【KSA1201 PNP外延硅晶体管2005年7月KSA1201PNP外延硅晶体管功率放大器集电极 -】,IC型号KSA1201_05,KSA1201_05 PDF资料,KSA1201

KSA1201 PNP外延硅晶体管

2005年7月

KSA1201

PNP外延硅晶体管

功率放大器

集电极 - 发射极电压： V

首席执行官

= -120V

=120MHz

集电极耗散功率P

= 1 2W ：安装在陶瓷板

补到KSC2881

记号

1 2

P Y [

0 1

W W

每周码

年份代码

grage

SOT-89

1.底座2.收藏家3.发射

绝对最大额定值

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

= 25 ° C除非另有说明

参数

评级

-120

-5

-800

-160

500

1,000

150

-55 ~ 150

单位

°C

集电极耗散功率

结温

储存温度

*安装在陶瓷板上（ 250毫米

X 0.8毫米）

电气特性

符号

首席执行官

EBO

CBO

EBO

（SAT）

（上）

25 ° C除非另有说明

参数

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压上

电流增益带宽积

输出电容

测试条件

= -10mA ，我

= 0

= -1mA ，我

= 0

= -120V ，我

= 0

= -5V ，我

= 0

= -5V ，我

= -100mA

= -500mA ，我

= -50mA

= -5V ，我

= -500mA

= -5V ，我

= -100mA

= -10V ，我

= 0中，f = 1MHz的

分钟。

-120

-5

典型值。

马克斯。

单位

-100

240

-1.0

120

兆赫

2005仙童半导体公司

www.fairchildsemi.com

KSA1201牧师B2

KSA1201 PNP外延硅晶体管

分类

80 ~ 160

120 ~ 240

包装标志和订购信息

器件标识

1201

设备

KSA1201

包

SOT-89

带尺寸

13”

胶带宽度

QUANTITY

4,000

KSA1201牧师B2

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KSA1201 PNP外延硅晶体管

典型性能特性

图1.静态特性

-0.8

图2.直流电流增益

=-7mA

1000

=-10mA

= -5V

[A] ，集电极电流

=-4mA

-0.4

，直流电流增益

-0.6

=-5mA

=-3mA

=-2mA

100

-0.2

=-1mA

-0

-4

-8

-12

-16

-1

-10

-100

-1000

[V] ，集电极 - 发射极电压

[马] ，集电极电流

图3.集电极 - 发射极饱和电压

-1

图4.基射极电压上

1.6

（饱和） [ V]时，饱和电压

= 10 I

1.4

[W] ，功率耗散

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

-0.1

)

150

175

200

-0.01

-1

-10

-100

-1000

100

125

[马] ，集电极电流

[C] ，环境温度

图5.安全工作区

-10000

图6.功率降额

TA = 25℃

单脉冲

1.6

1.4

[马] ，集电极电流

-1000

最大值（DC）的

[W] ，功率耗散

最大值（脉冲）

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

-100

首席执行官

最大

-10

)

150

175

200

-1

-0.1

-1

-10

-100

-1000

100

125

[V] ，集电极 - 发射极电压

[C] ，环境温度

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KSA1201 PNP外延硅晶体管

机械尺寸

SOT-89

4.50

±0.20

1.65

±0.10

C0.2

(0.50)

1.50

±0.20

(0.40)

±0.20

2.50

0.50

±0.10

1.50 TYP 1.50 TYP

0.40

±0.10

0.40

+0.10

–0.05

(1.10)

4.10

±0.20

单位：毫米

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KSA1201 PNP外延硅晶体管

商标

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ACEX

ActiveArray

深不见底

构建它现在

CoolFET

CROSSVOLT

DOME

EcoSPARK

CMOS

Ensigna

FACT

FACT静音系列

快

FASTr

FPS

FRFET

GlobalOptoisolator

GTO

HiSeC

我罗

ImpliedDisconnect

的IntelliMAX

一刀切。周围的世界。

电源特许经营

可编程有源下垂

等平面

LittleFET

MICROCOUPLER

的MicroFET

采用MicroPak

MICROWIRE

MSX

MSXPro

OCX

OCXPro

OPTOLOGIC

OPTOPLANAR

吃豆

POP

Power247

的PowerEdge

PowerSaver技术

的PowerTrench

QFET

QT光电

静音系列

RapidConfigure

RapidConnect

SerDes

SILENT SWITCHER

SMART START

SPM

隐形

的SuperFET

SuperSOT-3

SuperSOT-6

SuperSOT-8

SyncFET

TinyLogic

TINYOPTO

TruTranslation

UHC

UltraFET

的UniFET

VCX

电线

放弃

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（一）打算通过外科手术移植到体内，或（b ）支持

或维持生命，或（c ）其不履行时，正确使用

按照提供的标签的使用说明，

可以合理预期造成显著伤害

用户。

2.关键部件是在生命支持设备的任何部件

或系统，其不履行可以合理预期

造成的生命支持设备或系统的故障，或以

影响其安全性或有效性。

产品状态定义

条款的德网络nition

数据表标识

超前信息

产品状态

阶段或

设计

一是生产

德网络nition

该数据表包含了设计规范

产品开发。特定网络阳离子可改变

恕不另行通知方式。

该数据表包含的初步数据，和

补充资料将在晚些时候公布。

飞兆半导体保留做出正确的

在任何时候，恕不另行通知，以提高变化

设计。

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修订版I16

初步

没有Identi网络所需的阳离子

满负荷生产

过时的

不在生产中

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