【SMD型HEXFET功率MOSFETKRFR9210晶体管IC特点可在磁带卷&表面贴装6.5】,IC型号KRFR9210,KRFR9210 PDF资料,KRFR9210经销商,ic,电子元器件-51电子网

SMD型

HEXFET功率MOSFET

KRFR9210

晶体管

特点

可在磁带卷&

表面贴装

6.50

+0.2

5.30

-0.2

+0.15

-0.15

TO-252

+0.15

1.50

-0.15

单位：mm

2.30

+0.8

0.50

-0.7

+0.1

-0.1

+0.2

9.70

-0.2

+0.1

0.80

-0.1

额定重复性雪崩

2.3

4.60

+0.15

-0.15

+0.1

0.60

-0.1

+0.28

1.50

-0.1

+0.25

2.65

-0.1

动态的dv / dt额定值

+0.15

0.50

-0.15

P沟道

0.127

最大

+0.15

5.55

-0.15

1.门

2.漏

3.源

绝对最大额定值大= 25

参数

连续漏电流， V

@ -10V ，TC = 25

连续漏电流， V

@ -10V ，TC = 100

漏电流脉冲* 1

功耗TC = 25

功耗（ PCB安装） TA = 25

线性降额因子

线性降额因子（ PCB安装）

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量* 3

雪崩电流* 1

重复性雪崩能量* 1

峰值二极管恢复的dv / dt * 2

工作结存储温度范围

结到外壳

结到环境

英镑

符号

等级

-1.9

-1.2

-7.6

2.5

0.2

0.02

300

-1.9

2.5

-5

-55到+ 150

110

单位

V / ns的

* 1重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温。

*2 I

-1.9A ，D

70A/

S，V

（ BR ） DSS

150

*3 V

= -50V ，开始TJ = 25 ， L = 124 mH的，R

= 25 , I

= -1.9A.

快速开关

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SMD型

KRFR9210

电气特性TA = 25

参数

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

连续源电流

脉冲源电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

向前开启时间

* 1脉冲宽度

300秒;占空比

2%.

体二极管）

D（上）

D（关闭）

国际空间站

OSS

RSS

吨

= 25 , I

= -1.9A ，V

= 0V*1

= 25 , I

= -2.3A

= 100A/

s*1

= 0V

= -25V

F = 1.0MHz的

符号

（ BR ） DSS

V（ BR ） DSS

晶体管

Testconditons

= 0V时，我

=- 250 A

= -1mA ，参考25

= -10V ，我

= -1.1A*1

= V

, I

= -250 A

= -50V ，我

= -1.1A*1

= -200V, V

= 0V

= -200V, V

= 0V ，T

= 150

民

-200

典型值

最大

单位

-0.23

3.0

-2.0

0.98

-100

-500

-100

100

8.9

2.1

3.9

8.0

4.5

7.5

170

-1.9

-4.0

DS （ ON）

GS （ TH）

DSS

GSS

= 20V

= -20V

= -1.3A

= -160V

= -10V,*1

= -100V

= -2.3A

=24

=41 *1

体二极管） * 2

-7.6

-5.8

110

0.56

220

1.1

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

)

* 2重复评价;脉冲宽度的限制bymax

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