【半导体技术参数切换应用程序。音频静噪应用。特点高发射极 - 基极电压： VEBO=25V(Min)高】,IC型号KRC283S,KRC283S PDF资料,KRC283S经销商,ic,电子元器件-51电子网

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半导体

技术参数

切换应用程序。

音频静噪应用。

特点

高发射极 - 基极电压： V

EBO

=25V(Min)

高逆H

FE

：逆H

FE

= 150 （典型值）（V

CE

= -2V ，我

C

=-4mA)

A

KRC281S~KRC286S

外延平面NPN晶体管

L

E

B

L

凭借内置的偏置电阻器。

简化电路设计。

减少零件和制造工艺的数量。

G

低导通电阻，R

on

= 1 （典型值）。（我

B

=5mA)

2

3

1

P

P

等效电路

C

B

R1

暗淡

A

B

C

D

E

G

H

J

K

L

M

N

P

MILLIMETERS

_

2.93 + 0.20

1.30+0.20/-0.15

1.30最大

0.45+0.15/-0.05

2.40+0.30/-0.20

1.90

0.95

0.13+0.10/-0.05

0.00 ~ 0.10

0.55

0.20 MIN

1.00+0.20/-0.10

7

C

N

H

M

1.发射器

2.基

3.收集

E

K

SOT-23

最大额定值（ TA = 25

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极耗散功率

结温

存储温度范围

)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

C

T

j

T

英镑

等级

50

20

25

300

150

150

-55 150

单位

V

V

V

mA

mW

特征

MARK SPEC

TYPE

KRC281S

KRC282S

KRC283S

KRC284S

KRC285S

KRC286S

h

FE

分类

B

MQB

MRB

最高位

MTB

MUB

MVB

型号名称

记号

LOT号

2002. 12. 5

版本号： 1

J

D

1/2

KRC281S~KRC286S

电气特性（ TA = 25 ）

特征

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

集电极 - 发射极饱和电压

直流电流增益

KRC281S

KRC282S

输入电阻

KRC283S

KRC284S

KRC285S

KRC286S

跃迁频率

集电极输出电容

*只晶体管的特性。

注）H

FE

分类

B:350 1200

f

T *

C

ob

V

CE

= 6V ，我

C

=4mA,

V

CB

= 10V ，我

E

= 0中，f = 1MHz的

R

1

符号

BV

首席执行官

BV

CBO

BV

EBO

I

CBO

V

CE （ SAT ）

h

FE

测试条件

I

C

=1mA

I

C

=50 A

I

E

=50 A

V

CB

= 50V ，我

E

=0

I

C

= 30mA时我

B

=3mA

V

CE

= 2V ，我

C

=4mA

分钟。

20

50

25

-

-

350

-

-

-

-

-

-

-

-

典型值。

-

-

-

-

-

-

2.2

4.7

5.6

6.8

10

22

30

4.8

马克斯。

-

-

-

0.1

0.1

1200

-

-

-

-

-

-

-

-

兆赫

pF

k

单位

V

V

V

A

V

2002. 12. 5

版本号： 1

2/2

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