KSH44H11 / KSH44H11I - NPN外延硅晶体管
2013年11月
KSH44H11 / KSH44H11I
NPN外延硅晶体管
特点
铅形成了表面贴装应用（没有后缀）
直导线（ I- PAK ， “ - I”后缀）
电类似于热门KSE44H
快速开关速度
低集电极 - 发射极饱和电压
描述
设计用于一般用途的功率和交换，如
在应用程序输出或驱动阶段。
应用
开关稳压器
转换器
功率放大器
1
D- PAK
1.Base
1
I- PAK
3.Emitter
2.Collector
订购信息
产品型号
KSH44H11TF
KSH44H11TM
KSH44H11ITU
顶标
KSH44H11
KSH44H11
KSH44H11-I
包
TO- 252 3L （ DPAK ）
TO- 252 3L （ DPAK ）
TO- 251 3L （ IPAK ）
包装方法
磁带和卷轴
磁带和卷轴
轨
绝对最大额定值
应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能无法正常运行或操作
竹叶提取高于推荐的工作条件，并强调部分这些级别是不推荐的。此外
化，长期暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。该
绝对最大额定值仅为应力额定值。值是在T
C
= 25_C除非另有说明。
符号
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
参数
价值
80
5
8
16
20.00
1.75
150
-65到150
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
集电极耗散（T
C
= 25°C)
集电极耗散（T
A
= 25°C)
结温
储存温度
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KSH44H11 / KSH44H11I版本1.1.0
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1
KSH44H11 / KSH44H11I - NPN外延硅晶体管
电气特性
值是在T
C
= 25_C除非另有说明。
符号
V
首席执行官
（ SUS）的
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE
（SAT）
V
BE
（上）
f
T
C
ob
t
ON
t
英镑
t
F
参数
集电极 - 发射极可持续
电压
(1)
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
C
= 30 mA时，我
B
= 0
V
CE
= 80 V，I
B
= 0
V
BE
= 5 V，I
C
= 0
V
CE
= 1 V，I
C
= 2 A
V
CE
= 1 V，I
C
= 4 A
I
C
= 8 A，I
B
= 0.8 A
V
CE
= 10 A，I
C
= 0.5 A
V
CB
= 10 V ， F = 1兆赫
I
C
= 5 A
I
B1
= -I
B2
= - 0.5 A
分钟。
80
典型值。
马克斯。
单位
V
10
50
60
40
1
1.5
50
130
300
500
140
μA
μA
集电极 - 发射极饱和电压I
C
= 8 A，I
B
= 0.4 A
基射极饱和电压
电流增益带宽积
输出电容
开启时间
贮存时间
下降时间
V
V
兆赫
pF
ns
ns
ns
注意：
1.脉冲测试： PW
≤
300
μs,
占空比
≤
2%.
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2
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典型性能特性
1000
100
V
CE
= 1V
I
C
[A] ，集电极电流
I
CP
（最大）
10
h
FE
，直流电流增益
100
I
C
（最大）
1
1m
s
5m
DC
s
10
0
μ
s
50
0
μ
s
10
0.1
1
0.01
0.01
0.1
1
10
1
10
100
1000
I
C
[A] ，集电极电流
V
CE
[V] ，集电极 - 发射极电压
图1.直流电流增益
图2.安全工作区
25
P
C
[W] ，功率耗散
20
15
10
5
0
0
25
50
o
75
100
125
150
175
T
C
[C] ，外壳温度
图3.功率降额
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物理尺寸
TO- 252 3L
图4： 3领先， TO- 252 ， JEDEC TO-252 VAR 。 AB ，表面贴装（ DPAK ） （ ACTIVE ）
封装图纸是作为提供给客户的考虑飞兆半导体产品的服务。图纸可以以任何方式改变
恕不另行通知。请注意，修改和/或日期的图纸上，并联系飞兆半导体代表核实或
获得最新的版本。封装规格并不超出飞兆公司全球范围内的条款和条件的条款，特别是
保修，保修涉及飞兆半导体的产品。
随时访问飞兆半导体在线封装网页，可以获得最新的封装图：
http://www.fairchildsemi.com/dwg/TO/TO252D03.pdf 。
对于当前的磁带和卷轴规格，请访问飞兆半导体在线封装：
http://www.fairchildsemi.com/packing_dwg/PKG-TO252D03.pdf 。
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物理尺寸
（续）
TO- 251 3L
D)
TO251A03REVA.
图5： TO- 251 （ IPAK ）模压， 3 -LEAD （ ACTIVE ）
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保修，保修涉及飞兆半导体的产品。
随时访问飞兆半导体在线封装网页，可以获得最新的封装图：
http://www.fairchildsemi.com/dwg/TO/TO251A03.pdf 。
对于当前的磁带和卷轴规格，请访问飞兆半导体在线封装：
http://www.fairchildsemi.com/packing_dwg/PKG-TO251A03.pdf 。
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