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KSC5026M - NPN硅晶体管
2011年1月
KSC5026M
NPN硅晶体管
特点
高电压和高可靠性
高开关速度
宽SOA
1
TO-126
2.Collector
3.Base
1.发射器
绝对最大额定值
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
T
J
T
英镑
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
基极电流
集电极耗散（T
C
=25°C)
结温
储存温度
价值
1100
800
7
1.5
5
0.8
20
150
- 55 150
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
包装标志和订购信息
产品型号
KSC5026MOS*
记号
C5026M-O
包
TO-126
包装方法
体积
备注
*后缀"M" & "S" FSID的表示TO126封装，后缀FSID的"O"指H
FE
级
2011仙童半导体公司
KSC5026M B3版本
1
www.fairchildsemi.com
KSC5026M - NPN硅晶体管
电气特性
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
V
CEX
（ SUS）的
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极电压维持
测试条件
I
C
= 1mA时，我
E
= 0
I
E
= 1mA时，我
C
= 0
I
C
= 0.75A,
I
B1
= -I
B2
= 0.15A,
L = 5mH ，钳位
V
CB
= 800V ，我
E
= 0
V
EB
= 5V ，我
C
= 0
V
CE
= 5V ，我
C
= 0.1A
V
CE
= 5V ，我
C
= 0.5A
I
C
= 0.75A ，我
B
= 0.15A
I
C
= 0.75A ，我
B
= 0.15A
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
V
CE
= 10V ，我
C
= 0.1A
V
CC
= 400V
I
C
= 5I
B1
= -2.5I
B2
= 1A
R
L
= 400Ω
分钟。
1100
800
7
800
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
V
集电极 - 发射极击穿电压余
C
= 5毫安，我
B
= 0
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
C
ob
f
T
t
ON
t
英镑
t
F
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
输出电容
电流增益带宽积
启动时间
贮存时间
下降时间
10
10
10
8
40
2
1.5
35
15
0.5
3
0.3
μA
μA
V
V
pF
兆赫
μs
μs
μs
h
FE
分类
分类
h
FE1
N
10 ~ 20
R
15 ~ 30
O
20 ~ 40
2011仙童半导体公司
KSC5026M B3版本
2
www.fairchildsemi.com
KSC5026M - NPN硅晶体管
典型性能特性
2.0
1.8
1000
V
CE
= 5V
I
C
[A] ，集电极电流
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
1
2
3
4
5
6
7
h
FE
，直流电流增益
10
100
I
B
= 120毫安
I
B
= 100毫安
I
B
= 80毫安
I
B
= 60毫安
I
B
= 40毫安
I
B
= 20mA下
I
B
= 10毫安
I
B
= 5毫安
I
B
= 0
8
9
10
1
0.01
0.1
1
10
100
V
CE
[V] ，集电极 - 发射极电压
I
C
[A] ，集电极电流
图1.静态特性
图2.直流电流增益
V
BE
（SAT） ，V
CE
（饱和） [ V]时，饱和电压
10
1.6
I
C
= 5 I
B
1.4
V
CE
= 5V
I
C
[A] ，集电极电流
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
1
V
BE
（SAT）
0.1
V
CE
（SAT）
0.01
0.01
0.1
1
10
0.0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
I
C
[A] ，集电极电流
V
BE
[ V]时，基极发射极电压
图3.基射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
10
10
图4.基射极电压上
I
C
（最大值）。 （脉冲）
s
1m
s
0
μ
10
I
C
[A] ，集电极电流
t
ON
, t
英镑
, t
F
[
μ
S] ，时间
t
英镑
1
1
I
C
（最大）
DC
ms
10
t
ON
t
F
0.1
0.1
0.01
0.01
0.1
1
10
1E-3
1
10
100
1000
I
C
[A] ，集电极电流
V
CE
[V] ，集电极 - 发射极电压
图5.开关时间
图6.安全工作区
2011仙童半导体公司
KSC5026M B3版本
3
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KSC5026M - NPN硅晶体管
典型性能特性
100
（续）
30
I
B
2 = -0.15A
I
C
[A] ，集电极电流
10
P
C
[W] ，功率耗散
100
1000
10000
20
1
10
0.1
0.01
10
0
0
25
50
o
75
100
125
150
175
V
CE
[V] ，集电极 - 发射极电压
T
C
[C] ，外壳温度
图7.反向偏置安全工作区
图8.功率降额
2011仙童半导体公司
KSC5026M B3版本
4
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KSC5026M - NPN硅晶体管
物理尺寸
TO-126
±0.10
3.90
8.00
±0.30
3.25
±0.20
14.20MAX
3.20
±0.10
11.00
±0.20
(1.00)
0.75
±0.10
1.60
±0.10
±0.30
(0.50)
1.75
±0.20
0.75
±0.10
#1
2.28TYP
[2.28±0.20]
2.28TYP
[2.28±0.20]
13.06
16.10
±0.20
0.50
–0.05
+0.10
单位：毫米
2011仙童半导体公司
KSC5026M B3版本
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