KSE800/801/802/803
KSE800/801/802/803
整体结构采用内置基线
发射极电阻
高直流电流增益：H
FE
= 750 （分钟） @集成电路= 1.5和2.0A的DC
补到KSE700 / 701 / 703分之702
1
TO-126
2.Collector
3.Base
1.发射器
NPN外延硅达林顿晶体管
绝对最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散（T
C
=25°C)
结温
储存温度
： KSE800 / 801
： KSE802 / 803
： KSE800 / 801
： KSE802 / 803
价值
60
80
60
80
5
4
0.1
40
150
- 55 ~ 150
单位
V
V
V
V
V
A
A
W
°C
°C
R1
R2
E
B
等效电路
C
R
1
10
k
R
2
0.6
k
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
首席执行官
参数
集电极 - 发射极击穿电压
： KSE800 / 801
： KSE802 / 803
集电极截止电流
： KSE800 / 801
： KSE802 / 803
集电极截止电流
测试条件
I
C
= 50mA时我
B
= 0
分钟。
60
80
100
100
100
500
2
750
750
100
2.5
2.8
3
2.5
2.5
3
V
V
V
V
V
V
马克斯。
单位
V
V
A
A
A
A
mA
I
首席执行官
V
CE
= 60V ，我
B
= 0
V
CE
= 80V ，我
B
= 0
V
CB
=额定BV
首席执行官
, I
E
= 0
V
CB
=额定BV
首席执行官
, I
E
= 0
T
C
= 100°C
V
BE
= 5V ，我
C
= 0
V
CE
= 3V ，我
C
= 1.5A
V
CE
= 3V ，我
C
= 2A
V
CE
= 3V ，我
C
= 4A
I
C
= 1.5A ，我
B
= 30毫安
I
C
= 2A ，我
B
= 40毫安
I
C
= 4A ，我
B
= 40毫安
V
CE
= 3V ，我
C
= 1.5A
V
CE
= 3V ，我
C
= 2A
V
CE
= 3V ，我
C
= 4A
I
CBO
I
EBO
h
FE
发射极截止电流
直流电流增益
： KSE800 / 802
： KSE801 / 803
：所有器件
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
： KSE800 / 802
： KSE801 / 803
：所有器件
基射极电压上
： KSE800 / 802
： KSE801 / 803
：所有器件
V
BE
（上）
2001仙童半导体公司
牧师A3 ， 2001年6月
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用，不
旨在成为所有此类商标的详尽清单。
* STAR POWER
快
OPTOPLANAR
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
Ensigna
FACT
FACT静音系列
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
MICROWIRE
OPTOLOGIC
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SLIENT SWITCHER
SMART START
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TruTranslation
TinyLogic
UHC
UltraFET
VCX
STAR *电源根据许可证使用
放弃
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
公司。
如本文所用：
2.关键部件是在生命支持任何组件
1.生命支持设备或系统的设备或系统
设备或系统，其未能履行可
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
合理预期造成的生命支持故障
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
如果使用得当按照使用说明
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2001仙童半导体公司
牧师H3
NPN外延
KSE800/801/803
硅达林顿晶体管
高直流电流增益
闵
FE
= 750 @I
C
= 1.5和2.0A的DC
整体结构与
内置基极 - 发射极电阻器
补充KSE700 / 701 /七百〇三分之七百〇二
TO-126
绝对最大额定值
特征
集电极 - 基极电压
： KSE800 / 801
： KSE802 / 803
集电极 - 发射极电压
： KSE800 / 801
： KSE802 / 803
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散（T
C
=25°C)
结温
储存温度
符号
V
CBO
60
80
V
首席执行官
60
80
5
4
0.1
40
150
-55 ~ 150
V
V
V
A
A
W
°C
°C
V
V
等级
单位
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
J
T
英镑
1.辐射源2.收藏家3.基地
电气特性
(T
C
=25°C)
特征
集电极发射极击穿电压
： KSE800 / 801
： KSE802 / 803
收藏家Cuto FF电流
： KSE800 / 801
： KSE802 / 803
收藏家Cuto FF电流
符号
BV
首席执行官
测试条件
I
C
= 50mA时我
B
= 0
民
60
80
I
首席执行官
V
CE
= 60V ，我
B
= 0
V
CE
= 80V ，我
B
= 0
V
CB
=额定BV
首席执行官
, I
E
= 0
V
CB
=额定BV
首席执行官
, I
E
= 0
T
C
= 100°C
V
BE
= 5V ，我
C
= 0
V
CE
= 3V ，我
C
= 1.5A
V
CE
= 3V ，我
C
= 2A
V
CE
= 3V ，我
C
= 4A
I
C
= 1.5A ，我
B
= 30毫安
I
C
= 2A ，我
B
= 40毫安
I
C
= 4A ，我
B
= 40毫安
V
BE
（上）
V
CE
= 3V ，我
C
= 1.5A
V
CE
= 3V ，我
C
= 2A
V
CE
= 3V ，我
C
= 4A
1.2
2.5
3
V
V
V
100
100
100
500
2
750
750
100
2.5
2.8
3
V
V
V
A
A
A
A
mA
最大
单位
V
V
I
CBO
发射Cuto FF电流
直流电流增益
： KSE800 / 802
： KSE801 / 803
：所有器件
集电极 - 发射极饱和电压
： KSE800 / 802
： KSE801 / 803
：所有器件
基射极电压上
： KSE800 / 802
： KSE801 / 803
：所有器件
I
EBO
h
FE
V
CE
（SAT）
版本B
1999仙童半导体公司
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
CoolFET
CROSSVOLT
E
2
CMOS
TM
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
GTO
HiSeC
放弃
等平面
MICROWIRE
POP
的PowerTrench
QS
静音系列
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
TinyLogic
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
QQ：2880707522 复制
