KSH200
KSH200
D- PAK表面贴装应用
高直流电流增益
内置阻尼二极管,在E-C
铅形成了表面装载应用程序(没有后缀)
直导线( I- PAK , “ - I”后缀)
1
D- PAK
1.Base
1
I- PAK
3.Emitter
2.Collector
NPN外延硅晶体管
绝对最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
B
I
C
I
CP
P
C
T
J
T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
基极电流
集电极电流( DC )
集电极电流(脉冲)
集电极耗散(T
C
= 25°C)
集电极耗散(T
a
= 25°C)
结温
储存温度
参数
价值
40
25
8
1
5
10
12.5
1.4
150
- 55 ~ 150
单位
V
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
( SUS)的
I
首席执行官
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE
(SAT)
参数
*集电极发射极耐受电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
*直流电流增益
*集电极 - 发射极饱和电压
测试条件
I
C
= 100mA时我
B
=0
V
CB
= 40V ,我
E
=0
V
EBO
= 8V ,我
C
=0
V
CE
= 1V ,我
C
=500mA
V
CE
= 1V ,我
C
=2A
V
CE
= 2V ,我
C
=5A
I
C
= 500毫安,我
B
=50mA
I
C
= 2A ,我
B
=200mA
I
C
= 5A ,我
B
=1A
I
C
= 5A ,我
B
=2A
V
CE
= 1V ,我
C
=2A
V
CE
= 10V ,我
C
=100mA
V
CB
= 10V ,我
E
= 0中,f =为0.1MHz
65
80
70
45
10
180
0.3
0.75
1.8
2.5
1.6
V
V
V
V
V
兆赫
pF
分钟。
25
马克斯。
100
100
单位
V
nA
nA
V
BE
(SAT)
V
BE
(上)
f
T
C
ob
*基射极饱和电压
*基射极电压ON
电流增益带宽积
输出电容
*脉冲测试: PW≤300μs ,职务Cycle≤2 %
2002仙童半导体公司
修订版A3 , 2002年10月