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KSD1691
KSD1691
特征
低集电极Emtter饱和电压&大型集电极电流
高功率耗散：P
C
= 1.3W （T
a
=25°C)
为了配合KSB1151
1
TO-126
2.Collector
3.Base
1.发射器
NPN外延硅晶体管
绝对最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
P
C
T
J
T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
*集电极电流（脉冲）
基极电流（DC）的
集电极耗散（T
a
=25°C)
集电极耗散（T
C
=25°C)
结温
储存温度
参数
价值
60
60
7
5
8
1
1.3
20
150
- 55 ~ 150
单位
V
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
* PW≤10ms ，职务Cycle≤50 ％
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
h
FE3
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
t
ON
t
英镑
t
F
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
*直流电流增益
测试条件
V
CB
= 50V ，我
E
= 0
V
EB
= 7V ，我
C
= 0
V
CE
= 1V ，我
C
= 0.1A
V
CE
= 1V ，我
C
= 2A
V
CE
= 1V ，我
C
= 5A
I
C
= 2A ，我
B
= 0.2A
I
C
= 2A ，我
B
= 0.2A
V
CC
= 10V ，我
C
= 2A
I
B1
= - I
B2
= 0.2A
R
L
= 5
60
100
50
0.1
0.9
0.2
1.1
0.2
分钟。
典型值。
马克斯。
10
10
400
0.3
1.2
1
2.5
1
V
V
s
s
s
单位
A
A
*集电极 - 发射极饱和电压
*基射极饱和电压
启动时间
贮存时间
下降时间
*脉冲测试： PW≤50μs ，值班Cycle≤2 ％脉冲
h
FE
Classificntion
分类
h
FE 2
O
100 ~ 200
Y
160 ~ 320
G
200 ~ 400
2000仙童半导体国际
版本A ， 2000年2月
KSD1691
典型特征
10
1000
IC [ A] ，集电极电流
I
B
=
20
I
B
=
0mA
15
0m
A
8
I
B
= 60毫安
h
FE
，直流电流增益
00m
I
B
= 1
A
V
CE
= 2V
I
B
= 80毫安
100
V
CE
= 1V
6
4
0毫安
I
B
= 4
mA
I
B
= 3 0
I
B
= 20mA下
10
I
B
= 10毫安
2
I
B
= 0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
1
0.01
0.1
1
10
V
CE
[V] ，集电极 - 发射极电压
I
C
[A] ，集电极电流
图1.静态特性
图2.直流电流增益
V
BE
（SAT） ，V
CE
（饱和） [ V]时，饱和电压
10
10
IC = 10我
B
IC （脉冲）最大
2m
S
I
C
[A] ，集电极电流
集成电路（DC）的最大
10
S
m
D
is
20
m
S
Li
0m
0：N
i
t
pa
si
1
V
BE
（SAT）
IT ê
1
d
b
s/
0.1
0.01
0.1
1
10
0.1
1
10
V
首席执行官
（最大）
100
ITE
m
Li
d
V
CE
(s
a
t)
I
C
[A] ，集电极电流
V
CE
[V] ，集电极 - 发射极电压
图3.集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
图4.正向偏置安全工作区
10
160
140
I
C
[A] ，集电极电流
8
120
d
T
[％] ，集成电路降额
100
6
80
S / B
DI
LIM
4
60
ITE
D
TI
O
V
首席执行官
（ SUS）的
SS
IP
A
40
2
N
LI
20
M
IT
ED
0
20
40
60
80
100
0
0
25
50
o
75
100
125
150
175
200
V
CE
[V] ，集电极 - 发射极电压
T
C
[C] ，外壳温度
图5.反向偏置安全工作区
安全工作区图6.降额曲线
2000仙童半导体国际
版本A ， 2000年2月
KSD1691
典型特征
（续）
30
25
P
C
[W] ，功率耗散
20
15
10
5
0
25
50
o
75
100
125
150
175
T
C
[C] ，外壳温度
图7.功率降额
2000仙童半导体国际
版本A ， 2000年2月
KSD1691
包装Demensions
TO-126
±0.10
3.90
8.00
±0.30
3.25
±0.20
14.20MAX
3.20
±0.10
11.00
±0.20
(1.00)
0.75
±0.10
1.60
±0.10
0.75
±0.10
±0.30
(0.50)
1.75
±0.20
#1
2.28TYP
[2.28±0.20]
2.28TYP
[2.28±0.20]
13.06
16.10
±0.20
0.50
–0.05
+0.10
单位：毫米
2000仙童半导体国际
版本A ， 2000年2月
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
E
2
CMOS
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
GTO
放弃
HiSeC
等平面
MICROWIRE
POP
的PowerTrench
QFET
QS
静音系列
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
UHC
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
国际。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
如果使用得当按照使用说明
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持任何组件
设备或系统，其未能履行可
合理预期造成的生命支持故障
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2000仙童半导体国际
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