KSH122
KSH122
D- PAK表面贴装应用
高直流电流增益
内置阻尼二极管，在E-C
铅形成了表面装载应用程序（没有后缀）
直导线（ I- PAK ， “ - I”后缀）
电类似于热门TIP122
补充KSH127
1
D- PAK
1.Base
1
I- PAK
3.Emitter
2.Collector
NPN硅达林顿晶体管
绝对最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
基极电流
集电极耗散（T
C
=25°C)
集电极耗散（T
a
=25°C)
结温
储存温度
价值
100
100
5
8
16
120
20
1.75
150
- 65 ~ 150
单位
V
V
V
A
A
mA
W
W
°C
°C
R1
R2
E
B
等效电路
C
R1
8k
R
2
0.12
k
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
首席执行官
（ SUS）的
I
首席执行官
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
V
BE
（上）
C
ob
参数
*集电极发射极耐受电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
*直流电流增益
*集电极 - 发射极饱和电压
*基射极饱和电压
*基射极电压上
输出电容
测试条件
I
C
= 30mA时我
B
= 0
V
CE
= 50V ，我
B
=0
V
CB
= 100V ，我
E
= 0
V
EB
= 5V ，我
C
= 0
V
CE
= 4V ，我
C
= 4A
V
CE
= 4V, V
EB
= 8A
I
C
= 4A ，我
B
= 16毫安
I
C
= 8A ，我
B
= 80毫安
I
C
= 8A ，我
B
= 80毫安
V
CE
= 4V ，我
C
= 4A
V
CB
= 10V ，我
E
= 0
F =为0.1MHz
1000
100
分钟。
100
马克斯。
10
10
2
12K
2
4
4.5
2.8
200
V
V
V
V
pF
单位
V
A
A
mA
*脉冲测试： PW≤300μs ，职务Cycle≤2 ％
2002仙童半导体公司
牧师A4 ， 2002年10月
KSH122
KSH122
D- PAK表面贴装应用
高直流电流增益
内置阻尼二极管，在E-C
铅形成了表面装载应用程序（没有后缀）
直导线（ I- PAK ， “ - I”后缀）
电类似于热门TIP122
补充KSH127
1
D- PAK
1.Base
1
I- PAK
3.Emitter
2.Collector
NPN硅达林顿晶体管
绝对最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
基极电流
集电极耗散（T
C
=25°C)
集电极耗散（T
a
=25°C)
结温
储存温度
价值
100
100
5
8
16
120
20
1.75
150
- 65 ~ 150
单位
V
V
V
A
A
mA
W
W
°C
°C
R1
R2
E
B
等效电路
C
R1
8k
R
2
0.12
k
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
首席执行官
（ SUS）的
I
首席执行官
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
V
BE
（上）
C
ob
参数
*集电极发射极耐受电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
*直流电流增益
*集电极 - 发射极饱和电压
*基射极饱和电压
*基射极电压上
输出电容
测试条件
I
C
= 30mA时我
B
= 0
V
CE
= 50V ，我
B
=0
V
CB
= 100V ，我
E
= 0
V
EB
= 5V ，我
C
= 0
V
CE
= 4V ，我
C
= 4A
V
CE
= 4V, V
EB
= 8A
I
C
= 4A ，我
B
= 16毫安
I
C
= 8A ，我
B
= 80毫安
I
C
= 8A ，我
B
= 80毫安
V
CE
= 4V ，我
C
= 4A
V
CB
= 10V ，我
E
= 0
F =为0.1MHz
1000
100
分钟。
100
马克斯。
10
10
2
12K
2
4
4.5
2.8
200
V
V
V
V
pF
单位
V
A
A
mA
*脉冲测试： PW≤300μs ，职务Cycle≤2 ％
2002仙童半导体公司
牧师A4 ， 2002年10月
KSH122 / KSH122I - NPN硅达林顿晶体管
2013年11月
KSH122 / KSH122I
NPN硅达林顿晶体管
特点
描述
设计用于一般用途的功率和交换，如
D- PAK表面贴装应用
在应用程序输出或驱动阶段。
高直流电流增益
内置阻尼二极管，在E-C
铅形成了表面装载应用程序（没有后缀）
直导线（ I- PAK ， “ - I”后缀）
电类似于热门TIP122
补充KSH127
应用
开关稳压器
转换器
功率放大器
等效电路
C
B
1
D- PAK
1.Base
1
I- PAK
3.Emitter
R1
R2
E
2.Collector
R1
8kΩ
R2
0.12kΩ
订购信息
产品型号
KSH122TF
KSH122TM
KSH122ITU
顶标
KSH122
KSH122
KSH122-I
包
TO- 252 3L （ DPAK ）
TO- 252 3L （ DPAK ）
TO- 251 3L （ IPAK ）
包装方法
磁带和卷轴
磁带和卷轴
轨
2002仙童半导体公司
KSH122 / KSH122I版本1.1.0
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1
KSH122 / KSH122I - NPN硅达林顿晶体管
绝对最大额定值
应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能无法正常运行或操作
竹叶提取高于推荐的工作条件，并强调部分这些级别是不推荐的。此外
化，长期暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。该
绝对最大额定值仅为应力额定值。值是在T
C
= 25_C除非另有说明。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
T
J
T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
基极电流
参数
价值
100
100
5
8
16
120
20.00
1.75
150
- 65 150
单位
V
V
V
A
A
mA
W
°C
°C
集电极耗散（T
C
=25°C)
集电极耗散（T
A
=25°C)
结温
储存温度
电气特性
值是在T
C
= 25_C除非另有说明。
符号
V
首席执行官
（ SUS）的
I
首席执行官
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
V
BE
（上）
C
ob
参数
集电极 - 发射极可持续
电压
(1)
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
(1)
集电极 - 发射极饱和
电压
(1)
基射极饱和电压
(1)
基射极电压上
输出电容
(1)
条件
I
C
= 30 mA时，我
B
= 0
V
CE
= 50 V，I
B
=0
V
CB
= 100 V，I
E
= 0
V
EB
= 5 V，I
C
= 0
V
CE
= 4 V，I
C
= 4 A
V
CE
= 4 V, V
EB
= 8 A
I
C
= 4 A，I
B
= 16毫安
I
C
= 8 A，I
B
= 80毫安
I
C
= 8 A，I
B
= 80毫安
V
CE
= 4 V，I
C
= 4 A
V
CB
= 10 V，I
E
= 0 ， F = 0.1 MHz的
分钟。
100
典型值。
马克斯。
单位
V
10
10
2
1000
100
2
4
4.5
2.8
200
12000
μA
μA
mA
V
V
V
pF
注意：
1.脉冲测试： PW
≤
300
μs,
占空比
≤
2%.
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KSH122 / KSH122I版本1.1.0
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2
KSH122 / KSH122I - NPN硅达林顿晶体管
典型性能特性
V
BE
（SAT） ，V
CE
（饱和） [ V]时，饱和电压
10k
10
V
CE
= 4V
I
C
= 250 I
B
V
BE
（SAT）
1
h
FE
，直流电流增益
V
CE
（SAT）
1k
0.1
100
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
100
I
C
[A] ，集电极电流
I
C
[A] ，集电极电流
图1.直流电流增益
图2.基射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
1000
10
V
CC
= 30V
I
C
=250I
B
I
B1
=-I
B2
C
ob
[ pF的] ，电容
100
t
R
,t
D
[
μ
S] ， TURN ON TIME
1
t
R
10
0.1
t
D
, V
BE
(off)=0
1
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
V
CB
[V] ，集电极 - 基极电压
I
C
[A] ，集电极电流
图3.集电极输出电容
图4.开启时间
10
100
V
CC
=30V
I
C
=250I
B
I
C
[A] ，集电极电流
t
英镑
,t
F
[
μ
S] ，关断时间
10
t
英镑
1
t
F
1
1m
5m
s
D
s
C
10
0
μ
s
50
0
μ
s
0.1
0.1
0.1
0.01
1
10
1
10
100
1000
I
C
[A] ，集电极电流
V
CE
[V] ，集电极 - 发射极电压
图5.开启，关闭时间
图6.安全工作区
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KSH122 / KSH122I - NPN硅达林顿晶体管
典型性能特性
（续）
25
P
C
[W] ，功率耗散
20
15
10
5
0
0
25
50
o
75
100
125
150
175
T
C
[C] ，外壳温度
图7.功率降额
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KSH122 / KSH122I - NPN硅达林顿晶体管
物理尺寸
TO- 252 3L
图7： 3领先， TO- 252 ， JEDEC TO-252 VAR 。 AB ，表面贴装（ DPAK ） （ ACTIVE ）
封装图纸是作为提供给客户的考虑飞兆半导体产品的服务。图纸可以以任何方式改变
恕不另行通知。请注意，修改和/或日期的图纸上，并联系飞兆半导体代表核实或
获得最新的版本。封装规格并不超出飞兆公司全球范围内的条款和条件的条款，特别是
保修，保修涉及飞兆半导体的产品。
随时访问飞兆半导体在线封装网页，可以获得最新的封装图：
http://www.fairchildsemi.com/dwg/TO/TO252D03.pdf 。
对于当前的磁带和卷轴规格，请访问飞兆半导体在线封装：
http://www.fairchildsemi.com/packing_dwg/PKG-TO252D03.pdf 。
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