【半导体技术参数切换应用程序。音频静噪应用。特点高发射极 - 基极电压： VEBO=25V(Min)高】,IC型号KRC284M,KRC284M PDF资料,KRC284M经销商,ic,电子元器件-51电子网

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半导体

技术参数

切换应用程序。

音频静噪应用。

特点

高发射极 - 基极电压： V

EBO

=25V(Min)

高逆H

FE

：逆H

FE

= 150 （典型值）（V

CE

= -2V ，我

C

=-4mA)

低导通电阻，R

on

= 1 （典型值）。（我

B

=5mA)

凭借内置的偏置电阻器。

简化电路设计。

减少零件和制造工艺的数量。

C

H

KRC281M~KRC286M

外延平面NPN晶体管

B

A

O

M

等效电路

J

E

E

C

B

R1

1

L

2

3

N

DIM毫米

A

3.20最大

B

4.30 MAX

C

0.55最大

_

D

2.40 + 0.15

E

1.27

F

2.30

_

G

14.00 + 0.50

H

0.60 MAX

J

1.05

K

1.45

L

25

0.80

M

N

0.55最大

O

0.75

F

1.发射器

2.收集

3. BASE

K

E

最大额定值（ TA = 25

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极耗散功率

结温

存储温度范围

)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

C

T

j

T

英镑

等级

50

20

25

300

400

150

-55 150

单位

V

V

V

mA

W

特征

2002. 12. 5

版本号： 1

D

G

TO-92M

1/2

KRC281M~KRC286M

电气特性（ TA = 25 ）

特征

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

集电极 - 发射极饱和电压

直流电流增益

KRC281M

KRC282M

输入电阻

KRC283M

KRC284M

KRC285M

KRC286M

跃迁频率

集电极输出电容

*只晶体管的特性。

注）H

FE

分类

B:350 1200

f

T *

C

ob

V

CE

= 6V ，我

C

=4mA,

V

CB

= 10V ，我

E

= 0中，f = 1MHz的

R

1

符号

BV

首席执行官

BV

CBO

BV

EBO

I

CBO

V

CE （ SAT ）

h

FE

测试条件

I

C

=1mA

I

C

=50 A

I

E

=50 A

V

CB

= 50V ，我

E

=0

I

C

= 30mA时我

B

=3mA

V

CE

= 2V ，我

C

=4mA

分钟。

20

50

25

-

-

350

-

-

-

-

-

-

-

-

典型值。

-

-

-

-

-

-

2.2

4.7

5.6

6.8

10

22

30

4.8

马克斯。

-

-

-

0.1

0.1

1200

-

-

-

-

-

-

-

-

兆赫

pF

k

单位

V

V

V

A

V

2002. 12. 5

版本号： 1

2/2

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