【KSC5802DKSC5802D高压彩色显示水平偏转输出（内置在阻尼二极管）高击穿电压BVCBO=1】,IC型号KSC5802D,KSC5802D PDF资料,KSC5802D经销商,ic,电子元器件-51电子网

KSC5802D

高压彩色显示水平

偏转输出

（内置在阻尼二极管）

高击穿电压BV

CBO

=1500V

高速开关：吨

=为0.1μs （典型值）。

广S.O.A

对于C -监视器（ 69KHz ）

等效电路

50Ω （典型值）。

TO-3PF

2.Collector

3.Emitter

1.Base

NPN型三重扩散平面硅晶体管

绝对最大额定值

= 25 ° C除非另有说明

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

集电极电流（脉冲）

集电极耗散（T

=25°C)

结温

储存温度

参数

价值

1500

800

150

- 55 ~ 150

单位

°C

电气特性

= 25 ° C除非另有说明

符号

CES

CBO

EBO

FE1

FE2

（SAT）

参数

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

下降时间

测试条件

= 1400V, V

= 800V ，我

= 0

= 4V ，我

= 0

= 5V ，我

= 1A

= 5V ，我

= 6A

= 6A ，我

= 1.5A

= 6A ，我

= 1.5A

= 200V ，我

= 6A

= 1.2A ，我

= - 2.4A

= 33.3

0.1

分钟。

典型值。

马克斯。

250

11.5

1.5

0.3

单位

2000仙童半导体国际

版本A ， 2000年2月

KSC5802D

典型特征

100

=5V

[A] ，集电极电流

= 400毫安

= 300毫安

= 200毫安

= 100毫安

，直流电流增益

= 1.0A

= 900毫安

= 800毫安

= 700毫安

= 600毫安

= 500毫安

0.1

[V] ，集电极 - 发射极电压

[A] ，集电极电流

图1.静态Characterisic

图2.直流电流增益

（SAT） [毫伏] ，饱和电压

= 5V

[A] ，集电极电流

=5I

=3I

0.1

0.01

0.1

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

2.0

[A] ，集电极电流

[ V]时，基极发射极电压

图3.集电极 - 发射极饱和电压

图4.基射极电压上

100

阻性负载

[A] ，集电极电流

=200V

=6A

=1.2A

TSTG [

S] ，存储时间

[

S] ，下降时间

TSTG

100ms

10ms

100

1ms

0.1

单脉冲

Tc=25℃

0.01

0.1

100

1000

-I

[A] ，基极电流

[V] ，集电极 - 发射极电压

图5.开关时间

图6.安全工作区

2000仙童半导体国际

版本A ， 2000年2月

KSC5802D

典型特征

（续）

100

[A] ，集电极电流

[W] ，功率耗散

10000

= -1A常量

（在我

> = 5A）

= 5I

L = 500

单脉冲

0.1

100

1000

100

125

150

175

200

[V] ，集电极 - 发射极电压

[

℃

] ，外壳温度

图7.反向偏置安全工作区

图8.功率降额

2000仙童半导体国际

版本A ， 2000年2月

KSC5802D

包装Demensions

TO-3PF

5.50

±0.20

4.50

±0.20

15.50

±0.20

3.60

±0.20

3.00

±0.20

(1.50)

10.00

±0.20

26.50

±0.20

23.00

±0.20

16.50

±0.20

14.50

±0.20

0.85

±0.03

16.50

±0.20

2.00

±0.20

14.80

±0.20

2.00

±0.20

2.00

±0.20

4.00

±0.20

0.75

–0.10

+0.20

2.00

±0.20

2.50

±0.20

2.00

±0.20

3.30

±0.20

5.45TYP

[5.45

±0.30

]

5.45TYP

[5.45

±0.30

]

0.90

–0.10

+0.20

3.30

±0.20

2.00

±0.20

5.50

±0.20

1.50

±0.20

单位：毫米

2000仙童半导体国际

版本A ， 2000年2月

22.00

±0.20

商标

下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是

并非意在将所有这样的商标的详尽清单。

ACEX

深不见底

CoolFET

CROSSVOLT

CMOS

FACT

FACT静音系列

快

FASTr

GTO

放弃

HiSeC

等平面

MICROWIRE

POP

的PowerTrench

QFET

静音系列

SuperSOT-3

SuperSOT-6

SuperSOT-8

SyncFET

TinyLogic

UHC

VCX

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产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何

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它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。

生命支持政策

飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件

设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准

国际。

如本文所用：

1.生命支持设备或系统的设备或系统

其中，（ a）打算通过外科手术移植到体内，

或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行

如果使用得当按照使用说明

提供的标签，可以合理预期

造成显著伤害到用户。

2.关键部件是在生命支持任何组件

设备或系统，其未能履行可

合理预期造成的生命支持故障

装置或系统，或影响其安全性或有效性。

产品状态定义

条款的德网络nition

数据表标识

超前信息

产品状态

阶段或

设计

一是生产

德网络nition

该数据表包含了设计规范

产品开发。特定网络阳离子可改变

恕不另行通知方式。

该数据表包含的初步数据，和

补充资料将在晚些时候公布。

飞兆半导体保留做出正确的

在任何时候，恕不另行通知，以提高变化

设计。

该数据表包含最终规格。飞兆半导体

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初步

没有Identi网络所需的阳离子

满负荷生产

过时的

不在生产中

2000仙童半导体国际

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