KSC1008 NPN Epitacial硅晶体管
2006年9月
KSC1008
NPN Epitacial硅晶体管
特点
低频放大器中速切换。
高集电极 - 基极电压： V
CBO
=80V.
集电极电流：I
C
=700mA
集电极耗散功率：P
C
=800mW
后缀“ -C ”是指中心集电器（ 1.Emitter 2.Collector 3.Base ）
非后缀“ -C ”是指侧收集（ 1.Emitter 2.Base 3.Collector ）
补到KSA708
KSC1008
1 2 3
tm
TO-92
1.发射器2基地
3.收集
KSC1008C ： 1.发射极2.收藏家3.基地
绝对最大额定值*
T
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
a
= 25 ° C除非另有说明
参数
价值
80
60
8
700
800
+150
-55 ~ +150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
* 1。这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
2.这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
电气特性*
T
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
f
T
C
ob
a
= 25 ° C除非另有说明
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
电流增益带宽积
输出电容
测试条件
I
C
= 100μA ，我
E
=0
I
C
= 10毫安，我
B
=0
I
E
= 10μA ，我
C
=0
V
CB
= 60V ，我
E
=0
V
EB
= 5V ，我
C
=0
V
CE
= 2V ，我
C
=50mA
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA
V
CE
= 10V ，我
C
=50mA
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
分钟。
80
60
8
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
0.1
0.1
40
0.2
0.86
30
50
8
400
0.4
1.1
A
A
V
V
兆赫
pF
*直流项目是由脉冲测试测试：脉冲Width300us ，职务Cycle2 ％
h
FE
分类
分类
h
FE
R
40 ~ 80
O
70 ~ 140
Y
120 ~ 240
G
200 ~ 400
2006仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
KSC1008版本B
KSC1008 NPN Epitacial硅晶体管
包装标志和订购信息
设备
（注）
KSC1008COBU
KSC1008COTA
KSC1008CYBU
KSC1008CYTA
KSC1008GBU
KSC1008GTA
KSC1008OBU
KSC1008OTA
KSC1008RBU
KSC1008RTA
KSC1008YBU
KSC1008YTA
KSC1008YTF
器件标识
C1008OC
C1008OC
C1008YC
C1008YC
C1008G
C1008G
C1008O
C1008O
C1008R
C1008R
C1008Y
C1008Y
C1008Y
包
TO-92
TO-92
TO-92
TO-92
TO-92
TO-92
TO-92
TO-92
TO-92
TO-92
TO-92
TO-92
TO-92
包装方法
体积
磁带&弹药
体积
磁带&弹药
体积
磁带&弹药
体积
磁带&弹药
体积
磁带&弹药
体积
磁带&弹药
磁带&卷轴
数量（PCS ）
--
2,000
--
2,000
--
2,000
--
2,000
--
2,000
--
2,000
2,000
引脚德网络nitions
1.Emitter 2.Collector 3.Base
1.Emitter 2.Collector 3.Base
1.Emitter 2.Collector 3.Base
1.Emitter 2.Collector 3.Base
1.Emitter 2.Base 3.Collector
1.Emitter 2.Base 3.Collector
1.Emitter 2.Base 3.Collector
1.Emitter 2.Base 3.Collector
1.Emitter 2.Base 3.Collector
1.Emitter 2.Base 3.Collector
1.Emitter 2.Base 3.Collector
1.Emitter 2.Base 3.Collector
1.Emitter 2.Base 3.Collector
注：贴上“ -C- ” - 中心集电针。
贴上“ -R- ， -O- ， -Y- ， -G- ” - ^ h
HE
分类
后缀“ -BU ” - 散装包装，直导线表（见封装尺寸） 。
后缀“ -TF ” - Tape&卷轴包装， 0.200在-行间距引脚形式。 （见包装尺寸）
后缀“ -TA ” - Tape& AMMO包装， 0.200在-行间距引脚形式。 （见包装尺寸）
2
KSC1008版本B
www.fairchildsemi.com
KSC1008 NPN Epitacial硅晶体管
典型特征
200
240
I
B
= 1.8毫安
180
I
B
= 1.6毫安
I
B
= 1.4毫安
220
200
V
CE
= 2V
I
C
[马] ，集电极电流
160
140
h
FE
，直流电流增益
180
160
140
120
100
80
60
40
I
B
= 1.2毫安
120
I
B
= 1.0毫安
100
I
B
- 0.8毫安
80
60
40
20
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
I
B
- 0.6毫安
I
B
= 0.4毫安
I
B
= 0.2毫安
20
0
1
10
100
1000
V
CE
[V] ，集电极 - 发射极电压
I
C
[马] ，集电极电流
图1.静态特性
图2.直流电流增益
V
BE
（SAT） ，V
CE
（饱和） [ V]时，饱和电压
10
1000
I
C
=10I
B
V
CE
=2V
1
I
C
[马] ，集电极电流
100
1000
100
V
BE
（SAT）
0.1
10
V
CE
（SAT）
0.01
1
10
1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
I
C
[马] ，集电极电流
V
BE
[ V]时，基极发射极电压
图3.基射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
图4.基射极电压上
100
f=1MHz
I
E
=0
C
ob
[ pF的] ， CAPACTIANCE
10
1
1
10
100
V
CB
[V] ，集电极 - 基极电压
图5.集电极输出电容
3
KSC1008版本B
www.fairchildsemi.com
KSC1008 NPN Epitacial硅晶体管
包装尺寸
TO- 92直引脚形式
4.58
–0.15
+0.25
14.47
±0.40
0.46
±0.10
4.58
±0.20
1.27TYP
[1.27
±0.20
]
3.60
±0.20
3.86MAX
1.27TYP
[1.27
±0.20
]
0.38
–0.05
+0.10
1.02
±0.10
0.38
–0.05
+0.10
(R2.29)
(0.25)
单位：毫米
尺寸Millime
TO- 92在0.200 ，行间距引脚形式
尺寸以英寸[毫米]
4
KSC1008版本B
www.fairchildsemi.com
KSC1008 NPN Epitacial硅晶体管
KSC1008 NPN Epitacial硅晶体管
商标
下面的注册和未注册商标仙童半导体公司拥有或授权使用，不适合于
将所有这些商标的详尽清单。
ACEX
ActiveArray
深不见底
构建它现在
CoolFET
CROSSVOLT
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
Ensigna
FACT
快
FASTr
FPS
FRFET
FACT静音系列
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
I
2
C
我罗
ImpliedDisconnect
的IntelliMAX
等平面
LittleFET
MICROCOUPLER
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerEdge
PowerSaver技术
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SerDes
ScalarPump
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
中医
TinyBoost
TinyBuck一体化
TinyPWM
TinyPower
TinyLogic
TINYOPTO
TruTranslation
UHC
UltraFET
的UniFET
VCX
电线
放弃
飞兆半导体公司保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利
提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担因应用或使用任何责任
任何产品或电路此处所述，它也没有传达任何许可根据其专利权，也不是
他人的权利。这些规格不扩大飞兆半导体的全球条款和条件条款的，特殊
CIFICALLY所述的保修涵盖这些产品。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持设备或系统的关键组件，但不
飞兆半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统设备或其中， （一）是系统
打算通过外科手术移植到体内，或（b ）支持或维持生命，或
（三）其不履行时，按照正常使用
在标签规定的使用说明，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持设备或系统的任何部件
其不履行可以合理预期造成的故障
生命支持设备或系统的，或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
修订版I20
5
KSC1008版本B
www.fairchildsemi.com
KSC1008
KSC1008
低频放大器中速
开关
补充KSA708
高集电极 - 基极电压： V
CBO
=80V
集电极电流：我
C
=700mA
集电极耗散功率：P
C
=800mW
后缀“-C”是指中心集电器（ 1.发射极2.收藏家3.基地）
1
TO-92
1. 2.发射基地3.收藏家
NPN外延硅晶体管
绝对最大额定值
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
参数
评级
80
60
8
700
800
150
-55 ~ 150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
电气特性
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
f
T
C
ob
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
电流增益带宽积
输出电容
测试条件
I
C
= 100μA ，我
E
=0
I
C
= 10毫安，我
B
=0
I
E
= 10μA ，我
C
=0
V
CB
= 60V ，我
E
=0
V
EB
= 5V ，我
C
=0
V
CE
= 2V ，我
C
=50mA
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA
V
CE
= 10V ，我
C
=50mA
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
30
40
0.2
0.86
50
8
分钟。
80
60
8
0.1
0.1
400
0.4
1.1
V
V
兆赫
pF
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
A
A
h
FE
分类
分类
h
FE
R
40 ~ 80
O
70 ~ 140
Y
120 ~ 240
G
200 ~ 400
2001仙童半导体公司
牧师A1 ， 2001年8月
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用，不
旨在成为所有此类商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
Ensigna
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SLIENT SWITCHER
SMART START
* STAR POWER
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TruTranslation
TinyLogic
UHC
UltraFET
VCX
STAR *电源根据许可证使用
放弃
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
公司。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
如果使用得当按照使用说明
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持任何组件
设备或系统，其未能履行可
合理预期造成的生命支持故障
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2001仙童半导体公司
H4牧师
QQ：2881677436 复制
