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KSC1008 NPN Epitacial硅晶体管

2006年9月

KSC1008

NPN Epitacial硅晶体管

特点

低频放大器中速切换。

高集电极 - 基极电压： V

CBO

=80V.

集电极电流：I

C

=700mA

集电极耗散功率：P

C

=800mW

后缀“ -C ”是指中心集电器（ 1.Emitter 2.Collector 3.Base ）

非后缀“ -C ”是指侧收集（ 1.Emitter 2.Base 3.Collector ）

补到KSA708

KSC1008

1 2 3

tm

TO-92

1.发射器2基地

3.收集

KSC1008C ： 1.发射极2.收藏家3.基地

绝对最大额定值*

T

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

C

T

J

T

英镑

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

a

= 25 ° C除非另有说明

参数

价值

80

60

8

700

800

+150

-55 ~ +150

单位

V

mA

mW

°C

* 1。这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。

2.这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。

电气特性*

T

符号

BV

CBO

BV

首席执行官

BV

EBO

I

CBO

I

EBO

h

FE

V

CE

（SAT）

V

BE

（SAT）

f

T

C

ob

a

= 25 ° C除非另有说明

参数

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

电流增益带宽积

输出电容

测试条件

I

C

= 100μA ，我

E

=0

I

C

= 10毫安，我

B

=0

I

E

= 10μA ，我

C

=0

V

CB

= 60V ，我

E

=0

V

EB

= 5V ，我

C

=0

V

CE

= 2V ，我

C

=50mA

I

C

= 500毫安，我

B

=50mA

I

C

= 500毫安，我

B

=50mA

V

CE

= 10V ，我

C

=50mA

V

CB

= 10V ，我

E

= 0中，f = 1MHz的

分钟。

80

60

8

典型值。

马克斯。

单位

V

0.1

40

0.2

0.86

30

50

8

400

0.4

1.1

A

V

兆赫

pF

*直流项目是由脉冲测试测试：脉冲Width300us ，职务Cycle2 ％

h

FE

分类

h

FE

R

40 ~ 80

O

70 ~ 140

Y

120 ~ 240

G

200 ~ 400

2006仙童半导体公司

1

www.fairchildsemi.com

KSC1008版本B

KSC1008 NPN Epitacial硅晶体管

包装标志和订购信息

设备

（注）

KSC1008COBU

KSC1008COTA

KSC1008CYBU

KSC1008CYTA

KSC1008GBU

KSC1008GTA

KSC1008OBU

KSC1008OTA

KSC1008RBU

KSC1008RTA

KSC1008YBU

KSC1008YTA

KSC1008YTF

器件标识

C1008OC

C1008YC

C1008G

C1008O

C1008R

C1008Y

包

TO-92

包装方法

体积

磁带&弹药

体积

磁带&弹药

体积

磁带&弹药

体积

磁带&弹药

体积

磁带&弹药

体积

磁带&弹药

磁带&卷轴

数量（PCS ）

--

2,000

--

2,000

--

2,000

--

2,000

--

2,000

--

2,000

引脚德网络nitions

1.Emitter 2.Collector 3.Base

1.Emitter 2.Base 3.Collector

注：贴上“ -C- ” - 中心集电针。

贴上“ -R- ， -O- ， -Y- ， -G- ” - ^ h

HE

分类

后缀“ -BU ” - 散装包装，直导线表（见封装尺寸）。

后缀“ -TF ” - Tape&卷轴包装， 0.200在-行间距引脚形式。（见包装尺寸）

后缀“ -TA ” - Tape& AMMO包装， 0.200在-行间距引脚形式。（见包装尺寸）

2

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KSC1008 NPN Epitacial硅晶体管

典型特征

200

240

I

B

= 1.8毫安

180

I

B

= 1.6毫安

I

B

= 1.4毫安

220

200

V

CE

= 2V

I

C

[马] ，集电极电流

160

140

h

FE

，直流电流增益

180

160

140

120

100

80

60

40

I

B

= 1.2毫安

120

I

B

= 1.0毫安

100

I

B

- 0.8毫安

80

60

40

20

0

5

10

15

20

25

30

35

40

45

50

I

B

- 0.6毫安

I

B

= 0.4毫安

I

B

= 0.2毫安

20

0

1

10

100

1000

V

CE

[V] ，集电极 - 发射极电压

I

C

[马] ，集电极电流

图1.静态特性

图2.直流电流增益

V

BE

（SAT），V

CE

（饱和） [ V]时，饱和电压

10

1000

I

C

=10I

B

V

CE

=2V

1

I

C

[马] ，集电极电流

100

1000

100

V

BE

（SAT）

0.1

10

V

CE

（SAT）

0.01

1

10

1

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

I

C

[马] ，集电极电流

V

BE

[ V]时，基极发射极电压

图3.基射极饱和电压

集电极 - 发射极饱和电压

图4.基射极电压上

100

f=1MHz

I

E

=0

C

ob

[ pF的] ， CAPACTIANCE

10

1

10

100

V

CB

[V] ，集电极 - 基极电压

图5.集电极输出电容

3

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KSC1008 NPN Epitacial硅晶体管

包装尺寸

TO- 92直引脚形式

4.58

–0.15

+0.25

14.47

±0.40

0.46

±0.10

4.58

±0.20

1.27TYP

[1.27

±0.20

]

3.60

±0.20

3.86MAX

1.27TYP

[1.27

±0.20

]

0.38

–0.05

+0.10

1.02

±0.10

0.38

–0.05

+0.10

(R2.29)

(0.25)

单位：毫米

尺寸Millime

TO- 92在0.200 ，行间距引脚形式

尺寸以英寸[毫米]

4

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商标

下面的注册和未注册商标仙童半导体公司拥有或授权使用，不适合于

将所有这些商标的详尽清单。

ACEX

ActiveArray

深不见底

构建它现在

CoolFET

CROSSVOLT

DOME

EcoSPARK

E

2

CMOS

Ensigna

FACT

快

FASTr

FPS

FRFET

FACT静音系列

GlobalOptoisolator

GTO

HiSeC

I

2

C

我罗

ImpliedDisconnect

的IntelliMAX

等平面

LittleFET

MICROCOUPLER

的MicroFET

采用MicroPak

MICROWIRE

MSX

MSXPro

一刀切。周围的世界。

电源特许经营

可编程有源下垂

OCX

OCXPro

OPTOLOGIC

OPTOPLANAR

吃豆

POP

Power247

的PowerEdge

PowerSaver技术

的PowerTrench

QFET

QS

QT光电

静音系列

RapidConfigure

RapidConnect

SerDes

ScalarPump

SILENT SWITCHER

SMART START

SPM

隐形

的SuperFET

SuperSOT-3

SuperSOT-6

SuperSOT-8

SyncFET

中医

TinyBoost

TinyBuck一体化

TinyPWM

TinyPower

TinyLogic

TINYOPTO

TruTranslation

UHC

UltraFET

的UniFET

VCX

电线

放弃

飞兆半导体公司保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利

提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担因应用或使用任何责任

任何产品或电路此处所述，它也没有传达任何许可根据其专利权，也不是

他人的权利。这些规格不扩大飞兆半导体的全球条款和条件条款的，特殊

CIFICALLY所述的保修涵盖这些产品。

生命支持政策

飞兆半导体的产品不得用于生命支持设备或系统的关键组件，但不

飞兆半导体公司明确的书面批准。

如本文所用：

1.生命支持设备或系统设备或其中，（一）是系统

打算通过外科手术移植到体内，或（b ）支持或维持生命，或

（三）其不履行时，按照正常使用

在标签规定的使用说明，可以合理预期

造成显著伤害到用户。

2.关键部件是在生命支持设备或系统的任何部件

其不履行可以合理预期造成的故障

生命支持设备或系统的，或影响其安全性或有效性。

产品状态定义

条款的德网络nition

数据表标识

超前信息

产品状态

阶段或设计

德网络nition

该数据表包含了设计规范

产品开发。特定网络阳离子可改变

恕不另行通知方式。

该数据表包含的初步数据，和

补充资料将在晚些时候公布。

飞兆半导体保留做出正确的

在任何时候，恕不另行通知，以提高变化

设计。

该数据表包含最终规格。飞兆半导体

半导体公司保留在作出变更的权利

恕不另行通知，以便随时改进设计。

初步

一是生产

没有Identi网络所需的阳离子

满负荷生产

过时的

不在生产中

该数据表包含在产品规格

已经停产了仙童半导体公司。

数据表打印仅供参考信息。

修订版I20

5

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