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半导体
技术参数
切换应用程序。
音频静噪应用。
接口电路和驱动
电路应用。
特点
·带
内置偏置电阻器。
·简化
电路设计。
*减少
零件和制造工艺的数量。
A
G
KRC231S~KRC235S
外延平面NPN晶体管
L
E
B
L
2
3
1
P
P
等效电路
C
R1
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
N
P
MILLIMETERS
_
2.93 + 0.20
1.30+0.20/-0.15
1.30最大
0.45+0.15/-0.05
2.40+0.30/-0.20
1.90
0.95
0.13+0.10/-0.05
0.00 ~ 0.10
0.55
0.20 MIN
1.00+0.20/-0.10
7
C
N
H
M
1.发射器
2.基
3.收集
B
E
K
SOT-23
最大额定值（ TA = 25 ℃ ）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
等级
30
15
5
600
200
150
-55½150
单位
V
V
V
mA
mW
℃
℃
MARK SPEC
TYPE
标志
KRC231S
NW
KRC232S
NY
KRC233S
NZ
KRC234S
NNA
KRC235S
NNB
记号
型号名称
LOT号
型号名称
LOT号
2002. 5. 14
版本号： 3
J
D
1/3
KRC231S~KRC235S
电气特性（Ta = 25℃）
特征
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流增益
KRC231S
KRC232S
输入电阻
KRC233S
KRC234S
KRC235S
跃迁频率
抗性
注：*只晶体管的特性。
符号
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
EBO
I
CBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
测试条件
I
C
=1mA
I
C
=50μ
A
I
E
=50μ
A
V
CB
=30V
I
C
= 50mA时我
B
=2.5mA
V
CE
= 5V ，我
C
=50mA
分钟。
15
30
5.0
-
-
200
-
-
典型值。
-
-
-
-
40
350
2.2
5.6
10
4.7
6.8
200
0.6
马克斯。
-
-
-
0.5
80
800
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
V
V
μ
A
mV
-
k
R
1
-
-
-
V
CE
= 10V ，我
E
=-50mA,
f=100MHz
F = 1KHz的，我
B
= 1mA时， V
IN
=0.3V
f
T
*
罗恩
-
-
兆赫
2002. 5. 14
版本号： 3
2/3
KRC231S~KRC235S
h
FE
- I
C
集电极 - 发射极饱和
电压V
CE （ SAT ）
（毫伏）
2k
1k
直流电流增益
FE
300
100
30
10
3
1
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
1k
集电极电流I
C
（MA ）
共发射极
V
CE
=5V
TA = 25℃
V
CE （ SAT ）
- I
C
500
300
100
50
30
10
5
3
1
1
3
10
30
100
300
1k
集电极电流I
C
（MA ）
共发射极
V
CE
=5V
TA = 25℃
I
C
/I
B
=20
I
C
/I
B
=10
R
on
- I
B
1k
在阻抗R
on
()
300
100
30
10
3
1
0.3
0.1
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
f=1kHz
V
IN
=0.3V
V
h
v
V
h
I
B
=1mA
~
基极电流I
B
（MA ）
2002. 5. 14
版本号： 3
3/3
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K103J20C0GF5.H5
KSK-1A66-2030
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厂家
批号
数量
封装
单价/备注
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