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KSC2982 NPN外延硅晶体管
2005年7月
KSC2982
NPN外延硅晶体管
频闪闪光灯&中等功率放大器
优秀
FE
线性：H
FE1
=140 ~ 600
低集电极 - 发射极饱和电压： V
CE
(sat)=0.5V
集电极耗散：P
C
= 1 2W装于陶瓷板
记号
2 9
P Y [
1
8 2
W W
每周码
年份代码
h
FE
grage
SOT-89
1.底座2.收藏家3.发射
绝对最大额定值
符号
V
CBO
V
CES
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
I
BP
P
C
P
C
*
T
J
T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲） *
基极电流（DC）的
基极电流（脉冲） *
T
a
= 25 ° C除非另有说明
参数
价值
30
30
10
6
2
4
0.4
0.8
500
1,000
150
-55 ~ 150
单位
V
V
V
V
A
A
A
A
mW
mW
°C
°C
集电极耗散功率
结温
储存温度
* PW
≤
为10ms ，占空比
≤
30%
安装在陶瓷板上（ 250毫米
2
X 0.8毫米）
2005仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
KSC2982 B3版本
KSC2982 NPN外延硅晶体管
电气特性
T
符号
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
V
CE
（SAT）
V
BE
（上）
f
T
C
ob
a
=
25 ° C除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
电流增益带宽积
输出电容
测试条件
I
C
= 10毫安，我
B
= 0
I
E
= 1mA时，我
C
= 0
V
CB
= 30V ，我
E
= 0
V
BE
= 6V ，我
C
= 0
V
CE
= 1V ，我
C
= 0.5A
V
CE
= 1V ，我
C
= 2A
I
C
= 2A ，我
B
= 50毫安
V
CE
= 1V ，我
C
= 2A
V
CE
= 1V ，我
C
= 2A
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
分钟。
10
6
典型值。
马克斯。
单位
V
V
100
100
140
70
600
140
0.2
0.86
150
27
0.5
1.5
nA
nA
V
V
兆赫
pF
h
FE
分类
分类
h
FE1
A
140 ~ 240
B
200 ~ 330
C
300 ~ 450
D
420 ~ 600
包装标志和订购信息
器件标识
2982
设备
KSC2982
包
SOT-89
带尺寸
13”
胶带宽度
--
QUANTITY
4,000
KSC2982 B3版本
2
www.fairchildsemi.com
KSC2982 NPN外延硅晶体管
典型性能特性
图1.静态特性
4
图2.直流电流增益
1,000
I
B
= 60毫安
I
B
= 25毫安
I
B
= 15毫安
V
CE
=1V
I
C
[A] ，集电极电流
I
B
= 10毫安
2
h
FE
，直流电流增益
3
100
I
B
= 5毫安
1
0
I
B
= 0毫安
0
1
2
3
4
10
0.01
0.1
1
10
V
CE
[V] ，集电极 - 发射极电压
I
C
[A] ，集电极电流
图3. DCollector发射极饱和电压
1
图4.基射极电压上
1.6
I
C
=10 I
B
V
CE
（饱和） [ V]时，饱和电压
P
C
[W] ，功率耗散
1.2
0.1
0.8
M
ou
nt
ed
on
Ce
ra
m
ic
Bo
ar
d
0.4
(2
50
m
m
2
×
0.
8m
m
)
0.01
0.01
0.1
1
10
0.0
0
50
o
100
150
200
I
C
[A] ，集电极电流
T
C
[C] ，外壳温度
图5.安全工作区
10
图6.功率降额
1.6
I
C
MAX 。 （脉冲）
I
C
[A] ，集电极电流
P
C
[W] ，功率耗散
I
C
MAX 。 （DC）的
1
10
0m
s
10
m
s
T
A
=25 C
单脉冲
1.2
o
0.8
M
ou
nt
ed
on
V
首席执行官
马克斯。
0.1
Ce
ra
m
ic
Bo
ar
d
0.4
(2
50
m
m
2
×
0.
8m
m
)
0.01
0.1
1
10
100
0.0
0
50
o
100
150
200
V
CE
[V] ，集电极 - 发射极电压
T
C
[C] ，外壳温度
KSC2982 B3版本
3
www.fairchildsemi.com
KSC2982 NPN外延硅晶体管
机械尺寸
SOT-89
4.50
±0.20
1.65
±0.10
C0.2
(0.50)
1.50
±0.20
(0.40)
±0.20
2.50
0.50
±0.10
1.50 TYP 1.50 TYP
0.40
±0.10
0.40
+0.10
–0.05
(1.10)
4.10
±0.20
单位：毫米
KSC2982 B3版本
4
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KSC2982 NPN外延硅晶体管
商标
下面的注册和未注册商标仙童半导体公司拥有或授权使用，不适合于
将所有这些商标的详尽清单。
ACEX
ActiveArray
深不见底
构建它现在
CoolFET
CROSSVOLT
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
Ensigna
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
FPS
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
I
2
C
我罗
ImpliedDisconnect
的IntelliMAX
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
等平面
LittleFET
MICROCOUPLER
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerEdge
PowerSaver技术
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SerDes
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TINYOPTO
TruTranslation
UHC
UltraFET
的UniFET
VCX
电线
放弃
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何责任
所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;它也不
在其专利权利的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持设备或中的关键部件
系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统，其中，
（一）打算通过外科手术移植到体内，或（b ）支持
或维持生命，或（c ）其不履行时，正确使用
按照提供的标签的使用说明，
可以合理预期造成显著伤害
用户。
2.关键部件是在生命支持设备的任何部件
或系统，其不履行可以合理预期
造成的生命支持设备或系统的故障，或以
影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
修订版I16
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
5
KSC2982 B3版本
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KSA643
KV1812KTR
KW104G-H
KIA7727S
KU82596SX-20
KSB772R
K5A3340YT
KDS33
KMM594000A-7
K6T4008V1C-VF70
供货商
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10000
SOT-89-3
原厂一级代理，原装现货
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FAIRCHILD/仙童
24+
12300
SOT-89
全新原装现货，原厂代理。
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21+22+
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SOT-89
原装正品
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2024
20918
SOT-89
上海原装现货库存，欢迎咨询合作
上海熠富电子科技有限公司
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2024
20918
SOT-89
原装现货上海库存，欢迎咨询
北京元坤国际科技有限公司
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联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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FAIRCHILD
21+
13410
SOT-89
全新原装正品/质量有保证
北京首天伟业科技有限公司
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
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FAIRCHILD/仙童
21+22+
15800
SOT-89
全新原装正品/质量有保证
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电话：13910052844（微信同步）
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8903
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Fairchild Semiconductor
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