
R
:10 ~ 20,
O
: 15 ~ 30,
Y
: 20 ~ 40
◎ SEMIHOW REV.A0 ， 2007年10月
KSH5027A
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典型特征
图1.静态特性
图2.直流电流增益
图3.基射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和
图4.基射极电压上
图5.开关时间
图6.安全工作区
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KSH5027A
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典型特征
（续）
图7.反向偏压工作区
图8.功率降额
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KSH502
27A
包装尺寸为
TO -
TO- 220 （ A）
9.90
0 20
9 90
±0.20
60
3.
φ
0
.2
±0
4.50
4 50
±0.20
1.30
±0.20
15.70
±0.20
2.80
±0.20
9.19
±0.20
6.50
±0.20
0
1
13.08
±0.20
0.80
±0.20
2.54typ
2.54typ
0.50
±0.20
3
3.02
±0.20
1.27
±0.20
1.52
±0.20
2.40
±0.20
单位：毫米
◎ SEMIHOW REV.A0 ， 2007年10月
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