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KSE13003 - NPN硅晶体管
2008年3月
KSE13003
NPN硅晶体管
高压开关模式的应用
高电压能力
高开关速度
适用于开关稳压器和电机控制
1
TO-126
2.Collector
3.Base
1.发射器
绝对最大额定值*
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
T
J
T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
基极电流
T
C
= 25 ° C除非另有说明
(notes_1)
参数
价值
700
400
9
1.5
3
0.75
20
150
-65 ~ 150
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
集电极耗散（T
C
= 25°C)
结温
存储温度范围
*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
NOTES_1 ：
1 ）这些评级是基于150 ° C的最高结温。
2 ）这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
h
FE
分类
分类
h
FE
*
*在V测试
CE
= 2V ，我
C
= 0.5A.
H1
9 ~ 16
H2
14~ 21
H3
19 ~ 26
2007仙童半导体公司
KSE13003版本1.0.0
1
www.fairchildsemi.com
KSE13003 - NPN硅晶体管
电气特性
符号
BV
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE
（SAT）
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极截止电流
*直流电流增益
*集电极发射极饱和电压
条件
I
C
= 5毫安，我
B
= 0
V
EB
= 9V ，我
C
= 0
V
CE
= 2V ，我
C
= 0.5A
V
CE
= 2V ，我
C
=1A
I
C
= 0.5A ，我
B
= 0.1A
I
C
= 1A ，我
B
= 0.25A
I
C
= 1.5A ，我
B
= 0.5A
I
C
= 0.5A ，我
B
= 0.1A
I
C
= 1A ，我
B
= 0.25A
V
CB
= 10V ， F =为0.1MHz
V
CE
= 10V ，我
C
= 0.1A
V
CC
= 125V ，我
C
= 1A
I
B1
= 0.2A ，我
B2
= - 0.2A
R
L
= 125W
分钟。
400
典型值。
最大
10
单位
V
mA
8
5
40
0.5
1
3
1
1.2
21
V
V
V
V
V
pF
兆赫
1.1
4.0
0.7
ms
ms
ms
V
BE
（SAT）
C
ob
f
T
t
ON
t
英镑
t
F
*基极发射极饱和电压
输出电容
电流增益带宽积
启动时间
贮存时间
下降时间
4
*脉冲测试：脉冲宽度= 5毫秒，占空比Cycle≤10 ％
包装标志和订购信息
设备项目
(notes_2)
KSE13003H1ASTU
KSE13003H2ASTU
KSE13003H3ASTU
Notes_2 ：
1）词缀“ -H1 / -H2 / -H3 ”指的hFE分类。
2） Sufix “ -STU ”指TO126短引线封装和管填充物的方法，它可以是上fairchildsemi网站http://www.fairchildsemi.com
器件标识
1 E13003
2 E13003
3 E13003
包
TO-126
TO-126
TO-126
包装方法
管
管
管
备注
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KSE13003版本1.0.0
2
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KSE13003 - NPN硅晶体管
典型性能特性
2.0
100
I
C
[A] ，集电极电流
1.6
h
FE
，直流电流增益
I
B
= 500毫安
I
B
= 450毫安
I
B
= 400毫安
V
CE
= 2V
1.2
I
B
= 350毫安
I
B
= 300毫安
I
B
= 250毫安
I
B
= 200毫安
I
B
= 150毫安
I
B
= 100毫安
I
B
= 50毫安
10
0.8
1
0.4
I
B
= 0毫安
0.0
0
1
2
3
4
5
0.1
0.01
0.1
1
10
V
CE
[V] ，集电极 - 发射极电压
I
C
[A] ，集电极电流
图1.静态特性
图2.直流电流增益
V
BE
（SAT） ，V
CE
（饱和） [ V]时，饱和电压
10
10
I
C
= 4 I
B
t
英镑
, t
F
[
m
S] ，时间
1
V
BE
（SAT）
t
英镑
1
t
F
0.1
0.1
V
CE
（SAT）
0.01
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
I
C
[A] ，集电极电流
I
C
[A] ，集电极电流
图3.基射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
图4.开关时间
10
30
I
C
MAX 。 （脉冲）
m
s
10
25
s
1m
I
C
[A] ，集电极电流
P
C
[W] ，功率耗散
I
C
MAX 。 （DC）的
1
s
5m
s
0
m
10
20
15
0.1
10
5
0.01
0
1
10
100
1000
0
25
50
o
75
100
125
150
175
V
CE
[V] ，集电极 - 发射极电压
T
C
[C] ，外壳温度
图5.安全工作区
2007仙童半导体公司
KSE13003版本1.0.0
3
图6.功率降额
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KSE13003
KSE13003 NPN硅晶体管
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