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KSC2757

混频器振荡器用于VHF调谐器

高电流增益带宽积：F

= 1100MHz （ TYP ）

SOT-23

1.底座2.辐射源3.收藏家

NPN外延硅晶体管

绝对最大额定值

= 25 ° C除非另有说明

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

参数

价值

150

-55 ~ +150

单位

°C

电气特性

= 25 ° C除非另有说明

符号

CBO

（SAT）

C· RBB “

参数

集电极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

电流增益带宽积

输出电容

噪声系数

测试条件

= 12V，我

= 10V ，我

=5mA

= 10毫安，我

=1mA

= 10V ，我

=5mA

= 10V ，我

= 0中，f = 1MHz的

= 10V ，我

=5mA

f=31.9MHz

800

1100

1.5

分钟。

典型值。

120

马克斯。

0.1

240

0.5

兆赫

单位

分类

60 ~ 120

90 ~ 180

120 ~ 240

记号

GRADE

2002仙童半导体公司

修订版A2 ， 2002年9月

KSC2757

典型特征

= 180

= 160

1000

= 10V

[马] ，集电极电流

= 140

，直流电流增益

= 120

= 100

= 80

100

= 60

= 40

= 20

0.1

100

[V] ，集电极 - 发射极电压

[马] ，集电极电流

图1.静态特性

图2.直流电流增益

1000

10000

（SAT） [毫伏] ，饱和电压

= 10 I

100

1000

0.1

100

0.1

100

[马] ，集电极电流

图3.集电极 - 发射极饱和电压

图4.基射极饱和电压

[兆赫] ，电流增益带宽积

10000

100

= 10V

1000

[ pF的] ，输出电容

F = 1MHz的

100

0.1

100

0.1

100

[马] ，集电极电流

[V] ，集电极 - 基极电压

图5. F

- I

图6.输出电容

2002仙童半导体公司

修订版A2 ， 2002年9月

KSC2757

典型特征

（续）

200

[毫瓦] ，功率耗散

yib = G

+ J B

= 10 V

F = 1000 MHz的

800兆赫

[毫秒] ，纳

150

-20

600兆赫

100兆赫

= 3毫安

100

-40

-60

5毫安

400兆赫

-80

200兆赫

10毫安

-100

100

125

150

175

200

120

160

200

240

TA [C] ，环境温度

[毫秒] ，电导

图7.功率降额

图8. yib - F

150

0.0

125

YFB = G

+ J B

= 10 V

= 10毫安

-1.5

F = 100 MHz的

200兆赫

400兆赫

600兆赫

800兆赫

-3.0

[毫秒] ，纳

100

[毫秒] ，纳

1000兆赫

5毫安

= 3毫安

5毫安

10毫安

-4.5

3毫安

200兆赫

F = 100 MHz的

400兆赫

1000兆赫

-6.0

黄河流域= G

+ J B

= 10 V

-7.5

-0.4

-0.2

0.0

0.2

0.4

0.6

-125

-100

-75

-50

-25

[毫秒] ，电导

图9. YFB - F

图10.黄河流域 - F

3毫安

5毫安

F = 1000 MHz的

= 10毫安

800兆赫

[毫秒] ，纳

600兆赫

400兆赫

200兆赫

100兆赫

0.0

0.4

0.8

1.2

YOB = G

+ J B

= 10 V

1.6

2.0

[毫秒] ，电导

图11. YOB - F

2002仙童半导体公司

修订版A2 ， 2002年9月

KSC2757

包装尺寸

SOT-23

0.20 MIN

2.40

±0.10

0.40

±0.03

1.30

±0.10

0.45~0.60

0.03~0.10

0.38 REF

0.40

±0.03

0.96~1.14

2.90

±0.10

0.12

–0.023

+0.05

0.95

±0.03

0.95

±0.03

1.90

±0.03

0.508REF

0.97REF

单位：毫米

2002仙童半导体公司

修订版A2 ， 2002年9月

商标

下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用，不

旨在成为所有此类商标的详尽清单。

ACEX

FACT

ActiveArray

FACT静音系列

深不见底

快

FASTr

CoolFET

CROSSVOLT

FRFET

GlobalOptoisolator

DOME

EcoSPARK

GTO

CMOS

HiSeC

Ensigna

一刀切。周围的世界。

电源特许经营

可编程有源下垂

放弃

ImpliedDisconnect

等平面

LittleFET

的MicroFET

采用MicroPak

MICROWIRE

MSX

MSXPro

OCX

OCXPro

OPTOLOGIC

OPTOPLANAR

吃豆

POP

Power247

的PowerTrench

QFET

QT光电

静音系列

RapidConfigure

RapidConnect

SILENT SWITCHER

SMART START

SPM

隐形

SuperSOT-3

SuperSOT-6

SuperSOT-8

SyncFET

TinyLogic

TruTranslation

UHC

UltraFET

VCX

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产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何

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它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。

生命支持政策

飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件

设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准

公司。

如本文所用：

1.生命支持设备或系统的设备或系统

其中，（ a）打算通过外科手术移植到体内，

或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行

如果使用得当按照使用说明

提供的标签，可以合理预期

造成显著伤害到用户。

2.关键部件是在生命支持任何组件

设备或系统，其未能履行可

合理预期造成的生命支持故障

装置或系统，或影响其安全性或有效性。

产品状态定义

条款的德网络nition

数据表标识

超前信息

产品状态

阶段或

设计

一是生产

德网络nition

该数据表包含了设计规范

产品开发。特定网络阳离子可改变

恕不另行通知方式。

该数据表包含的初步数据，和

补充资料将在晚些时候公布。

飞兆半导体保留做出正确的

在任何时候，恕不另行通知，以提高变化

设计。

该数据表包含最终规格。飞兆半导体

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恕不另行通知，以便随时改进设计。

该数据表包含在产品规格

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初步

没有Identi网络所需的阳离子

满负荷生产

过时的

不在生产中

2002仙童半导体公司

牧师I1