SMD型
表面贴装肖特基Rectifiier
KS22 THRU KS26
二极管
DO-214AC(SMA)
4.597
3.988
单位：mm
3.93
3.73
特点
对于表面安装应用程序。
薄型封装。
内置应变救灾。
金属硅交界处，多数载流子传导。
低功耗，高效率。
高电流能力，低正向电压降。
高浪涌能力。
1.575
1.397
2
1
2.896
2.489
1.67
1.47
5.283
4.775
2.38
2.18
5.49
5.29
推荐
土地模式
2.438
1.981
1.524
0.762
0.203
0.051
0.305
0.152
绝对最大额定值大= 25
参数
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
额定负荷（ JEDEC的方法）
最大正向平均整流电流TL
最大正向电压在1.0A * 1
最大DC反向电流* 1 T＆
A
=25
额定阻断电压DC牛逼
A
=100
典型热阻
工作结温范围
存储温度范围
* 1.脉冲测试： 300ms的脉冲宽度， 1 ％的占空比。
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
（AV）
I
FSM
V
F
I
R
10
R
R
JA
JL
KS22
20
14
20
KS23
30
21
30
KS24
40
28
40
2
50
KS25
50
35
50
KS26
60
42
60
单位
V
V
V
A
A
0.5
0.4
0.7
V
mA
55
17
-65到+125
-65到+150
-65到+150
/W
T
J
T
英镑
记号
号
Mariking
KS22
SS22
KS23
SS23
KS24
SS24
KS25
SS25
KS26
SS26
www.kexin.com.cn
1
产品speci fi cation
KS22 THRU KS26
DO-214AC(SMA)
4.597
3.988
单位：mm
3.93
3.73
特点
对于表面安装应用程序。
薄型封装。
内置应变救灾。
金属硅交界处，多数载流子传导。
低功耗，高效率。
高电流能力，低正向电压降。
高浪涌能力。
1.575
1.397
2
1
2.896
2.489
1.67
1.47
5.283
4.775
2.38
2.18
5.49
5.29
推荐
土地模式
2.438
1.981
1.524
0.762
0.203
0.051
0.305
0.152
绝对最大额定值大= 25
参数
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
额定负荷（ JEDEC的方法）
最大正向平均整流电流TL
最大正向电压在1.0A * 1
最大DC反向电流* 1 T＆
A
=25
额定阻断电压DC牛逼
A
=100
典型热阻
工作结温范围
存储温度范围
* 1.脉冲测试： 300ms的脉冲宽度， 1 ％的占空比。
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
（AV）
I
FSM
V
F
I
R
10
R
R
JA
JL
KS22
20
14
20
KS23
30
21
30
KS24
40
28
40
2
50
KS25
50
35
50
KS26
60
42
60
单位
V
V
V
A
A
0.5
0.4
0.7
V
mA
55
17
-65到+125
-65到+150
-65到+150
/W
T
J
T
英镑
记号
号
Mariking
KS22
SS22
KS23
SS23
KS24
SS24
KS25
SS25
KS26
SS26
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