KSH13009F
0
KSH13009F
◎ SEMIHOW REV.A1 ， 2007年10月
KSH13009F
0
KSH13009F
开关模式系列NPN硅功率晶体管
- 高电压，高速功率开关
- 适用于开关稳压器，逆变器电机控制
12安培
NPN硅功率晶体管
100瓦
绝对最大额定值
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（DC）的
集电极电流（脉冲）
基极电流
集电极耗散（ TC = 25 ℃ ）
结温
储存温度
TC = 25 ℃ ，除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
T
J
T
英镑
等级
700
400
9
12
24
6
50
150
-65~150
单位
V
V
V
A
A
A
W
℃
℃
TO-220F
1.基地
2.收集
3.辐射源
12
3
电气特性
特征
集电极 - 发射极电压维持
发射极截止电流
*直流电流增益
*集电极 - 发射极饱和电压
TC = 25 ℃ ，除非另有说明
符号
V
首席执行官
（ SUS）的
I
EBO
h
FE1
h
FE2
V
CE
（SAT）
测试条件
I
C
= 10毫安，我
B
=0
V
EB
=9V,I
C
=0
V
CE
=5V,I
C
=5A
V
CE
=5V,I
C
=8A
5V ，我8A
I
C
=5A,I
B
=1A
I
C
=8A,I
B
=1.6A
I
C
=12A,I
B
=3A
I
C
=5A,I
B
=1A
I
C
=8A,I
B
=1.6A
V
CB
= 10V ， F =为0.1MHz
V
CE
=10V,I
C
=0.5A
,
VCC = 125V ， IC = 8A
I
B1
= 1.6A ，我
B2
= -1.6A
R
L
=15.6
4
1.1
3
0.7
180
8
6
民
400
1
40
30
1
1.5
3
1.2
1.6
V
V
V
V
V
典型值。
最大
单位
V
*基射极饱和电压
输出电容
电流增益带宽积
启动时间
贮存时间
下降时间
*脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比= 2 ％
V
BE
（SAT）
C
ob
f
T
t
on
t
英镑
t
F
注。
R
hFE1
分类
Y
O
8 ~ 17
15~28
26 ~ 39
Y1(26~33), Y2(31~39)
包装标志的信息。
S
YWW
Z
KSH13009F
S
YWW
Z
SEMIHOW符号
;年份代码， WW ;星期代码
hFE1分类
◎ SEMIHOW REV.A1 ， 2007年10月
KSH13009F
0
典型特征
◎ SEMIHOW REV.A1 ， 2007年10月
KSH13009F
0
典型特征
（续）
◎ SEMIHOW REV.A1 ， 2007年10月
KSH130
009F
包装尺寸为
TO -
TO-220F
±0.20
±0.20
±0 20
.18
φ
3
.20
±0
2.54
±0.20
0.70
±0.20
15.87
±0.20
3.30
±0.20
12
±0.20
2.42
6.6
±0.20
68
2.76
±0.20
9.
±0.20
.75
1.47max
0.80
±0.20
2.54typ
2.54typ
0.50
±0.20
单位：毫米
◎ SEMIHOW REV.A1 ， 2007年10月
汕头华汕电子器件有限公司。
N P N S I L I C 0 NT· RAN S I S T
KSH13009F
█高压开关模式APPLICICATION
高速开关
适用于开关稳压器和Montor控制
█
绝对最大额定值（T
a
=25℃）
T
英镑
--storage
温度..............................
-55~150℃
T
j
--Junction
....................................温度150 ℃
P
C
--Collector
耗散（T
c
=25℃）…………………… 50W
V
CBO
--Collector -基地
电压700V .................................
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………… 400V
V
EBO
--Emitter -基地
....................................电压9V
I
C
--Collector
直流（DC） .................................... 12A
I
CP
--Collector
电流脉冲）
（
……………………………
24A
I
B
内部BASE
Current……………………………………………6A
TO-220F
1―
基地B
2―Collector，C
3发射极，E
█ 电参数
（T
a
=25℃）
符号
特征
民
典型值
最大
单位
测试条件
BV
首席执行官
I
EBO
H
FE
V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极电压维持
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
400
1
8
6
40
30
1
1.5
3
V
mA
I
C
= 10毫安，我
B
=0
V
EB
= 7V ，我
C
=0
V
CE
= 5V ，我
C
=5A
V
CE
= 5V ，我
C
=8A
V
V
V
V
V
pF
兆赫
I
C
= 5A ，我
B
=1A
I
C
= 8A ，我
B
=1.6A
I
C
= 12A ，我
B
=3A
I
C
= 5A ，我
B
=1A
I
C
= 8A ，我
B
=1.6A
V
CB
= 10V ， F =为0.1MHz
V
CE
= 10V ，我
C
=0.5A
V
CC
= 125V ，我
C
=8A,
I
B1
=-I
B2
=1.6A
RL=15.6Ω
V
BE （ SAT ）
COB
f
T
t
ON
t
S
t
F
基地 - 发射极饱和电压
输出电容
电流增益带宽积
启动时间
贮存时间
下降时间
4
180
1.2
1.6
1.1
3.0
0.7
μs
μs
μs
汕头华汕电子器件有限公司。
N P N S I L I C 0 NT· RAN S I S T
KSH13009F
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