2SA1381 / KSA1381 - PNP外延硅晶体管
2008年3月
2SA1381/KSA1381
PNP外延硅晶体管
应用
音频，电压放大器和电流源
CRT显示器，视频输出
通用放大器
特点
高电压： V
首席执行官
= -300V
低反向传输电容：C
re
= 2.3pF在V
CB
= -30V
出色的增益线性度低THD
高频： 150MHz的
全热和电Spice模型可用
补充2SC3503 / KSC3503
1
TO-126
2.Collector
3.Base
1.发射器
绝对最大额定值*
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（DC）的
集电极电流（脉冲）
T
a
= 25 ° C除非另有说明
参数
评级
-300
-300
-5
-100
-200
7
1.2
- 55 ~ +150
单位
V
V
V
mA
mA
W
W
°C
器件总功耗，T
C
=25°C
T
C
=125°C
结温和存储温度
*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
热特性*
符号
R
θJC
*设备安装在最小焊盘尺寸
T
a
= 25 ° C除非另有说明
参数
热阻，结到外壳
马克斯。
17.8
单位
° C / W
h
FE
分类
分类
h
FE
C
40 ~ 80
D
60 ~ 120
E
100 ~ 200
F
160 ~ 320
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电气特性*
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
f
T
C
ob
C
re
参数
集电极 - 基极击穿电压
Collecto-发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
电流增益带宽积
输出电容
反向传输电容
测试条件
I
C
= - 10μA ，我
E
= 0
I
C
= - 1mA时，我
B
= 0
I
E
= - 10μA ，我
C
= 0
V
CB
= - 200V ，我
E
= 0
V
EB
= - 4V ，我
C
= 0
V
CE
= - 10V ，我
C
= - 10毫安
I
C
= - 20mA时，我
B
= - 2毫安
I
C
= - 20mA时，我
B
= - 2毫安
V
CE
= - 30V ，我
C
= - 10毫安
V
CB
= - 30V ， F = 1MHz的
V
CB
= - 30V ， F = 1MHz的
分钟。
- 300
- 300
-5
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
- 0.1
- 0.1
40
320
- 0.6
-1
150
3.1
2.3
A
A
V
V
兆赫
pF
pF
*脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比= 2 ％
订购信息
零件号*
2SA1381CSTU
2SA1381DSTU
2SA1381ESTU
2SA1381FSTU
KSA1381CSTU
KSA1381DSTU
KSA1381ESTU
KSA1381FSTU
记号
2SA1381C
2SA1381D
2SA1381E
2SA1381F
A1381C
A1381D
A1381E
A1381F
包
TO-126
TO-126
TO-126
TO-126
TO-126
TO-126
TO-126
TO-126
包装方法
管
管
管
管
管
管
管
管
备注
hFE1 C级
hFE1 D级
hFE1 E级
hFE1 F级
hFE1 C级
hFE1 D级
hFE1 E级
hFE1 F级
* 1。词缀“ -S- ”指标准的TO126封装。 （见包装尺寸） 。如果词缀“ -STS- ”，而不是“ -S- ” ，这意味着短引线TO126封装。
2.后缀“ -TU ”是指管包装，后缀“恩”可以替换为其他字符的后缀为包装方法。
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典型特征
-20
I
B
= -140
A
I
B
= -120
A
-10
I
C
[A] ，集电极电流
I
C
[A] ，集电极电流
-16
I
B
= -60
A
I
B
= -50
A
-8
I
B
= -100
A
-12
I
B
= -80
A
I
B
= -60
A
I
B
= -40
A
-6
I
B
= -30
A
-4
-8
I
B
= -40
A
-4
I
B
= -20
A
I
B
= -10
A
I
B
= 0
A
I
B
= -20
A
I
B
= 0
A
-0
-2
-4
-6
-8
-10
-2
-0
-0
-0
-20
-40
-60
-80
-100
V
CE
[V] ，集电极 - 发射极电压
V
CE
[V] ，集电极 - 发射极电压
图1.静态特性
图2.静态特性
V
BE
（SAT） ，V
CE
（饱和） [ V]时，饱和电压
1k
-10
V
CE
= -10V
I
C
= 10 I
B
h
FE
，直流电流增益
-1
V
BE
（SAT）
100
-0.1
V
CE
（SAT）
10
-0.1
-1
-10
-100
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
I
C
[马] ，集电极电流
I
C
[马] ，集电极电流
图3.直流电流增益
图4.基射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
f
T
（兆赫） ，电流增益带宽积
1000
-160
V
CE
= -30V
-140
V
CE
= -10V
I
C
[马] ，集电极电流
-1
-10
-100
-1000
-120
-100
-80
-60
-40
-20
-0
-0.0
100
10
1
-0.1
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
-1.2
I
C
[马] ，集电极电流
V
BE
[ V]时，基极发射极电压
图5.电流增益带宽积
图6.基射极电压上
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典型特征
（续）
100
100
I
E
=0
f=1MHz
f=1MHz
C
ob
[ pF的] ，电容
10
C
re
[ pF的] ，电容
-1
-10
-100
-1000
10
1
1
0.1
-0.1
0.1
-0.1
-1
-10
-100
-1000
V
CB
[V] ，集电极 - 基极电压
V
CB
[V] ，集电极 - 基极电压
图7.集电极输出电容
图8.反向传输电容
1000
8
7
I
C
[马] ，集电极电流
P
C
[W] ，功率耗散
I
C
MAX 。 （脉冲）
0
50
6
5
4
3
2
1
0
0
25
50
o
I
C
马克斯。
100
s
DC
(T
D
C
T
c
=25 C
o
c
=
(T
a
25
=
1ms
10ms
o
C)
25
C
o
10
)
T
C
=125 C
o
1
1
10
100
1000
75
100
125
150
175
V
CE
[V] ，集电极 - 发射极电压
T [ C] ，温度
图9.安全工作区
图10.功率降额
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包装尺寸
TO-126
±0.10
3.90
8.00
±0.30
3.25
±0.20
14.20MAX
3.20
±0.10
11.00
±0.20
(1.00)
0.75
±0.10
1.60
±0.10
±0.30
(0.50)
1.75
±0.20
0.75
±0.10
#1
2.28TYP
[2.28±0.20]
2.28TYP
[2.28±0.20]
13.06
16.10
±0.20
0.50
–0.05
+0.10
单位：毫米
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