【KSD1273KSD1273高FE， AF功率放大器 “全PAK ”打包成简体了一个螺丝，只有安装，】,IC型号KSD1273,KSD1273 PDF资料,KSD1273经销商,ic,电子元器件-51电子网

KSD1273

高

， AF功率放大器

“全PAK ”打包成简体了一个螺丝，只有安装，需要

没有绝缘体。

TO-220F

2.Collector

3.Emitter

1.Base

NPN外延硅晶体管

绝对最大额定值

= 25 ° C除非另有说明

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

集电极电流（脉冲）

基极电流

集电极耗散（T

=25°C)

集电极耗散（T

=25°C)

结温

储存温度

参数

价值

150

- 55 ~ 150

单位

°C

电气特性

= 25 ° C除非另有说明

符号

首席执行官

CBO

首席执行官

EBO

（SAT）

参数

集电极 - 发射极电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

电流增益带宽积

测试条件

= 25毫安，我

= 0

= 80V ，我

= 0

= 60V ，我

= 0

= 6V ，我

= 0

= 4V ，我

= 0.5A

= 2A ，我

= 0.05A

= 12V，我

= 0.2A

500

分钟。

典型值。

马克斯。

100

2500

兆赫

单位

分类

500 ~ 1000

800 ~ 1500

1200 ~ 2500

2001仙童半导体公司

牧师A1 ， 2001年6月

KSD1273

典型特征

2.0

1.8

10000

= 4V

= 1.2毫安

= 1毫安

= 800uA

= 600uA

= 400UA

IC [ A] ，集电极电流

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

，直流电流增益

1000

100

= 200uA

0.01

0.1

[V] ，集电极 - 发射极电压

[A] ，集电极电流

图1.静态特性

图2.直流电流增益

10000

（SAT） [毫伏] ，饱和电压

= 4V

= 50 I

125 C

，直流电流增益

1000

75 C

25 C

1000

25 C

75 C

125 C

100

0.01

0.1

0.01

0.1

[A] ，集电极电流

IC [ A] ，集电极电流

图3.直流电流增益

图4.基射极饱和电压

集电极 - 发射极饱和电压

10000

（SAT），V

（饱和） [ V]时，饱和电压

（SAT） [毫伏] ，饱和电压

= 50 I

= 40 I

25 C

1000

（SAT）

75 C

125 C

（SAT）

100

0.1

（SAT）

0.01

0.1

0.01

0.1

[A] ，集电极电流

图5.集电极基极饱和电压

图6.基射极饱和电压

2001仙童半导体公司

牧师A1 ， 2001年6月

KSD1273

典型特征

（续）

F = 1MHz的

100

[兆赫] ，电流增益带宽积

1000

[ pF的] ，电容

100

1000

0.01

0.1

[V] ， COLLECTO - 基极电压

[A] ，集电极电流

图7.集电极输出电容

图8.电流增益带宽积

最大值（脉冲）

1mS

(1)

[A] ，集电极电流

（最大）

[W] ，功率耗散

(1): T

（ 2 ）：随着100x100x2mm

铝散热器

（ 3 ）：不带散热片

=2W)

10m

(2)

(3)

0.1

100

125

150

175

[V] ，集电极 - 发射极电压

[C] ，温度

图9.安全工作区

图10.功率降额

2001仙童半导体公司

牧师A1 ， 2001年6月

KSD1273

包装Demensions

TO-220F

3.30

±0.10

10.16

±0.20

(7.00)

3.18

±0.10

2.54

±0.20

(0.70)

6.68

±0.20

15.80

±0.20

(1.00x45°)

MAX1.47

9.75

±0.30

0.80

±0.10

)

0.35

±0.10

2.54TYP

[2.54

±0.20

]

0.50

–0.05

2.54TYP

[2.54

±0.20

]

4.70

±0.20

+0.10

2.76

±0.20

9.40

±0.20

单位：毫米

2001仙童半导体公司

牧师A1 ， 2001年6月

15.87

±0.20

商标

下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用，不

旨在成为所有此类商标的详尽清单。

* STAR POWER

快

OPTOPLANAR

ACEX

深不见底

CoolFET

CROSSVOLT

DenseTrench

DOME

EcoSPARK

CMOS

Ensigna

FACT

FACT静音系列

FASTr

FRFET

GlobalOptoisolator

GTO

HiSeC

等平面

LittleFET

的MicroFET

MICROWIRE

OPTOLOGIC

吃豆

POP

Power247

的PowerTrench

QFET

QT光电

静音系列

SLIENT SWITCHER

SMART START

隐形

SuperSOT-3

SuperSOT-6

SuperSOT-8

SyncFET

TruTranslation

TinyLogic

UHC

UltraFET

VCX

STAR *电源根据许可证使用

放弃

飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利

产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何

责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;

它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。

生命支持政策

飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件

设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准

公司。

如本文所用：

2.关键部件是在生命支持任何组件

1.生命支持设备或系统的设备或系统

设备或系统，其未能履行可

其中，（ a）打算通过外科手术移植到体内，

或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行

合理预期造成的生命支持故障

装置或系统，或影响其安全性或有效性。

如果使用得当按照使用说明

提供的标签，可以合理预期

造成显著伤害到用户。

产品状态定义

条款的德网络nition

数据表标识

超前信息

产品状态

阶段或

设计

一是生产

德网络nition

该数据表包含了设计规范

产品开发。特定网络阳离子可改变

恕不另行通知方式。

该数据表包含的初步数据，和

补充资料将在晚些时候公布。

飞兆半导体保留做出正确的

在任何时候，恕不另行通知，以提高变化

设计。

该数据表包含最终规格。飞兆半导体

半导体公司保留在作出变更的权利

恕不另行通知，以便随时改进设计。

该数据表包含在产品规格

已经停产了仙童半导体公司。

数据表打印仅供参考信息。

初步

没有Identi网络所需的阳离子

满负荷生产

过时的

不在生产中

2001仙童半导体公司

牧师H3