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半导体
技术参数
切换应用程序。
接口电路和驱动电路应用。
特点
包括US6两个设备。
（超超级迷你型6引线）。
A1
1
KRX212U
外延平面NPN晶体管
B
B1
6
5
4
D
凭借内置的偏置电阻器。
简化电路设计。
减少零件和制造工艺的数量。
2
暗淡
A
A1
B
B1
C
D
G
H
3
MILLIMETERS
_
2.00 + 0.20
_
1.3 + 0.1
_
2.1 + 0.1
_
1.25 + 0.1
0.65
0.2+0.10/-0.05
0-0.1
_
0.9 + 0.1
0.15+0.1/-0.05
A
等效电路
Q
1
C
Q
2
R1
OUT
Q
2
R1=2.2K
R2=2.2K
H
C
C
T
G
T
B
IN
R2
E
常见
1.
2.
3.
4.
5.
6.
Q
1
Q
1
Q
2
Q
2
Q
2
Q
1
（发射器）
（基峰）
OUT （集电极）
COMMON （发射器）
IN（ BASE ）
（集电极）
等效电路（顶视图）
6
5
4
记号
6
5
US6
型号名称
4
Q1
Q2
BG
1
2
3
1
2
3
Q1最大额定值（ TA = 25
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
*单脉冲PW = 1毫秒。
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
*
等级
15
12
6
500
1
单位
V
V
V
Q2最大额定值（ TA = 25
特征
输出电压
输入电压
输出电流
)
符号
V
O
V
I
I
O
等级
50
12, -10
100
单位
V
V
Q1 ， Q2最大额定值（ TA = 25
特征
功耗
结温
存储温度范围
*总Raing 。
)
符号
P
D
*
T
j
T
英镑
等级
200
150
-55 150
单位
2002. 2. 18
版本号： 0
1/4
KRX212U
Q1电气特性（ TA = 25
特征
集电极截止电流
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
I
CBO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
)
测试条件
V
CB
= 15V ，我
E
=0
I
E
=10 A
I
C
=1mA
I
E
=10 A
V
CE
= 2V ，我
C
=10mA
I
C
=的200mA，我
B
=10mA
V
CE
= 2V ，我
C
= 10毫安，女
T
=100MHz
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
分钟。
-
15
12
6
270
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
90
320
7.5
马克斯。
100
-
-
-
680
250
-
-
单位
nA
V
V
V
-
mV
兆赫
pF
Q2电气特性（ TA = 25
特征
输出截止电流
直流电流增益
输出电压
输入电压（ ON）的
输入电压（OFF）的
跃迁频率
输入电流
符号
I
O（关）
G
I
V
O（上）
V
我（上）
V
我（关闭）
f
T
*
I
I
)
测试条件
V
O
=50V, V
I
=0
V
O
= 5V ，我
O
=20
I
O
=10 , I
I
=0.5
V
O
= 0.3V时，我
O
=20
V
O
= 5V ，我
O
=0.1
V
O
= 10V ，我
O
=5
V
I
=5V
分钟。
-
20
-
-
0.5
-
-
典型值。
-
-
0.1
1.83
1.15
250
-
马克斯。
500
-
0.3
3
-
-
3.8
V
V
V
单元。
注：*只晶体管的特性。
2002. 2. 18
版本号： 0
2/4
KRX212U
Q
1
（ NPN晶体管）
h
FE
- I
C
1K
直流电流增益
FE
500
300
TA = 125℃
TA = 25℃
TA = -40℃
V
CE （ SAT ）
- I
C
集电极 - 发射极饱和
电压V
CE （ SAT ）
（毫伏）
1K
500
300
100
50
30
10
5
3
1
1
3
10
125
TA
C
I
C
/I
B
=20
100
50
30
V
CE
=2V
5 C
C
a=2
a=-40
T
T
10
1
3
10
30
100
300
1K
30
100
300
1K
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
V
CE （ SAT ）
- I
C
集电极 - 发射极饱和
电压V
CE （ SAT ）
（毫伏）
1K
500
300
100
50
30
10
5
3
1
1
I
C
/I
B
=50
I
C
/I
B
=20
10
I
C
/I
B
=
V
BE （ SAT ）
- I
C
基射极饱和
电压V
BE （ SAT ）
（毫伏）
10K
5K
3K
I
C
/I
B
=20
TA = 25℃
1K
500
300
TA = -40℃
TA = 25℃ 5℃
Ta=12
100
3
10
30
100
300
1K
1
3
10
30
100
300
1K
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
I
C
- V
BE
集电极电流I
C
（MA ）
500
300
100
Ta=1
25 C
40 C
Ta=2
V
CE
=2V
f
T
- I
C
过渡频率f
T
（兆赫）
1K
500
300
V
CE
=2V
TA = 25℃
1K
50
30
10
5
3
1
0
5 C
100
50
30
TA = -
10
1
3
10
30
100
300
1K
集电极电流I
C
（MA ）
0.5
1.0
1.5
基极 - 发射极电压V
BE
(V)
2002. 2. 18
版本号： 0
3/4
KRX212U
Q
1
（ NPN晶体管）
C
ob
- V
CB
, C
ib
- V
EB
1K
500
300
100
50
30
10
5
3
1
I
E
=0A
f=1MHz
TA = 25℃
集热LPOWER耗散P
C
（ mW）的
集电极输入电容C
ib
（PF ）
集电极输出电容C
ob
（PF ）
PC - TA
250
200
150
100
50
0
C
ib
C
ob
0
25
50
75
100
125
150
0.1
0.3
1
3
10
30
100
周围温度Ta （℃）
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
发射极 - 基极电压V
EB
(V)
100
Q
2
I
O
- V
我（上）
3k
Q
2
I
O
- V
我（关闭）
输出电流I
O
（MA ）
输出电流I
O
(A)
50
30
10
5
3
1
0.5
0.3
0.1
0.1
0.3
1
3
V
O
=0.2V
TA = 100℃
1k
500
Ta=100
Ta=25
Ta=-25
C
TA = 25℃
TA = -25℃
300
C
100
50
30
0
0.5
1.0
C
V
O
=5V
10
1.5
2 .0
2.5
3.0
输入电压V
我（上）
(V)
输入OFF电压V
我（关闭）
(V)
300
Q
2
G
I
- I
O
直流电流增益G
I
100
50
30
00
=1
Ta
C
10
5
3
1
3
TA = 25℃
TA = -25℃
V
O
=5V
10
30
100
输出电流I
O
（MA ）
2002. 2. 18
版本号： 0
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    -
    -
    -
    -
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