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KSC5321
KSC5321
高电压和高可靠性
高开关速度
宽安全工作区
1
TO-220
2.Collector
3.Emitter
1.Base
NPN型三重扩散平面硅晶体管
绝对最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
I
BP
P
C
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
*集电极电流（脉冲）
基极电流（DC）的
*基本电流（脉冲）
功率耗散（T
C
=25°C)
结温
储存温度
价值
800
500
7
5
10
2
4
100
150
- 55 ~ 150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
*脉冲测试：脉冲宽度= 5毫秒，占空比Cycle≤10 ％
热特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
R
θJC
R
θJA
热阻
特征
结到外壳
结到环境
等级
1.25
62.5
单位
° C / W
2000仙童半导体国际
版本A ， 2000年2月
KSC5321
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
f
T
C
ob
C
ib
t
ON
t
英镑
t
F
t
ON
t
英镑
t
F
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
电流增益带宽积
输出电容
输入电容
启动时间
贮存时间
下降时间
启动时间
贮存时间
下降时间
测试条件
I
C
= 1mA时，我
E
= 0
I
C
= 5毫安，我
B
= 0
I
C
= 1mA时，我
C
= 0
V
CB
= 800V ，我
E
= 0
V
EB
= 7V ，我
C
= 0
V
CE
= 5V ，我
C
= 0.6A
V
CE
= 5V ，我
C
= 3A
I
C
= 3A ，我
B
= 0.6A
I
C
= 3A ，我
B
= 0.6A
V
CE
= 10V ，我
C
= 0.6A
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
V
EB
= 7V ，我
C
= 0中，f = 1MHz的
V
CC
= 125V ，我
C
= 1A
I
B1
= -I
B2
= 0.2A
R
L
= 125
V
CC
= 250V ，我
C
= 4A
I
B1
= 0.8A ，我
B2
= -1.6A
R
L
= 62.5
分钟。
800
500
7
-
-
15
8
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
14
65
1400
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
100
10
40
-
1.0
1.5
-
100
2000
0.5
6.5
0.3
0.5
3.0
0.3
V
V
兆赫
pF
pF
s
s
s
s
s
s
单位
V
V
V
A
A
2000仙童半导体国际
版本A ， 2000年2月
KSC5321
典型特征
5
I
B
=
0m
70
A
100
I
C
[A] ，集电极电流
4
3
I
B
= 200
mA
h
FE
，直流电流增益
00米一
I
B
= 6
0米一
I
B
= 50
0米一
I
B
= 40
0米一
I
B
= 3 0
V
CE
= 5V
10
2
I
B
= 100m
A
1
0
0
2
4
6
8
10
1
0.01
0.1
1
10
V
CE
[V] ，集电极 - 发射极电压
I
C
[A] ，集电极电流
图1.静态特性
图2.直流电流增益
V
BE
（SAT） ，V
CE
（饱和） [ V]时，饱和电压
10
1000
I
C
= 5 I
B
F = 1MHz的
I
E
= 0
1
C
ob
[ pF的] ，电容
V
BE
（SAT）
100
0.1
V
CE
（SAT）
10
0.01
0.01
1
0.1
1
10
1
10
100
1000
I
C
[A] ，集电极电流
V
CB
[V] ，集电极 - 基极电压
图3.基射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
图4.集电极输出电容
10
100
I
C
[A] ，集电极电流
t
ON
, t
英镑
, t
F
[
S] ，时间
t
英镑
1
10
脉冲
DC
50
s
0
10
s
s
1m
1
t
ON
0.1
m
10
t
F
s
0.1
0.01
0.1
0.01
1
10
1
10
100
1000
I
C
[A] ，集电极电流
V
CE
[V] ，集电极 - 发射极电压
图5.开关时间
图6.安全工作区
2000仙童半导体国际
版本A ， 2000年2月
KSC5321
典型特征
（续）
100
120
I
B2
= -1A
L = 200
H
100
I
C
[A] ，集电极电流
10
P
C
[W] ，功率耗散
80
1
60
40
0.1
20
0.01
10
100
1000
10000
0
0
25
50
o
75
100
125
150
175
V
CE
[V] ，集电极 - 发射极电压
T
C
[C] ，外壳温度
图7.反向偏置安全工作区
图8.功率降额
2000仙童半导体国际
版本A ， 2000年2月
KSC5321
包装Demensions
TO-220
9.90
±0.20
1.30
±0.10
2.80
±0.10
4.50
±0.20
(8.70)
3.60
±0.10
(1.70)
1.30
–0.05
+0.10
9.20
±0.20
(1.46)
13.08
±0.20
(1.00)
(3.00)
15.90
±0.20
1.27
±0.10
1.52
±0.10
0.80
±0.10
2.54TYP
[2.54
±0.20
]
2.54TYP
[2.54
±0.20
]
10.08
±0.30
18.95MAX.
(3.70)
)
(45
°
0.50
–0.05
+0.10
2.40
±0.20
10.00
±0.20
单位：毫米
2000仙童半导体国际
版本A ， 2000年2月
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
KSC5321
描述
-collector极 - 发射极
击穿电压 -
: V
（ BR ） CEO
= 500V （最小值）
高
开关速度
ùWide
安全工作区
应用
·设计
用于开关稳压器和通用
应用程序。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
基极电流连续
基极电流峰值
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
结温
存储温度范围
价值
800
500
7
5
10
2
4
100
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
℃
℃
I
BM
P
C
T
J
T
英镑
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
C
OB
f
T
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
输出电容
电流增益带宽积
条件
I
C
= 1毫安;我
E
= 0
I
C
= 5毫安;我
B
= 0
B
KSC5321
民
800
500
7
典型值。
最大
单位
V
V
V
I
E
= 1毫安;我
C
= 0
I
C
= 3A ;我
B
= 0.6A
B
1.0
1.5
10
10
15
8
65
14
40
V
V
μA
μA
I
C
= 3A ;我
B
= 0.6A
B
V
CB
= 800V ;我
E
= 0
V
EB
= 7V ;我
C
=0
I
C
= 0.6A ; V
CE
= 5V
I
C
= 3A ; V
CE
= 5V
I
E
= 0; V
CB
= 10V ; F
TEST
= 1MHz的
I
C
= 0.6A ; V
CE
= 10V ; F
TEST
= 1MHz的
pF
兆赫
开关时间
t
on
t
s
t
f
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 4A ;我
B1
= 0.8A ;我
B2
= -1.6A;
V
CC
= 250V
I
C
= 1A ;我
B1
= -I
B2
=0.2A;
V
CC
= 125V
0.5
6.5
0.3
0.5
3.0
0.3
μs
μs
μs
μs
μs
μs
ISC的网站： www.iscsemi.cn
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K6X0808T1D-B
KVR133X64C3256
KBPC3501PW
KSN-3309A-119
KHD101E106M80A0B00
K4F661612C-L
KT872N11
KMM372F1680BK
KBPC3516F
KM62U256DLRGE-8L
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    KSC5321
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市芯泽盛世科技有限公司
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电话：0755-89697985
联系人：李
地址：深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
KSC5321
Fairchild Semiconductor
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10000
TO-220-3
原厂一级代理，原装现货
深圳市诺洋电子科技有限公司
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电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
KSC5321
FSC
24+
8420
TO-220AB
全新原装现货，原厂代理。
深圳市裕硕科技有限公司
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电话：0755-23613962/82706142
联系人：雷小姐
地址：深圳市福田区华强北街道华红社区红荔路3002号交行大厦一单元711
KSC5321
FSC
2024+
9675
TO-220AB
优势现货，全新原装进口
深圳市世品佳电子有限公司
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电话：0755-/83218466/83200833
联系人：销售部
地址：深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
KSC5321
Fairchild Semiconductor
24+
22000
000￥/片,原装正品假一赔百！
深圳市海虹微电子有限公司
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电话：0755-83291010 83678410
联系人：赵小姐
地址：深圳市福田区华强北华联发大厦西座402
KSC5321
FAIRCHILD/仙童
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33000
百分百进口正品原装现货 支持实单！
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联系人：张
地址：福田区上步工业区505栋六楼608室(钟表市场楼上)
KSC5321
FSC
2020+
8700
原厂封装
全新原装正品，可售样，可开13%增值税
深圳市向鸿伟业电子有限公司
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电话：0755-82561519 0755-82567969 18928435545
联系人：李
地址：深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
KSC5321
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
KSC5321
FAIRCHILD/仙童
21+
15360
TO-220
全新原装正品/质量有保证
上海意淼电子科技有限公司
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电话：13681678667
联系人：吴
地址：上海市宝山区大场镇锦秋路699弄锦秋花园
KSC5321
FAIRCHILD
23+
80000
原厂封装
只做进口原装，假一赔十；欢迎致电：杨先生15001712988
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电话：0755-15913992480
联系人：林
地址：深圳市福田区东方时代A2705
KSC5321
FSC
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