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KSB601
KSB601
低频功率放大器
中速开关工业用
补到KSD560
1
TO-220
2.Collector
3.Emitter
1.Base
PNP外延硅达林顿晶体管
绝对最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
P
C
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
*集电极电流(脉冲)
基极电流
集电极耗散(T
a
=25°C)
集电极耗散(T
C
=25°C)
结温
储存温度
价值
- 100
- 100
-7
-5
-8
- 0.5
1.5
30
150
- 55 ~ 150
单位
V
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
* PW≤10ms ,职务Cycle≤50 %
2000仙童半导体国际
版本A , 2000年2月
KSB601
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
首席执行官
( SUS)的
V
CEX
(sus)1
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极电压维持
测试条件
I
C
= - 3A ,我
B1
= - 3mA电流,
L = 1MH
I
C
= - 3A ,我
B1
= - I
B2
= - 3毫安
V
BE
(关) = 5V , L = 180μH
I
C
= - 6A ,我
B1
= - 12毫安
I
B2
= 3mA电流, V
BE
(关闭) = 5V
L = 180uH ,钳位
V
CB
= - 100V ,我
E
= 0
V
CE
= - 100V ,R
BE
= 51
T
C
= 125°C
V
CE
= - 100V, V
BE
(关) = 1.5V
V
CE
= - 100V, V
BE
(关) = 1.5V
T
C
= 125°C
V
EB
= - 5V ,我
C
= 0
V
CE
= - 2V ,我
C
= - 3A
V
CE
= - 2V ,我
C
= - 5A
I
C
= - 3A ,我
B
= - 3毫安
I
C
= - 3A ,我
B
= - 3毫安
V
CC
= - 50V ,我
C
= - 3A
I
B1
= - I
B2
= - 3毫安
R
L
= 17
0.5
1
1
2000
500
分钟。
-
100
-
100
-
100
- 10
-1
- 10
-1
-3
15000
- 1.5
-2
V
V
s
s
s
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
CEX
(sus)2
集电极 - 发射极电压维持
V
I
CBO
I
CER
I
CEX1
I
CEX2
I
EBO
h
FE1
h
FE2
V
CE
(SAT)
V
BE
(SAT)
t
ON
t
S
t
F
集电极截止电流
集电极截止电流
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
*直流电流增益
*集电极 - 发射极饱和电压
*基射极饱和电压
启动时间
存储
下降时间
A
mA
A
mA
mA
*脉冲测试: PW≤350μs ,职务cycle≤2 %
h
FE
分类
分类
h
FE1
R
2000 ~ 5000
O
3000 ~ 7000
Y
5000 ~ 15000
2000仙童半导体国际
版本A , 2000年2月
KSB601
典型特征
-5
I
C
[A] ,集电极电流
-4
I
B
= -10mA
I
B
= -6mA
I
B
= -4mA
I
B
=
m
-2
A
10000
V
CE
= -2V
A
-1.5m
I
B
=
I
B
= -1.0mA
-3
h
FE
,直流电流增益
-5
1000
I
B
= -0.8mA
-2
I
B
= -0.6mA
-1
100
I
B
= -0.4mA
-0
-1
-2
-3
-4
10
-0.01
-0.1
-1
-10
V
CE
[V] ,集电极 - 发射极电压
I
C
[A] ,集电极电流
图1.静态特性
图2.直流电流增益
V
CE
(饱和) [V] ,V
BE
(SAT) [V]饱和电压
-10
I
C
= 1000 I
B
-10
I
C
[A] ,集电极电流
100ms
-1
V
BE
(SAT)
10m
s
DIS
SIP
ATIO
李米
资讯科技教育
100
s
1m
us
50u
s
30
0u
s
S / B
-1
升IM
V
CE
(SAT)
-0.1
ITE
d
-0.01
-0.1
-0.1
-0.001
-1
-10
-100
-1
-10
-100
I
C
[A] ,集电极电流
V
CE
[V] ,集电极 - 发射极电压
图3.基射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
图4.安全工作区
-16
160
-14
140
I
C
[A] ,集电极电流
-12
120
-10
DT [ %] ,集成电路降额
100
-8
80
S / B
60
-6
Di
ss
LIM
ip
a
ITE
d
-4
40
TIO
n
Li
m
ITE
d
-2
20
-0
-20
-40
-60
-80
-100
-120
-140
-160
0
25
50
o
75
100
125
150
175
200
V
CE
[V] ,集电极 - 发射极电压
T
C
[C] ,外壳温度
图5.反向偏压安全工作区
安全工作区图6.降额曲线
2000仙童半导体国际
版本A , 2000年2月
KSB601
典型特征
(续)
40
35
P
C
[W] ,功率耗散
30
25
20
15
10
5
0
25
50
o
75
100
125
150
175
200
T
C
[C] ,外壳温度
图7.功率降额
2000仙童半导体国际
版本A , 2000年2月
KSB601
包装Demensions
TO-220
9.90
±0.20
1.30
±0.10
2.80
±0.10
4.50
±0.20
(8.70)
3.60
±0.10
(1.70)
1.30
–0.05
+0.10
9.20
±0.20
(1.46)
13.08
±0.20
(1.00)
(3.00)
15.90
±0.20
1.27
±0.10
1.52
±0.10
0.80
±0.10
2.54TYP
[2.54
±0.20
]
2.54TYP
[2.54
±0.20
]
10.08
±0.30
18.95MAX.
(3.70)
)
(45
°
0.50
–0.05
+0.10
2.40
±0.20
10.00
±0.20
单位:毫米
2000仙童半导体国际
版本A , 2000年2月
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    -
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联系人:刘先生
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